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GaN(氮化镓)时代即将到来
在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料.以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为直接跃迁半导体材料,包括AlN、GaN和InN及以此为基础的三元合金AlGaN、InGaN、四元合金(AllnGaN)材料.…… 相似文献
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半导体照明已成为光电转换效率最高的人工光源,节能效益显著.氮化物半导体材料与器件是半导体照明的"核芯",实现超高能效发光器件是国内外半导体照明研发和产业界追求的目标,对掌握半导体照明科技制高点和产业主导权意义重大.
在国家重点研发计划"战略性先进电子材料"重点专项"超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究"项目(项目编号:2017YFB0403100)的支持下,由中国科学院半导体研究所牵头的项目团队依据半导体照明光源全技术链展开,系统突破材料、芯片、封装与光谱技术,在掌握载流子复合规律基础上建立高效器件模型,通过高质量外延材料提升内量子效率,通过芯片和封装设计提升光提取效率,通过光谱匹配实现高效白光器件,并取得了一系列重要进展. 相似文献
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新一代半导体材料新贵GAN 总被引：1，自引：0，他引：1
6aN（氮化镓）时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中，GaN（氮化镓）系材料日益成为世人瞩目的焦点，并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料， 相似文献
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GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机。 相似文献
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专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。 相似文献
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<正>半导体,与计算机、原子能、激光科技并称为当代科技文明标志性四大领域。半导体科技经过约70年的发展,科学理论不断完善,材料器件应用日益广泛,已经成为世界各大国强盛的战略根基。我国科技界将半导体材料体系的拓展称为三代半导体,也就是硅或锗基、砷化镓或磷化铟基、氮化镓或碳化硅基材料三大体系。基于这三代（类）半导体形成的大规模集成电路与计算机技术、高速光纤通信与互联网技术、高功率电力电子与能源技术等诸多重大战略应用价值方向,不断推动现代信息技术、能源技术以及人工智能技术的进步和发展。 相似文献
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在南昌国际展览中心举办的博览会主馆入口处，一个长7．68米、宽3．84米的硅衬底LED全彩显示屏吸引了众多参观者的目光。这个显示屏就是由晶能光电（江西）有限公司制造的。晶能光电拥有的硅衬底GaN基LED材料与器件技术是一种改写半导体照明历史的颠覆性新技术，具有原创技术产权，而南昌大学“半导体照明技术”教育部创新团队正是这项技术的研发者。 相似文献
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赵凡 《科技成果管理与研究》2010,(8):F0003-F0003
LED照明是一种节能环保的新型照明技术，1986年，日本名古屋工业大学发明了生长GaN（氮化镓）的新方法，GaN基材料和器件很快成了研究的热点。在国内，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室于1990年筹建金属有机化合物气相沉积实验室， 相似文献
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以"十三五"国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项实施方案与绩效评价为基础,根据"卡脖子"技术的基本属性,总结分析"卡脖子"技术的研判方法,梳理和分析第三代半导体材料、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料等四个方向存在的"卡脖子"技术典型案例,并初步探讨"十四五"期间破解先进电子材料领域"卡脖子"技术的对策. 相似文献
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中科院上海微系统与信息技术所 《中国科学院院刊》2016,31(Z2):101-107
超导电子学是超导物理与电子技术相结合的一门交叉学科,以超导微观理论和多种量子效应为基础,以Nb基超导薄膜为主要材料体系、以约瑟夫森结、超导平面微纳结构为主要结构单元,可形成无源器件、微波有源器件、传感器/探测器等多种超导电子学器件和电路,在噪声、速度、功耗、带宽等方面具有传统半导体器件和电路无可比拟的优势,在极高限灵敏度探测、量子信息处理、量子计量、高性能计算和前沿基础研究等领域可发挥不可替代的作用。然而高性能超导器件和电路西方国家一直对我国实施严格的禁运。 相似文献
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<正>专家简介:张凤鸣,现任南京日托光伏科技有限公司董事长。兼任国际半导体设备与材料协会中国光伏太阳能标准化委员会核心委员、中国物理学会表面界面专业委员会委员、《中国物理快报》特约评审专家、国家自然科学基金委员会评审专家。中组部"国家千人计划"特聘专家、国际电工委员会光伏能源系统中国专家组成员、南京市人民政府"留学归国创新创业十大领军人才"。研究领域包括 相似文献
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专家简介：陆建钢,上海交通大学光电材料与器件中心副研究员。主要从事液晶材料与光电器件研究。研究领域包括聚合物蓝相液晶材料与器件,三维显示光学系统,集成式微结构光子器件,与触摸式及非接触式交互系统等。几年来,在相关领域发表期刊与会议论文60余篇（SC论文22篇）,国际国内专利100余项。科技人才最重要的价值体现在他们的创造价值上。 相似文献
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硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材料研究的纵深发展,出现了发光强、稳定性好的硅基多孔SiC蓝光发射材料和发光波长范围宽的纳米半导体镶嵌SiO_2发光材料。硅基镶嵌纳米发光材料是一个富有活力,有应用前景的研究领域。 相似文献