共查询到18条相似文献，搜索用时 140 毫秒
1.
采用磁控溅射方法在Si片沉积了Ti-50．9at％Ni形状记忆合金薄膜,并将薄膜分别在不同温度下进行退火．利用示差扫描量热方法（DSC）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）研究了薄膜退火前后形貌、相变特征及应力随退火温度的变化．实验结果表明：溅射态薄膜为非晶态,其晶化温度范围为430℃-535℃,晶化同时伴随着Ti3Ni4相的析出;退火后的薄膜随着退火温度的升高,Rs、Af、Ms均呈上升趋势．薄膜的残余应力随着退火温度的增加而逐渐减少． 相似文献
2.
运用脉冲激光沉积方法,在Pt(111)基片上沉积制备Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜。通过对X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜的正交相随衬底温度升高而增强,随薄膜厚度增加而减小。P-E电滞回线实验表明,提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能。400℃氧气中原位退火后薄膜剩余极化(2Pr)达到8μC/cm2。5V以下薄膜漏电流密度为3.2×10-6A/cm2。Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明,在经过2×109次反转后可参与翻转总极化值有一定下降。 相似文献
3.
采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜,然后经过不同温度的热退火处理,获得硼掺杂纳米硅薄膜．结果表明,退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,在1000℃时,薄膜的晶化率达到77％,晶粒大小为3．9nm．退火温度低于600℃时,光学带隙随着退火温度的升高而变窄,高于600℃... 相似文献
4.
采用的两步法——先溅射成膜，后退火处理的工艺成功制备了ZnO：Tb复合薄膜，结合XRD、XPS、SEM等手段研究退火温度对薄膜结构和形貌的影响．发现退火温度950％，退火时间10小时为ZnO：Tb薄膜的最佳工艺参数——薄膜表面形成新奇T—A—ZnO结构以及不同直径和长度的螺纹状纳米棒． 相似文献
5.
王莹 《商丘职业技术学院学报》2009,8(2):58-60
采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜．利用原子力显微镜,研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响,结果表明,N的掺杂改善了HfO2薄膜的表面形貌,同时抑制了高温退火过程中表面粗糙度的增加;通过椭圆偏振仪对薄膜的光学特性的研究表明,随退火温度的升高,薄膜的折射率和消光系数都呈上升趋势． 相似文献
6.
袁放成 《泉州师范学院学报》2005,23(4):30-33
测量了掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅这四种薄膜室温下的光致发光谱，这四种薄膜在光激发下都具有Er^3＋离子的1．54μm峰位,Er^3＋离子1．54μm的峰强度与薄膜的退火温度有关，这些薄膜都分别在600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃、1100℃的温度下同时退火，发现两种富硅薄膜的强度比不富硅薄膜的1.54μm峰强度要强。 相似文献
7.
目的:退火条件直接影响着电沉积制备的铜铟镓硒薄膜品质,而薄膜品质决定着最终得到器件的转换效率。本实验在不同退火条件下对薄膜进行处理,得出退火条件对薄膜各项表征指标的影响规律,并根据观察到的规律改善退火工艺,以提高铜铟镓硒薄膜品质。创新点:目前利用水溶液电沉积制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池转换效率不高,而退火是制作此电池的关键步骤之一。本文研究了退火温度和升温速率对薄膜品质的影响,分析其可能原因及退火过程发生的反应,并制备出了理想的高品质薄膜。方法:1.在水溶液中利用电沉积法制备出铜铟镓硒薄膜前驱体。2.对前驱体进行退火处理,并针对不同的样品采用不同的退火温度和升温速率。3.利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线荧光光谱(XRF)对薄膜进行表征,分析不同退火条件对结果的影响规律。结论:1.退火温度的影响:退火温度由450°C升高到580°C时,得到的薄膜结晶性越来越好,晶粒边界越来越不明显,Cu/(In+Ga)的比例逐渐升高,说明高温下(≥450°C)金属铟和镓较易挥发;实验中还发现Cu-Se化合物的总含量随退火温度的升高而降低。2.升温速率的影响:退火速率越高,薄膜结晶性越好;快速升温时薄膜中Cu/(In+Ga)的比例略低于慢速升温时的样品,而Ga/(In+Ga)的比例几乎不变,说明快速升温可以减少In和Ga的挥发。 相似文献
8.
9.
《赤峰学院学报(自然科学版)》2017,(20)
采用磁控溅射技术在(001)取向LaAlO_3单晶衬底上制备了La_(0.7)Ba_(0.3)MnO_3外延薄膜.利用x射线衍射对其外延性质进行了表征.系统研究了退火气氛对薄膜磁输运行为的影响.结果表明,无论Ar气氛退火还是O_2气氛退火,薄膜的电阻-温度曲线均表现出金属-绝缘体转变行为,且转变温度随着外界磁场的增加向高温方向移动.同时,Ar气氛退火薄膜的磁阻效应加强,而O_2气氛退火薄膜则呈现典型的磁阻效应,即低温磁阻率很小,在较小的外场下就会饱和.这一差异可以看作Ar退火薄膜内部存在相分离的佐证,外场下较大的磁阻率由两种机制贡献. 相似文献
10.
《实验室研究与探索》2017,(8):10-13
通过超高真空反应磁控共溅射方法制备了CoTiO_2薄膜样品,在退火过程中加入了紫外光照射,研究了退火温度在反应共溅法中对薄膜微结构和磁性能的影响。形貌和结构研究表明,随着退火温度的升高样品的表面颗粒尺度逐渐减小,温度越高越有利于磁性相的形成,且500℃退火温度下锐钛矿结构的衍射峰较明显,晶胞变大;磁滞回线显示出样品呈现铁磁性特征,并且随着退火温度的升高样品的磁化强度逐渐降低;热磁曲线测量显示有序温度高于120℃。退火过程中进行辐照干预的处理,发现在薄膜制备过程中对薄膜的结构及磁性有重要影响。铁磁性有可能是起源于在热处理过程中引起的磁性离子和氧空位导致的晶格缺陷。 相似文献
11.
反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。 相似文献
12.
13.
为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火（RTA）技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响. 相似文献
14.
Nano-particles lanthanum-modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and thenannealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60nm. The deposition speed is 3nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300℃ for 10min and anneal at 600℃ for 1h. 相似文献
15.
采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片上成功制备ZnO薄膜,对于不同退火温度样品采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计(UVS)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明在300℃、400℃、500℃退火处理的样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.透射谱中能观察到明显的ZnO吸收边.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.PL谱中在380nm附近可观察到明显发光峰. 相似文献
16.
常亮亮 《商洛师范专科学校学报》2014,(2):40-44,52
以Sr（OOCCH3）2·H2O,Ti（OC4H9）4·Nb（C2H5O）5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3（SNTO）膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃／60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析：掺杂Nb^5＋能使SrTiO3转化为n-半导体。 相似文献
17.
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) precursor films were deposited on Mo/glass by electrodeposition, and then annealed in Se vapor. The annealing temperature ranged from 450 °C to 580 °C, and two heating rates were selected. The results showed that the crystalline quality of the CIGS films and formation of the Cu-Se compound could be strongly influenced by the selenization temperature and heating rate. Raman spectroscopy and X-ray diffraction (XRD) analysis showed that when the selenization temperature was increased from 450 °C to 550 °C, the amount of binary CuSe phase decreased and the amount of Cu2Se increased. After annealing at 580 °C, a minimum amount of Cu2?xSe compounds was obtained and the degree of CIGS film crystallinity was higher than in other samples. The relationship between the properties of the film and the heating rate was studied. XRD and Raman spectra showed a decrease in the Cu2?xSe phase with increasing heating rate. Scanning electron microscopy (SEM) and XRD showed a remarkable increase in the grain size of CIGS during rapid heating. 相似文献
18.
MBE growth of ZnSxSe1-x thin films on ITO coated glass substrates were carried out using ZnS and Se sources with the substrate temperature ranging from 270℃ to 330℃. The XRD θ/2θ spectra resulted from these films indicated that the as-grown polycrystalline ZnSxSe1-x thin films had a preferred orientation along the (111) planes. The evaluated crystal sizes as deduced from the FWHM of the XRD layer peaks showed strong growth temperature dependence, with the optimized temperature being about 290℃. Both AFM and TEM measurements of these thin films also indicated a similar growth temperature dependence. High quality ZnSxSe1-x thin film grown at the optimized temperature had the smoothest surface with lowest RMS value of 1.2 nm and TEM cross-sectional micrograph showing a well defined columnar structure. 相似文献