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李参军 《数理天地(初中版)》2004,(11)
1.伏安法伏安法是测量电阻的基本方法.用电流表测出通过待测电阻的电流I,用电压表测出待测电阻两端的电压U,则R=U/I.为了减小实验误差,一般利用滑动变阻器改变电流和电压,进行多次测量求出R的平均值. 相似文献
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伏安法测电阻实验是电学中一个重要实验,其原理是测出待测电阻两端的电压及通过待测电阻的电流,利用部分电路欧姆定律求出待测电阻的阻值。但是在实际测量时由于电流表、电压表内阻的影响,我们不能同时测出待测电阻两端电斥和通过其电流的真实值,所以测量结果存在一定的系统误差。虽然我们可以估算待测电阻的大小而采用电流表内接法或外接法, 相似文献
3.
田兰芹 《中学生数理化(高中版)》2010,(11):90-90
初中物理课本介绍了用伏安法测电阻,即用电压表测待测电阻两端的电压,用电流表测通过的电流,测出了电压和电流就可以用欧姆定律公式计算出电阻值,这种测量电阻的方法叫做伏安法. 相似文献
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1.伏安法测电阻测量的基本原理是部分电路欧姆定律:通过一段导体的电流强度I与加在导体两端的电压U成正比,导体的电阻R=U/I。若能测得U、I的值,即可由上式计算出导体的电阻R。伏安法测电阻的电路分为内接法和外接法两种,电路如图1所示。内接法:安培表测的是真实电流,而伏特表测得的电压是Rx与安培表串联后的总电压,大于待测电阻两端的电压,故电阻的测量值大于真实值。实质上测的是串联电路(Rx与安培表串联)的总电阻。若要减小误差,安培表的分压作用应尽量小,故待测电阻应远大于安培表的内阻,即大电阻用内接法。外接法:伏特表测的是真实电压,而安培表测得的电流大于流过待测电阻的电流,是并联电路的总电流,故电阻的测量值小于真实值。若要减小误差,伏特表的分流作用应尽量减小,故待测电阻应远小于伏特表的内阻,即小电阻用外接法。如果未知电阻的阻值大概范围不知道,可采用试触法进行选择,电路如图2所示。将伏特表一端断开,分别与a、b两点接触,观察两表的变化情况,让变化大的表测量真实值,即安培表变化大用内接法,伏特表变化大用外接法。如果待测电阻的阻值大概可知,那么可将其与RA、Rv的比值进行比较。若Rx/RARx/RV,则Rx相当于大电阻,... 相似文献
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1.伏安法测电阻测量的基本原理是部分电路欧姆定律:通过一段导体的电流强度I与加在导体两端的电压U成正比,导体的电阻R=U/I。若能测得U、I的值,即可由上式计算出导体的电阻R。伏安法测电阻的电路分为内接法和外接法两种,电路如图1所示。内接法:安培表测的是真实电流,而伏特表测得的电压是Rx与安培表串联后的总电压,大于待测电阻两端的电压,故电阻的测量值大于真实值。实质上测的是串联电路(Rx与安培表串联)的总电阻。若要减小误差,安培表的分压作用应尽量小,故待测电阻应远大于安培表的内阻,即大电阻用内接法。外接法:伏特表测的是真实电压,而安培表测得的电流大于流过待测电阻的电流,是并联电路的总电流,故电阻的测量值小于真实值。若要减小误差,伏特表的分流作用应尽量减小,故待测电阻应远小于伏特表的内阻,即小电阻用外接法。如果未知电阻的阻值大概范围不知道,可采用试触法进行选择,电路如图2所示。将伏特表一端断开,分别与a、b两点接触,观察两表的变化情况,让变化大的表测量真实值,即安培表变化大用内接法,伏特表变化大用外接法。如果待测电阻的阻值大概可知,那么可将其与RA、Rv的比值进行比较。若Rx/RARx/RV,则Rx相当于大电阻,... 相似文献
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华庆富 《数理化学习(初中版)》2015,(3):24-27
伏安法测电阻的原理是R=U/I,我们在进行该实验探究时,就是要想法测出待测电阻两端的电压U和通过它的电流I,根据R=U/I计算出待测电阻的阻值.为了减小误差,我们采用串联滑动变阻器,改变电压和电流,多测几次计算出同一个电阻测量值的平均值.这是伏安法测电阻的常规思路与方法.不过,在实际操作过程中,我们遇到的不仅仅是常规的测量,还会有与常规测量不一样的情形,下面我们就全面了解一下与伏安 相似文献
9.
华庆富 《数理化学习(初中版)》2013,(3):40-41
伏安法测电阻是指用电压表测出电阻两端的电压U,用电流表测出通过电阻的电流I,根据R=U/I求出被测电阻的阻值.实验中除了需要测量仪器电压表、电流表外,还要用到待测电阻、开关、导线以及保护电路和改变电阻两端电压达到多次测量求平均值减小误差的滑动变阻器.实验电路如图1所示.在我们实际进行操作时,我们完全可以以此为模型,进行适当的变换,对待测电阻的阻值进行测量. 相似文献
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该采集器采用8位AVR芯片MEGA88V微处理器。它具有高性能极低功耗的特点。采集器在正常工作模式和掉电模式定时切换运行,大部分时间处于掉电模式运行,很大程度地降低了功耗。因功耗很低,供电采用蓄电池供电,克服近距离取市电困难的缺点。温度采集采用温度传感器和精密电阻串联的工作方式,通过热敏电阻分得的电压根据欧姆定律换算为电阻值．再通过电阻一温度特性表查表获得温度值。由于热敏电阻感应-15度到315度的宽温度范围．为了增加采集精度。采用两段不同阻值精密电阻分段采集。温度数据使用红外脉宽编码方式定时主动传输,并使用软件产生38K调制载波增加收发距离,实现了高压带电设备内无线温度数据检测。该采集器已投入实际运行。 相似文献
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本文首先基于三相静止坐标系的典型控制方案与基于d-q同步旋转坐标系的矢量控制方案作了比较,然后运用功率平衡的原理对本文给出的矢量控制方案进行了系统设计,并在此基础上提出一种前馈控制策略并进行了仿真验证。 相似文献
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径向模式振动的压电变压器是由硬的压电材料建成,具有较高的机械品质因数Qm,它是沿厚度方向极化。首先根据压电变压器等效电路模型图建立压电变压器的动力学模型,根据各个负载电阻,测定的电压升压比,输出功率,效率方面的电性能,得出电压升压比与负载电阻成比例地增大,之后对不同厚度的压电变压器进行Comsol仿真,对比得出最优的压电变压器。后通过MATLAB仿真得出电阻最佳时,效率达到最大可以达到90%,升压比为1.5,对这些结果进行比较,从等效电路的分析计算,得出他们有很高的效率和稳定性,可以解决原有卫星推进器效率低、不稳定的状况。 相似文献
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利用变阻器通过分压限流电路可以控制电路中电压和电流的变化。对滑线变阻器在控制电路中的不同接法和特点进行了探讨。 相似文献
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介绍VI—200系列DC/DC功率变换模块,并以应用电路为例,叙述该模块调整输出电压时对应外接电阻的计算方法。 相似文献
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基于阈值电压的负温度特性以及热电压的正温度特性,给以适当的权重后把它们相加,提出了一个零温度系数的基准电压电路。该器件由工作在亚阈值区的CMOS晶体管组成,不包含电阻和双极晶体管。采用3支路电流基准结构替代共源共栅结构和嵌入式运算放大器,具有芯片面积小和功耗低的优点。仿真结果表明,在标准0.18μmCMOS工艺下,该电路可在0.75 V电源电压下工作,输出电压为563 mV。在-40~125℃范围内,电压温度系数仅为17.5×10^-6/℃。电源电压范围在1.2~1.8 V时线性灵敏度为569.5×10^-6/V,电源抑制比可达到66.5 dB@100 Hz,最高功耗仅为187.4 nW。 相似文献
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陈廷侠 《新乡师范高等专科学校学报》2004,18(2):19-21
根据夹断电压能确定可变电阻区与饱和区的分界点,使场效应管可靠地工作在饱和区的原理。研究了夹断电压的测试问题,介绍了测试场效应管夹断电压的方法,进而找出预夹断电压,由此即可确定场效应管的饱和区。 相似文献
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High resistance thin film chip resistors(0603 type) were studied,and the specifications are as follows:1 k? with tolerance about ±0.1% after laser trimming and temperature coefficient of resistance(TCR) less than ±15×10-6/℃.Cr-Si-Ta-Al films were prepared with Ar flow rate and sputtering power fixed at 20 standard-state cubic centimeter per minute(sccm) and 100 W,respectively.The experiment shows that the electrical properties of Cr-SiTa-Al deposition films can meet the specification requirements of 0603 type thin film chip resistors when the deposition time was about 11 min and deposition films were annealed at 500 ℃ for 120 min.The morphologies of Cr-Si-TaAl film surfaces were examined by scanning electron microscopy(SEM).The analysis suggests that Ta and Al may be distributed in CrSi2 film with mixed form of several structures(e.g.,bridge-like,capillary-like or island-like structures),and such a structure distribution is responsible for high film resistance and low TCR of Cr-Si-Ta-Al film. 相似文献
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介绍了一种测量谐振系统对地电容的新方法,首先向谐振系统中性点注入一定宽度、一定幅值的方波脉冲信号,再测量系统某一电气量（如中性点电压）的振荡频率,求得系统对地电容.本文通过理论分析得出了对地电容的算法,并对方波宽度和幅值做了约束.最后通过计算机仿真分析了阻尼电阻和中性点偏移电压对测量振荡频率的影响,提出了消除影响的措施. 相似文献
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Sameen Ahmed Khan 《Resonance》2012,17(5):468-475
It is straightforward to construct the set of equivalent resistance for circuits constructed from a bunch of four or five equal resistors. But as the bunch size increases it becomes difficult to find the order of the set of equivalent resistances. Even the computer programs runs out of memory. Here we present an analytical result using simple mathematical machinery. The size of the set is shown to be less than 2.618 n . 相似文献