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1.
采用磁控溅射方法在Si片沉积了Ti-50．9at％Ni形状记忆合金薄膜,并将薄膜分别在不同温度下进行退火．利用示差扫描量热方法（DSC）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）研究了薄膜退火前后形貌、相变特征及应力随退火温度的变化．实验结果表明：溅射态薄膜为非晶态,其晶化温度范围为430℃-535℃,晶化同时伴随着Ti3Ni4相的析出;退火后的薄膜随着退火温度的升高,Rs、Af、Ms均呈上升趋势．薄膜的残余应力随着退火温度的增加而逐渐减少． 相似文献
2.
通过Raman光谱、紫外-可见透射光谱技术及原子力显微镜对非晶碳化硅薄膜结构和光学特性的热退火效应进行了研究。结果表明,碳化硅拉曼谱带随退火温度的增加而逐渐红移和尖锐化,显示了薄膜中晶化有序度的提高。退火后薄膜包含大量紧凑的纳米团簇,膜面相对于未退火样品较为粗糙。根据紫外-可见透射光谱导出的光学带隙从原始样品的1．86eV连续增加到经1050℃退火样品的2．23eV。碳化硅薄膜中纳米团簇的形成及其晶化程度的增加导致了薄膜光学带隙的蓝移效应。 相似文献
3.
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采用溶胶-凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的氧纳米化铝纳米薄膜;通过XRD及AFM分析表征了烧结温度对纳米氧化铝薄膜的晶型及颗粒尺寸变化的影响.在900℃烧结时,氧化铝结构薄膜样品以非晶相和γ-Al2O3共存,颗粒尺寸50纳米;当烧结温度为950℃时开始向θ-Al2O3转变,颗粒尺寸几乎不变,有小颗粒生成,1050℃时基本完成θ-Al2O3转变,颗粒尺寸15纳米,1200℃时基本完成向α-Al2O3的转变,颗粒尺寸20纳米,在晶型转变过程中其晶粒尺寸由大变小而后再变大. 相似文献
5.
利用常压MOCVD法在Si及Al2O3衬底上制备了TiO2薄膜.研究了沉积温度和退火温度对TiO2薄膜结构和形貌的影响,以及TiO2薄膜的光学性质.研究发现,沉积温度为600℃时,制备的TiO2薄膜结构为锐钛矿相,薄膜质量较高.TiO2薄膜在1 090℃高温退火后,薄膜结构完全转变为金红相.TiO2薄膜在可见区域有着高达90%以上透射率,在紫外区域有着强烈的吸收. 相似文献
6.
本文采用磁控溅射法制备了HfOxNy高介电薄膜，结合XRD、XPS等手段研究了退火温度对薄膜的结构和化学键态的影响，发现N的掺入使Hf4f峰位向低能方向移动．而随着退火温度的升高，Hf4f的双峰峰位向着高结合能的方向移动，这表明N的含量随着退火温度的升高而降低．XRD结果显示N的掺人能提高薄膜的晶化温度． 相似文献
7.
采用蒸发镀膜方法,在孔径约为200 nm的多孔阳极氧化铝(AAO)模板上室温沉积名义厚度为300 nm的银薄膜样品,研究真空退火对AAO模板上Ag纳米颗粒膜的结构和光学性质的影响。微观结构利用X射线衍射仪和扫描电镜观测,光学性质采用分光光度计检测。结果表明,(111)取向的银衍射峰强度随退火温度的升高逐渐增强,当退火温度为250℃时达到最大值;银纳米颗粒平均直经随退火温度的升高呈现先缓慢增大,后迅速增大,再减小的态势,当退火温度为250℃时达到最大值140 nm,比制备态大47 nm;薄膜经真空退火后,漫反射率普遍得到提高,在可见光区域,当退火温度为200℃时,漫反射率达到最大,其值为80%,大约为制备态的3倍左右。 相似文献
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《商洛学院学报》2017,(2)
采用溶胶-凝胶法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1 Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5 at.%时SZO薄膜的结晶生长最好。高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3 at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10(-2)Ω·cm。当Sn掺杂浓度小于3 at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3 at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低。 相似文献
9.
袁放成 《泉州师范学院学报》2005,23(4):30-33
测量了掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅这四种薄膜室温下的光致发光谱，这四种薄膜在光激发下都具有Er^3＋离子的1．54μm峰位,Er^3＋离子1．54μm的峰强度与薄膜的退火温度有关，这些薄膜都分别在600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃、1100℃的温度下同时退火，发现两种富硅薄膜的强度比不富硅薄膜的1.54μm峰强度要强。 相似文献
10.
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[Cu/CoPt]n/Ag薄膜,并在600℃退火30min.结果表明,Cu掺杂厚度(x)对CoPt薄膜的结构和磁性影响很大.当Cu层厚度为0.4nm时,最有利于CoPt薄膜垂直取向生长,其垂直矫顽力达9.2kOe,而平行矫顽力为4.7kOe. 相似文献
11.
1 Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｉｎ 1988,Ｙｏｓｈｉｚａｗａａｎｄｃｏ ｗｏｒｋｅｒｓ[1] ｒｅｐｏｒｔｅｄｆｏｒｔｈｅｆｉｒｓｔｔｉｍｅｏｎａｎｅｗｇｏｏｄｓｏｆｔｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｏｙｃａｌｌｅｄＦｉｎｅｍｅｔ.Ｉｔｃｏｎｓｉｓｔｅｄｏｆｕｌｔｒａｆｉｎｅｇｒａｉｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｐｒｅ ｐａｒｅｄｂｙｔｈｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＦｅ Ｓｉ ＢａｍｏｒｐｈｏｕｓａｌｌｏｙｗｉｔｈａｄｄｉｔｉｏｎｓｏｆＣｕａｎｄＮｂ[1～ 3] .Ｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｔｈｉｓｐａｒｔｉｃｕｌａｒｓｔ… 相似文献
12.
采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片上成功制备ZnO薄膜,对于不同退火温度样品采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计(UVS)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明在300℃、400℃、500℃退火处理的样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.透射谱中能观察到明显的ZnO吸收边.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.PL谱中在380nm附近可观察到明显发光峰. 相似文献
13.
Nano-particles lanthanum-modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and thenannealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60nm. The deposition speed is 3nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300℃ for 10min and anneal at 600℃ for 1h. 相似文献
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为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火（RTA）技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响. 相似文献
15.
Low valence vanadium oxide（VO2-x） thin films were prepared on SiO2/Si substrates at room temperature by direct current facing targets reactive magnetron sputtering, and then processed through rapid thermal annealing. The effects of the annealing on the structure and phase transition property of VO2 were discussed. X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction technique and Fourier transform infrared spectroscopy were employed to study the phase composition and structure of the thin films. The resistance-temperature property was measured. The results show that VO2 thin film is obtained after annealed at 320℃ for 3 h, its phase transition temperature is 56 ℃, and the resistance changes by more than 2 orders. The vanadium oxide thin films are applicable in thermochromic smart windows, and the deposition and annealing process is compatible with micro electromechanical system process. 相似文献
16.
利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜,并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s． 相似文献
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利用原子力显微镜和高分辨场发射电子显微镜系统地研究了高温退火的FeCo基纳米晶合金薄带的介观结构。发现高温退火的FeCo基纳米晶合金中具有纳米晶粒的团聚结构,尺寸约为200hm2由x射线衍射结果和目前已有的实验成果推断这种团聚结构中大约有104—105个纳米晶粒及包围这些纳米晶粒的非晶相。这种团聚结构与退火温度的高低具有十分密切的关系,因此称之为高温工作环境中FeCo基纳米晶合金的介观结构相,简称介观结构相。 相似文献
18.
The magnetic properties of as-quenched and annealed Fe73.5Ag1Nb3Si13.5B9 alloys were investigated. X-ray diffraction was used to monitor the structure changes of the samples under different annealing
temperatures. It was found that by Cu addition, the crystallization temperature T
x1 of Fe-Nb-Si-B alloy is decreased, whereas by Ag addition, the T
x1 is increased. A small amount of α-Fe and Ag were obtained after the sample was annealed at 500°C for 1 h. With increasing
the annealing temperature, Fe23B6, Fe2B, Fe3B were separated out and magnetic properties of the samples were impaired quickly. A mostly single nanocrystalline grain of
a-Fe phase could not be obtained in the annealed samples. 相似文献