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本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A/min的致密SiO2膜层的最佳工艺条件. 相似文献
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本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A/min的致密SiO2膜层的最佳工艺条件. 相似文献
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本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析，并通过具体的工艺试验，最终得出了运用建中L42812-1／ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A／min的致密SiO2膜层的最佳工艺条件。 相似文献
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一、引言许多半导体器件表面都采用氮化硅作钝化膜。迄今,已经发展了许多种氮化硅的生长方法,如氮离子注入法、合金法、PECVD、LPCVD等。由于PECVD生长氮化硅设备及工艺简单,生长温度低,所以目前已被广泛采用。本文主要利用ADES400电子能谱仪,通过Auger电子能谱、深度剖析等手段,对国产平板型Si_4-NH_3混合气体PECVD生长设备生长的氮化硅膜的特性作一详细分析,从而揭示杂质及硅氮组成比对氮化硅膜性能的影响。二、实验条件和设备氮化硅薄膜淀积在〈111〉晶向的P/P~+硅外延片上,P型外延层的电阻率约为1Ω·cm。淀积设备为国产DD-P250型氮化硅淀积台。淀积过程中保持射频功率和频率稳定(50W, 相似文献
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红光器件是通信领域各种光纤跳线、尾纤以及光纤线路维护等的重要捡测工具。而目前,红光光源的制备材料均为三五族材料的化合物半导体,如掺磷砷化镓等。为了降低成本研究制备出硅基红光光源是非常好的选择。本文中介绍了应用常规的等离子体增强化学气相淀积技术制备基于碳化硅的Fabry—Pemt结构全固态一维平面微腔。在488nm的激光激发下得到线宽为11nm,品质因子为59,峰位在646nm的发光谱线。与有源层的发光相比强度增强了2倍。为实现硅基光源在通信领域的应用奠定了基础。 相似文献
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近20年来,半导体薄层、超薄层异质外延技术如分子束外延、金属有机物化学汽相淀积等得到了巨大发展,用这种技术生长的AlGaAs/GaAs,InGaAsP/InP材料和异质结构已成功地制备出了高性能的电子和光电子器件,引起了世界上物理学家和工程技术专家们的极大兴趣。本文将简要地综述近几年来半导体材料异质外延技术的新进展。并对目前存在的问题及其进一步发展做初步讨论。 相似文献
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VD—MOS(Vertical Channel Double Diffused MOSFET)是利用大规模集成技术,通过在硅基片上外延、多晶硅生长、离子注入、杂质扩散、化学气相淀积以及金属化等工艺过程制成。 相似文献
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近年来,西安电子科技大学狠抓科研工作,不断赶超国内和国际先进水平,取得了显著成绩。最近,由该校微电子技术研究所承担的国家“八·五”重点科技攻关项目“微波电子回旋共振化学气相淀积”等15项成果,通过了电子工业部主持的技术鉴定,全部成果均达到国内领先和国际先进水平。 当今世界新技术革命的核心是电子信息技术,而电子信息技术的基础是微电子,在我国,微电子技术是国防科技攻关的首项关键技术。西安电 相似文献
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<正> 一、山东省技术市场发展状况 (一)技术市场成为科技成果转化的重要渠道。发展技术市场的重要任务就是促进科技成果向现实生产力的转化。1996年山东省主要科技成果3388项,专利授权6124项,合计成果总数9512项,通过技术市场转化的项目有4753项,是计划推广项目的近6倍。由此可以看出,大部 相似文献
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本文介绍了网络安全技术的应用,并对网络安全技术进行了分析,同时结合当前先进的网络安全技术,介绍使用了防火墙、入侵检测和安全扫描软件等内部安全管理策略的三项关键技术构成的三层安全防护体系。通过对网络安全技术的综合使用,形成完整的安全管理机制,有效地保护了整个系统的安全。 相似文献
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逆作法作为一项近几年发展起来新兴的基坑支护技术,是施工高层建筑多层地下室和其他多层地下结构的有效方法。文章对高层建筑逆作法施工技术的效益、施工因素作了详细分析,并对其施工技术要点进行了总结探讨。 相似文献
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逆作法就是一项近几年发展起来新兴的基坑支护技术。它是施工高层建筑多层地下室和其他多层地下结构的有效方法。在国外如美、日、德、法等国家,已广泛应用,收到较好的效果。本文就高层建筑逆作法施工技术进行了研究,对在我国建筑领域技术推广具有借鉴意义。 相似文献
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突破性技术之间的竞争与主导范式的形成 总被引：4，自引：0，他引：4
考虑到技术创新和主导范式的重要性,本文对各种新技术如何竞争并形成主导范式的过程进行了探索性的研究。此外,技术性能优越并不是一项技术成为主导范式的决定因素,因此本研究还考察了哪些因素最终影响了主导范式的形成。 相似文献
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有报道——"2011年度中国重大技术进展"其中的一项是"2.1核能技术取得突破——铀利用率提升60倍":"中国核工业集团公司研究人员经过24年的研究,经过反复实验,在核研究上取得重大技术突破:突破了全套技术体系,研发了动力堆/乏燃料/后处理技术,实现了核动力堆中燃烧后的核燃 相似文献
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为了消除单点金刚石车削(SPDT)后KDP晶体表面留下的周期性小尺度波纹,文章探索采用离子束溅射沉积-刻蚀的方法对车削后KDP晶体进行抛光加工。本文主要分析了平坦化层材料的选择,溅射沉积工艺参数对KDP晶体平坦化层粗糙度的影响,并计算了平坦化层刻蚀速率从而完成了刻蚀转移。利用刻蚀转移成功地将单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nmRMS,经过1.76nmRMS的平坦化层,最终刻蚀转移到KDP晶体表面得到1.84nmRMS的光滑表面,实验结果验证了离子束溅射沉积—刻蚀抛光方法的可行性。 相似文献