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1.
当导体在施感电荷作用下发生静电感应而达到平衡状态时，导体内部的场强处处为零，导体表面附近的场强方向处处与导体表面垂直。这里的场强是施感电荷和感应电荷共同产生的总电场的强度。这一点是常考的知识点之一。有关这方面的题型可归纳如下： 1.由施感电荷的场强求感应电荷的场强 例 1.一电量为 q的正点电荷与导体球的球心相距为 d，如图 1所示，求球面上的感应电荷在球体内离球心为 r的 p点产生的场强。 解：因为导体球内 p点的场强为零，即正点电荷在 p点产生的场强和球面上感应电荷在该点产生的场强等值反向，所以球面上… 相似文献
2.
刘英杰 《天津成人高等学校联合学报》2005,7(2):67-70
汽车上用电设备的增加给汽车电源及供电系统带来巨大的压力，采用高压(42V)电源将成为未来汽车电源发展的必然趋势。在满足大功率负载要求的同时，新型智能功率半导体器件DC--DC可与现有汽车用电设备电压标准(14V)匹配，实现车用供电系统智能化管理，节约电源资源，降低制造和使用成本。 相似文献
3.
《中国教育技术装备》2001,(3)
日本半导体开发企业与筑波大学共同开发出高性能的图像压缩及放大技术。利用这种技术可比传统的MPEG2图像压缩技术做出的图像画质更清晰,嵌入该技术的大规模集成电路(LSI)成本将下降一半。使用该种 LSI 的娱乐设备及信息终端将在2001年10月推出。这种图像压缩技术名叫“RAPIC”,静止图像和动画的压缩范围在1/20～1/100,利用了“适应性正交变换”原理。它可强化文字和动画的边缘轮廓。与静止图 相似文献
4.
陆懋清 《河北工业大学成人教育学院学报》1994,(3)
一个半径为 R 的带电球导体静电平衡时,球内、外的场强为 E 内=0,E 外==(1/4πε_0)(Q/r~2)r_0(R,∞)。球内、外场强分布是不连续的,那么球面上的场强应该如何呢?同样情况长园柱导体带电时表面的场强又多大呢?(一)带电球导体表面的场强:(1)应用"挖补法"计算:静电平衡时带电球导体所带电量 Q 均匀地分布在外表面。在球面上挖去一个面积元ΔS,而在ΔS 外侧附近取一点 P(见图一)则 P 点的场强 E_P应为ΔS 面积元电荷在 P 点产生的场强 E_1和挖去ΔS后所剩下的球面电荷产生的场强 E_2的矢量迭加。即: 相似文献
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概述了几十年来集成电路基本单元CMOS晶体管特征尺寸的缩小以及由此带来电路性能的提高和出现的问题。其主要的挑战集中在研发成本的上升、能耗的增大和可靠性问题。阐明了驱动CMOS晶体管尺寸缩小的原因除了技术进步，更在于电路可售出成本的下降。 相似文献
6.
刘英杰 《天津职业院校联合学报》2005,7(2):67-70
汽车上用电设备的增加给汽车电源及供电系统带来巨大的压力,采用高压(42V)电源将成为未来汽车电源发展的必然趋势。在满足大功率负载要求的同时,新型智能功率半导体器件DC—DC可与现有汽车用电设备电压标准(14V)匹配,实现车用供电系统智能化管理,节约电源资源,降低制造和使用成本。 相似文献
7.
《高教探索》1991,(4)
高等学校与企业界携手合作,这是当前世界高等教育的共同趋势。一、高校与企业在高技术方面的合作将日益加强高技术企业的发展需要大批高级专门人才和大量的新技术,而高等学校是智力密集、人才荟萃的地方。这里聚集着大批的高技术人才。因此,高技术企业一旦与高校开展合作,取得高校的智力资源,它将如虎添翼、发达兴旺。众所周知,美国的硅谷是世界著名的高技术工业区,这里集中了8000家技术密集型公司,生产全美国半导体集成电路的1/3,导弹和宇航设备的1/5,电子计算机的1%,全年的总产值达400亿美元,其中高技术的总产值为115亿美元,居美国第一位。硅谷的半导体集成电路、计算机、军事电子系统和设备、精密仪表等制造、研究水平处于世界领先地位。硅谷还是袖珍计算器、电子 相似文献
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《中国科教创新导刊》2001,(1):43
日本NEC公司日前宣布半导体制造技术的0.1微米工艺已被该公司突破。它在世界上率先研发成功的0.095微米的半导体工艺技术将应用于大规模集成电路，并且将于2001年5月推向市场。与以往采用0.13微米工艺技术制造的旧产品比较，采用0.095微米工艺技术制造的新产品的集成化程度提高了19倍，可以节省电能30％，并且能够获得1千兆赫的运行速度。这对于高速大容量通信系统和对节电要求很高的移动设备来说，具有极其重大的应用价值。因此，专家们认为，半导体工艺0.1微米的突破将对互联网的发展产生巨大的推动作用。NEC公司表示将在3类半导体产品中优先采用0.095微米工艺技术，这3类产品包括大容量通信终端与生成图形用的高速型半导体产品、普及互联网及数字信息家电用的高密度型半导体产品及移动设备用的低耗能型半导体产品。 相似文献
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吕方锦 《中小学实验与装备》1994,(5)
我教《导体、绝缘体和半导体》一课的前后钟祥市丰乐小学吕方锦（４３１９０６）《导体、绝缘体和半导体》是小学自然第六册中的一节实验课、它要求教师在指导学生认识导体、绝缘体和半导体材料性能的同时向学生进行安全用电教育。为达到以上教学目的，我根据教材和儿童认... 相似文献
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《大学.研究与评价》2014,(12)
正西安三茗科技有限责任公司(以下简称"三茗科技")创立于1998年,是一家专业从事新型信息安全类别计算机系统/数据快速恢复产品的研发、生产、销售、服务以及产、学、研相结合的高新技术软件企业。公司软件研发中心现有专业技术人员50余名,是一支勇于进取、经验丰富(尤其是BIOS层开发)的创新型团队。公司成立16年来,一直坚持自主知识产权创新,现拥有14项国家发明专利、1项实用新型专利、2项集成电路布图设计登记、200余项计算机软件著作权、10余项商标(其中2项 相似文献
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《大学.研究与评价》2014,(10)
正西安三茗科技有限责任公司(以下简称"三茗科技")创立于1998年,是一家专业从事新型信息安全类别计算机系统/数据快速恢复产品的研发、生产、销售、服务以及产、学、研相结合的高新技术软件企业。公司软件研发中心现有专业技术人员50余名,是一支勇于进取、经验丰富(尤其是BIOS层开发)的创新型团队。公司成立16年来,一直坚持自主知识产权创新,现拥有14项国家发明专利、1项实用新型专利、2项集成电路布图设计登记、200余项计算机软件著作权、10余项商标(其中2项 相似文献
14.
《中国科教创新导刊》2001,(1)
日本研发成功0.095微米技术 日本NEC公司日前宣布半导体制造技术的0.1微米工艺已被该公司突破。它在世界上率先研发成功的0.095微米的半导体工艺技术将应用于大规模集成电路，并且将于2001年5月推向市场。与以往采用0.13微米工艺技术制造的旧产品比较，采用0.095微米工艺技术制造的新产品的集成化程度提高了19倍，可以节省电能30％，并且能够获得1千兆赫的运行速度。这对于高速大容量通信系统和对节电要求很高的移动设备来说，具有极其重大的应用价值。因此，专家们认为，半导体工艺0.1微米的突破将对互联网的发展产生巨大的推动作用。… 相似文献
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袁克勤 《赤峰学院学报(自然科学版)》2008,(4)
全球汽车半导体面临极大的市场机会,但设计工程师同样面临成本、功耗、安全性等多方面的技术挑战.本文以可接收和发送数据的最新智能应答器为例,向汽车设计工程师介绍了在汽车无线接入系统设计中解决这些挑战的技术方法. 相似文献
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岳喜成 《南阳师范学院学报》2004,3(12):28-31
离子注入聚合物(在一定的能量和一定的剂量)，可引起聚合物电导率增加几个到十几个数量级。利用这个特性，可制作导电图样，制作连线，制作P型半导体材料和N型半导体材料，制作P-N结，制作二维和三维集成电路互连接。离子注入聚合物还使聚合物的颜色加深，光吸收增加，可制作有机太阳能电池。 相似文献
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具有高出光性能、良好的控光角度和均匀度的灯具光学器件是灯具设计师一直追求的目标。灯具光学器件的发展已经从球面,非球面发展到自由曲面等新型器件,在性能上也在原来的设计基础上得到很大的突破。在大口径、大尺寸的光学器件中使用罗纹透镜能够在满足相同光学性能的基础上具有更薄更轻的优点,成为汽车车灯等灯具的重要器件。 相似文献
18.
自然界中的物质,根据其导电性能的差异可划分为导电性能良好的导体、几乎不能导电的绝缘体和半导体,本文介绍了半导体材料的发展与应用。 相似文献
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陈向群 《数理天地(高中版)》2011,(12):44-45
题在一个开有小孔的原来不带电的导体球壳的中心点D,有一个点电荷＋Q,球壳内、外表面是同心球面,半径分别为“和6,如图1所示．若将电荷Q通过小孔缓慢地移到无穷远处,需做多少功？ 相似文献
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１教具工作原理 利用大功率三极管具有光敏和热敏的特性，通过调整多用电表不同的量程，测量半导体光敏和热敏的电效应特性．２半导体光、热电效应演示板示意图 示意图如图１所示，其中主要器材为Ｊ０４１１多用电表、Ｊ２３６线路实验板、３ＤＤ２１Ｃ三极管． 说明：（１）三极管外的铁壳要去掉，露出半导体． （２）多用电表的正负极分别接上半导体的ｂ、ｅ极． （３）单刀双掷开关Ｓ２的作用是控制Ｌ１的亮度．３教具的主要特点 （１）充分利用物理实验室现有的器材． （２）综合演示多个实验，效果明显． （３）操作方便，可提供教师课… 相似文献