首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
《科技风》2017,(8)
二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移率和量子阱深度的影响。器件仿真结果表明:在HEMT器件中插入薄AlN间隔层可以增加载流子浓度和迁移率,并加大了导带不连续性。另外,器件的电子迁移率在AlN厚度为0.2nm时取得最大值,而载流子浓度和漏电流随AlN层厚度增加而持续上升。  相似文献   

2.
《中国科学院院刊》2009,(5):549-549
微电子所微波器件与集成电路研究室HBT超高速电路小组刘新宇研究员和金智研究员等研制成功两款基于Ium GaAs HBT工艺的8-bit超高速直接数字频率综合器(Direct Digital frequency-Synthesizer,DDS)芯片DDS1和DDS2。  相似文献   

3.
随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。  相似文献   

4.
半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。  相似文献   

5.
《科学中国人》2010,(2):56-56
近日,毫米波GaN功率器件在中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)研制成功。 GaN器件和电路是一直是国内外的研究热点,在光电子和微电子领域有着广阔的应用前景。  相似文献   

6.
<正>集成电路(简称IC)是使用晶体管组装成单芯片电路,通过照相平版印刷技术,把大量的微电晶体集成一个很小的芯片。由于成本低、性能高且能量消耗低,使得集成电路产业急速成长。整个电子工业,尤其是使用小型电子装备的,如计算机、电讯、生物科技、太空、国际贸易等,都离不开集成电路。  相似文献   

7.
一、引言在绝缘衬底上生长单晶硅(Silicon-on-Insulator,简称SOI)的技术是80年代倍受青睐的一项微电子先进技术。其近期目标是制造超高速和抗辐照的高可靠集成电路,并广泛地用于制造新颖的传感器件。其远期目标是立体的高集成度三维集成电路,透明绝缘衬底上生长的硅单晶膜,在平板显示和大面积图象敏感器件等方面也有诱人的前景。  相似文献   

8.
王晓亮,1963年生,博士生导师,中科院半导体研究所研究员,西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授,中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长,中国电子学会理事,砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室、电子物理与器件教育部重点实验室学术委员会委员,全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会委员。  相似文献   

9.
超导电子学是超导物理与电子技术相结合的一门交叉学科,以超导微观理论和多种量子效应为基础,以Nb基超导薄膜为主要材料体系、以约瑟夫森结、超导平面微纳结构为主要结构单元,可形成无源器件、微波有源器件、传感器/探测器等多种超导电子学器件和电路,在噪声、速度、功耗、带宽等方面具有传统半导体器件和电路无可比拟的优势,在极高限灵敏度探测、量子信息处理、量子计量、高性能计算和前沿基础研究等领域可发挥不可替代的作用。然而高性能超导器件和电路西方国家一直对我国实施严格的禁运。  相似文献   

10.
<正>靶材是集成电路制造溅射用材料,主要应用于电子及信息产业,如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等,也可应用于玻璃镀膜等领域。靶材主要以铝靶、钛靶、钽靶、铜靶等为主,纯度要求远远高于常规合金要求。铝钪合金是继铝锂合金之后的新一代铝合金结构材料,在航天、核能和舰船等国防军工尖端领域具有广阔的应用前景,也常常用于制备铝钪合金靶材。  相似文献   

11.
《中国科学院院刊》2008,23(2):180-181
分子电路是指在分子层次上构筑的电子器件及其集成电路,是后摩尔时代接替硅基电路最受关注的方向之一。电阻转变型双稳态材料的存储特性在信息存储以及存储器方面有着非常广阔的应用前景,是一种天生的存储材料。  相似文献   

12.
GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机。  相似文献   

13.
砷化镓集成电路(GaAsIC)是微电子发展的重人新领域。本文将介绍其特点、主要方向和用途。重点介绍砷化镓集成技术基础研究对发展我国GaAsIC的重大意义。国家自然科学基金委员会安排“砷化镓集成电路基础技术研究”重大项目,其目的是研究国际上正在发展的第二代砷化镓集成技术——难熔栅全离子注入集成技术,为发展砷化镓超高速集成电路微波单片集成电路打下牢固的基础。  相似文献   

14.
《中国科学院院刊》1992,(4):348-350
李建明男31岁.1984年毕业于北京师范大学,1987年在北师大低能核物理研究所获硕士学位.现为中国科学院半导体研究所副研究员.主要从事半导体材料和离子注入工艺方面的研究.在硅材料表面改性和缺陷本征吸除两项属前沿性应用研究中取得有重要意义的创造性成果.对用于制造超大规模集成电路的直拉硅材料研究,发现向硅中注入氢形成的缺陷具有很高的热稳定性.据此,研制出了一种直拉硅表面迁移率提高25%的新型硅材料,具有国内外最高的表面霍尔迁移率,达1760cm~2/v·s.这种材料对超大规模集成电路的制作和提高硅集  相似文献   

15.
光纤通信系统超高速集成电路设计   总被引:4,自引:0,他引:4  
简述了光纤通信的发展、相关的协议与标准、系统的组成;各种工艺 的发展和对超高速集成电路的影响;光纤传输系统中关键集成电路的工作原理和电路技术。 探讨了中国发展超高速集成电路的方向。  相似文献   

16.
<正>电子具有电荷和自旋两个重要属性,传统的半导体器件仅利用了电子的电荷属性,稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋属性,成为未来半导体自旋电子器件的关键材料之一。人们期望通过对稀磁半导体材料的研究获得具有非易失、多功能、超高速和低功耗等特性的半导体自旋器件,这对材料和信息技术领域都将是一场质的革命。从上世纪80年代末90年代初,人们就开始关注Mn掺杂III—V族稀磁半导体材料,如(In,Mn)As和(Ga,  相似文献   

17.
胡亚  吴嗣亮 《科技通报》2012,28(2):69-73
飞速发展的宽带数字接收机技术的瓶颈是实现器件的低速处理能力不能适应超高速ADC产生的超高速数据速率,常用的基于多相滤波的数字信道化方法和数字下变频方法形成的较低数据速率不能适应对宽带信号的处理。本文提出了用多路并行的方式将大规模FPGA内相对丰富的资源在低速率下合并为超高速处理的方法。在现有的工作速率为500 MHz以下的FPGA器件上实现了4.8GHz的超高速混频和超高速滤波,可满足信号带宽500 MHz的实时处理需求。  相似文献   

18.
正出版社:电子工业出版社出版时间:2014-02-01ISBN:9787121219634所属分类:图书电子与通信基本电子电路《实用电子学原理与故障诊断(第8版)》是国外一本介绍电子学及故障诊断的入门生教材与专业图书,介绍了模拟器件、电路和系统,给出了模拟电子学领域的许多通用数字技术。书中实物图片丰富、题型多样,且不要求读者具有高深的数学知识。  相似文献   

19.
集成电路测试仪可用来测量集成电路的好坏,在电子实验室中应用广泛。本文主要研究了集成电路测试仪电源电路的仿真设计,探讨了EDA技术的应用,EWB软件在集成电路测试仪电源电路的使用。  相似文献   

20.
超高速数字分幅相机目前广泛应用于光谱学、光电子学、爆炸研究、材料科学、非线性光学、医学、冲击波研究等各种领域.因此,超高速数字分幅相机的研制具有重要意义.在超高速数字分幅相机系统设计中,相机的CCD驱动电路和图像采集系统设计是很重要的一个部分.本设计基于SONY公司的CCD芯片ICX205AK,采用Xillix的FPGA芯片XC3S1500成功设计该CCD驱动电路和图像采集系统,并对设计进行功能仿真.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号