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相似文献
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1.
采用磁控溅射技术在玻璃基底上制备出了具有c轴择优取向的Cu夹层ZnO透明导电薄膜,利用几种表征手段分析了夹层厚度对ZnO薄膜的结构形貌、光电性能的影响。结果表明,随着夹层厚度的增加,薄膜的结晶性降低,透光率降低、电学性能增强。  相似文献   

2.
采用磁控溅射技术在玻璃基底上制备出了ZnO/Cu/ZnO、ZnO/Cu、ZnO单层三种透明导电薄膜,利用几种表征手段分析了Cu层位置对ZnO薄膜的结构形貌、光电性能的影响。结果表明,Cu层的加入会降低薄膜的透射率和提高导电性,其中ZnO/Cu/ZnO结构的透射率略高,ZnO/Cu结构的电阻率最低。  相似文献   

3.
李博睿  官文杰 《大众科技》2010,(8):108-109,96
采用PLD方法制备了5at.%Co掺杂的ZnO0.95 Co0.05O薄膜,以及Co,Al共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质。Co,Al共掺杂的样品饱和磁矩有较为明显的增强,说明样品的铁磁性可能来源于载流子浓度的增加。  相似文献   

4.
纳米ZnO在染料敏化薄膜太阳电池中的应用   总被引:8,自引:0,他引:8  
尝试使用溶胶 凝胶法制备的纳米ZnO作为光阳极制作染料敏化薄膜太阳电池 ,并讨论了电池的性能 ,与染料敏化纳米TiO2 薄膜太阳电池作了比较 ,探寻利用纳米ZnO薄膜半导体材料作为光阳极的可行性  相似文献   

5.
ZnO作为一种典型的n型半导体材料,由于其载流子迁移率高、化学稳定性和热稳定性好的特点,在各种金属氧化物半导体气体传感材料中具有重要的地位。基于ZnO的异质结构材料在气敏特性研究方面研究广泛,性能非常突出。本工作旨在利用二维电化学原位组装方法,构建基于氧化锌-石墨烯的特殊纳微有序阵列材料,此材料具有清晰的异质界面有利于提高材料气体检测性能,为基于ZnO的异质结构的气敏传感材料的制备提供新的思路。  相似文献   

6.
<正>项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。  相似文献   

7.
正项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。  相似文献   

8.
稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员在ZnO基稀磁半导体材料的研究方面取得了丰硕的成果,但迄今为止所报导的结果大相径庭,仍然还有很多问题存在争议,尤其在磁性方面。常规的稀磁半导体制备方法,如磁控溅射和脉冲激光沉积技术等,均需要很高的生长温度,高生长温度容易催生颗粒在薄膜中的形成,但其低温下制备也难以保证薄膜的质量。运用等离子体增强化学气相沉积法制备稀磁半导体薄膜,具有无法比拟的优越性,对稀磁半导体的研究具有非常重要的学术意义和实用价值。  相似文献   

9.
低维光电材料是近十年来在国际上迅速发展起来的新型功能材料,其主要结构特点是材料至少在一个维度上尺寸减小到纳米尺度,由此产生的大比表面积和独特的量子限域效应,使低维光电材料表现出与块状材料不同的、性能优异的电学输运及光电转化性能,在发展未来高性能的光电信息器件、新型绿色能源、生物医学等领域具有重要的应用潜力。由于材料的结构决定性能,而性能又决定其应用,因此,低维光电材料的结构与性能的可控制备技术是其走向应用的前提和基础。如何在制备过程中实现低维光电材料的结构及其光电性能的调控是制备技术领域面临的瓶颈问题。  相似文献   

10.
<正>项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法  相似文献   

11.
正项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异、光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长  相似文献   

12.
对DSSC的光电阳极进行研究,利用旋转涂布法制备纳米管状结构的TiO_2薄膜,其孔隙率很高,比表面积很大,可以吸附较多的染料,获得较高的光催化效率。对制备出的薄膜进一步进行改质处理,使TiO_2薄膜的性能获得有效的改善,光催化效率进一步提高。利用XRD、紫外-可见分光光度计等技术分析薄膜性能表征,并测试改质处理后的光电转化性能及转化效率。  相似文献   

13.
氧气浓度对ZnO薄膜光电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用磁控溅射法镀制ZnO薄膜,通过椭偏仪和四探针测试仪分析了氧气浓度对薄膜光电性能的影响.结果表明:随着氧分压的增加,薄膜折射率呈变大的趋势,电阻率升高,导电性能降低.  相似文献   

14.
《科学中国人》2009,(3):42-42
高性能的、透明的和可延展的电极,在开发柔性电子和光电应用系统方面需求量很大。在微米尺度具有优异光学、电学和机械性能的石墨烯有望成为这样一种基础材料。实践证明.合成能够保留人们所期望的这些性能的大尺度石墨烯薄膜很困难,但现在Kim等人介绍了一种方法,用该方法可生长厘米尺度的石墨烯薄膜,其导电性和透光性与微米尺度薄膜的一样高。  相似文献   

15.
《中国科学院院刊》2008,23(1):77-77
作为一种具有广阔应用前景的新型半导体材料,共轭聚合物以其突出的优点——廉价的溶液可加工性受到学术界和工业界的广泛关注。结晶性共轭聚合物由于规整的堆砌结构具有更优异的光电性能。其中聚(3-烷基)噻吩在聚合物场效应管和光伏电池等薄膜光电器件中有巨大的应用前景。  相似文献   

16.
本文综述了类金刚石薄膜材料常用的制备工艺及其相应结构和摩擦学性能。针对该薄膜材料在应用过程中存在的热稳定性差及内应力较大两方面问题,阐述了目前应用较为广泛的解决工艺。结合DLC薄膜优异的摩擦学性能展望了其在空间固体润滑技术领域以及新能源领域广泛的应用前景。  相似文献   

17.
以硝酸锌、六次甲基四胺、聚乙烯基亚胺为原料,通过控制水热工艺,在柔性PET衬底上制备了具有有序阵列结构的氧化锌纳米棒,通过电子束蒸发镀膜方式在ZnO纳米棒周围包覆了Mn_3O_4薄膜,并结合微纳加工工艺,制备了基于Mn_3O_4@ZnO阵列复合电极材料的柔性透明超级电容器件。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)等技术手段研究了复合材料的结构和形貌。并采用循环伏安法、电化学阻抗谱和循环充放电法研究了器件的电化学性能。结果表明,电子束蒸发工艺得到的Mn_3O_4薄膜具有优异稳定的电化学特性,三维ZnO纳米棒阵列可以作为透明电容器件的集电极,提供了较大比表面积,有利于提高器件的比电容,在2 m V/s时,器件的比电容可达9.2 m F/cm2,并且器件具有优异的抗弯折性能及稳定性,可以满足柔性储能器件的要求。  相似文献   

18.
宋继武  冯文 《复印》1999,(1):17-19
本文合成了以4,4',4″-三氨基三苯胺为中间体的系列三偶氮化合物,对组成及结构进行了表征,以此化合物为电荷发生材料制备有机光电功能薄膜表现了较好的光电性能。  相似文献   

19.
为合理有效地利用太阳能,科学家一直在致力于开发转换效率高、发电成本低的太阳能电池器件.以甲氨基卤化铅为代表的钙钛矿型材料具有原料廉价丰富、光电特性优异、器件制备方法简单、电池性能对污染物不敏感等突出优点,钙钛矿型太阳能电池有望因高效率和低成本而实现大范围应用,但目前的高效钙钛矿太阳电池材料对紫外光、水分和大气不稳定,成为进一步应用必须逾越的障碍.  相似文献   

20.
夏威  孟宪权  刘文军  朱振华 《大众科技》2010,(5):117-117,106
对ZnO单晶材料不同温度下进行了光致发光研究。室温下ZnO单晶有两个发光峰,分别为375nm的紫外发光峰和570nm的可见光发光带。随着温度的降低,出现两个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)和束缚激子(D0X)发光峰,并且束缚激子发光峰随着温度降低较自由激子变化明显。较低温度时在370nm到400nm出现多个发光峰,为声子(LO)参与的受主束缚激子(A0X)发光峰。10K时出现四个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)、表面激子(SX)和束缚激子(D0X)发光峰。  相似文献   

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