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新一代半导体材料新贵GAN 总被引：1，自引：0，他引：1
6aN（氮化镓）时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中，GaN（氮化镓）系材料日益成为世人瞩目的焦点，并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料， 相似文献
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正宽禁带(一般指禁带宽度2.3eV)半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮。其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。回顾历史,20世纪50年代中期出现Si C晶体生长的第1个专利。2007年美国Cree公司成功制备直径100mm的SiC零微管衬底,而后推出二极管产品并在技术和应用层面取得了长足进展。GaN也是跨世纪期间方有较快发展,1993年GaN外延蓝光二极管研制成功,1996年白光LED诞生并迅速 相似文献
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GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机。 相似文献
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<正>半导体,与计算机、原子能、激光科技并称为当代科技文明标志性四大领域。半导体科技经过约70年的发展,科学理论不断完善,材料器件应用日益广泛,已经成为世界各大国强盛的战略根基。我国科技界将半导体材料体系的拓展称为三代半导体,也就是硅或锗基、砷化镓或磷化铟基、氮化镓或碳化硅基材料三大体系。基于这三代（类）半导体形成的大规模集成电路与计算机技术、高速光纤通信与互联网技术、高功率电力电子与能源技术等诸多重大战略应用价值方向,不断推动现代信息技术、能源技术以及人工智能技术的进步和发展。 相似文献
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材料是社会科学技术进步的物质基础与先导,一种新材料的发展,往往导致一场技术革命。当代,材料、能源与信息一起被公认为现代文明的三大基础支柱。哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院副教授宋波近年来一直从事宽禁带半导体材料的研究,先后主持国家自然科学基金、科技部国际重大合作、总装预先研究等项目,主要开展光电功能晶体GaN（氮化镓）、AlN（氮化铝）的生长和物性研究。他敏锐地意识到, 相似文献
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《科技风》2017,(8)
能够实现热能和电能转换缓解能源紧张问题的热电材料已经被公认,为了提高材料的热电性能,最重要的是提高材料的热电优值。这里采用合金化来优化GaN的热电性质。主要采用基于密度泛函理论计算的软件VASP和基于玻尔兹曼理论的BoltzTraP软件对GaN以及Al_(0.25)Ga_(0.75)N进行了计算。通过计算得出GaN及其合金Al_(0.25)Ga_(0.75)N的能带结构,电导率,功率因子,塞贝克系数,热电优值。P型GaN的ZT在1100K时达到了0.039,P型的Al_(0.25)Ga_(0.75)N的ZT值在1100K时达到了0.661。Al_(0.25)Ga_(0.75)N的热电优值明显高于GaN的热电优值,合金化可以优化GaN的热电性质。 相似文献
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正专家简介:谢自力,南京大学电子科学与工程学院教授,南京南大光电工程研究院有限公司总经理。主要从事氮化物半导体材料MOCVD生长、器件结构设计、GaN基紫外光电探测器和太阳电池的结构设计与器件研发工作。"九五"期间,曾任原"863"计划半导体材料领域GaAs单晶材料评审专家。在InN材料、GaN基紫外探测器、InGaN太阳能电池研究以及氮化物发光二极管研究等领域分别取得了国际先进水平的研究成果。 相似文献
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赵凡 《科技成果管理与研究》2010,(8):F0003-F0003
LED照明是一种节能环保的新型照明技术，1986年，日本名古屋工业大学发明了生长GaN（氮化镓）的新方法，GaN基材料和器件很快成了研究的热点。在国内，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室于1990年筹建金属有机化合物气相沉积实验室， 相似文献
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氮化镓，是直接带隙半导体材料，在室温下有很宽的带隙（3.39eV）。它在光电子器件如蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用。本文系统地介绍了氮化镓的各种制备方法，对其结构和性能关系的研究,揭示了它在半导体领域广泛且重要的应用前景。 相似文献
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