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分析了AlGaN/GaN HEMT器件的结构及特性,2DEG的浓度与器件的电学特性的关系。在仿真软件ATLAS上构建器件模型,对器件的转移特性和输出特性进行了模拟仿真,并对仿真结果进行分析。 相似文献
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高迁移率GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)结构材料在基础物理研究和新型器件及电路的应用方面有十分重要的意义。低温电子迁移率μ超过10~6cm~2/V·s的2DEG材料可用于研究分数量子霍尔效应。高迁移率和高载流子面密度的2DEG材料可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMT)、超高速数字集成电路(VHSIC)和微波毫米波单片集成电路(MIMIC)等超高频、超高速微电子器件和电路,它们被广泛应用在雷达、制导、电子对抗、光纤通讯和数字微波通讯等领域。 相似文献
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采用了雷-丁平衡方程描述GaN/AlGaN中2DEG系统,总结GaN基异质结中2DEG的散射机制,主要的散射机制有电离杂质散射、压电散射及合金无序散射等。分析了各散射机制对2DEG输运的影响。 相似文献
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GaN(氮化镓)时代即将到来
在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料.以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为直接跃迁半导体材料,包括AlN、GaN和InN及以此为基础的三元合金AlGaN、InGaN、四元合金(AllnGaN)材料.…… 相似文献
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随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 相似文献
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《黑龙江科技信息》2017,(16)
半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。 相似文献
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制备了结构为ITO/NPB(40 nm)/DPVBi(d)/CBP:Ir(piq)3(15 nm,6%)/Bphen(40 nm)/Mg:Ag(200 nm)的有机电致发光器件。通过改变DPVBi蓝光层的厚度,研究了厚度对器件电致发光性能的影响。结果表明,蓝色荧光层厚度为5 nm时,器件性能较大;继续增大蓝光层厚度,器件性能降低。 相似文献
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《科技通报》2017,(7)
在工业半导体制造业中,伴随微电子器件尺寸不断缩小及集成程度的提高,对制作电子器件的半导体材料性质的检测是不可或缺的。因此文中提出在不同调制频率下对半导体载流子输运特性进行分析并研究它与时域曲线的关系。首先,利用自由载流子吸收检测技术,根据半导体原料中的自由载流子对光吸收的性质获取吸收系数,并通过该系数得到载流子浓度比例,运用调制激励光改变载流子浓度,依据载流子吸收光的特性再次调制探测光明确载流子输运参数;其次,运用调制载流子对光的吸收作用获取的输入参数,通过仿真实验利用输入参数中的载流子寿命、扩散系数和表面复合速度等因素,在不同频率下分析载流子输运特性与时域曲线的关系。实验证明,利用该技术能够较好地分析载流子输运特性对时域曲线的影响。 相似文献
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采用分组实验的方式研究粘接件的施胶厚度对粘接强度的影响。通过制作不同胶层厚度样件,在其它参数相同的条件下,粘接件的连接强度随胶层厚度的增加而降低;而基材间的粘接破坏形式,随胶层厚度的降低,粘接接头所能承受的剪切力随胶层厚度的增加而增大。此结论可为轨道交通领域粘接件的工艺参数的制定作为指导。 相似文献
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利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。 相似文献
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正专家简介:谢自力,南京大学电子科学与工程学院教授,南京南大光电工程研究院有限公司总经理。主要从事氮化物半导体材料MOCVD生长、器件结构设计、GaN基紫外光电探测器和太阳电池的结构设计与器件研发工作。"九五"期间,曾任原"863"计划半导体材料领域GaAs单晶材料评审专家。在InN材料、GaN基紫外探测器、InGaN太阳能电池研究以及氮化物发光二极管研究等领域分别取得了国际先进水平的研究成果。 相似文献