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1.
《商丘师范学院学报》2000,(4)
该文作者为商丘师范学院物理系王明泉教授和中国矿业大学张学龙教授 ,全文发表于中国自然科学核心期刊《ＡｃｔａＭａｔｈｅｍａｔｉｃａＳｃｉｅｎｔｌａ》1999,19(5 ) :5 6 4- 5 6 8。近些年来 ,共振透射现象引起了人们的广泛关注 ,通过对共振透射的理论研究 ,对分析透射系数随能量的变化关系、估计共振能级、制造共振隧道器件都具有十分重要的意义。本文根据量子力学路径积分理论 ,研究了三重势垒量子阱结构的散射问题 ,严格导出了透射系数和散射系数以及共振隧道条件。并且 ,通过对三重势垒散射问题的研究 ,提供了研究多势垒量子阱结构… 相似文献
2.
房丽敏 《辽宁科技学院学报》2007,9(1):33-35
通过数值自洽求解定态的维格纳方程和泊松方程,计算了一维多势垒结构偏压隧道电流,讨论了共振隧穿结构参数(量子阱宽度)连续变化对其电流特性的影响.数值模拟结果给出这类电子器件的量子极限--可观察到共振隧穿现象的量子阱宽度的限度. 相似文献
3.
邓浩亮 《天津工程师范学院学报》2013,(1):50-53
采用多量子阱载流子动力学模型,研究载流子热迁移对多量子阱发光性质的影响。随着温度的升高,多量子阱中的载流子被热激发到势垒层中,一部分载流子会被基态能量更低的量子阱再俘获,即载流子在不同的量子阱之间发生了热迁移。研究表明:在不同温度下,量子阱发光强度比依赖于量子阱的激活能;发光强度比的峰值温度主要由深量子阱的激活能决定;峰值大小则取决于两阱的激活能之差。 相似文献
4.
本文利用(左、右垒高不等)有限量子阱模型研究了电场对G_aA_s/G_(a_1)-xAl_xA_r量子阱中子带的影响,采用级数展开法和微扰论求得子带能及其波函数。已经计算了阱宽为D=105(?)的G_aA_s/C_(ao·66)Al_(0.34)A_s量子阱中的电子和轻、重空穴的子带,电场在0至1.2×10~5V/cm范围内的情况。由子带能移的数值结果比无穷势垒模型的计算结果好,体现了有限势垒模型比无限势垒模型好得多。 相似文献
5.
文军 《渭南师范学院学报》2012,(2):48-51
超晶格由两种不同晶体材料交替生长的具有周期性结构的多层薄膜构成,两种材料的"势垒—势阱"结构就是量子阱.通过理想的无限深势阱模型,讨论了施加磁场作用的超晶格中单量子阱束缚态的能级结构和态密度,得到了体系的本征能量与本征函数.分析表明,沿超晶格生长方向能级不受外加磁场影响,垂直于超晶格生长方向以ωc为回旋频率的谐振运动,超晶格量子阱量子化能级高度简并,简并度和外加磁场成正比. 相似文献
6.
使用宏观连续介电方法研究了量子点一量子阱中的界面声子模.对不同阱宽的ZnSeQD-QW结构进行计算取得了具体结果.发现界面声子的本征频率依赖于量子点一量子阱的阱宽度.角量子数越小的界面模能量越依赖于阱的宽度. 相似文献
7.
双势垒结构散射问题的路径积分方法 总被引：1，自引：0，他引：1
王明泉 《商丘师范学院学报》1995,(Z2)
本文采用量子力学路径积分方法，从理论上研究了双势垒结构的散射问题，严格的导出了透射系数和反射系数，得到了双势垒结构的共振隧道条件．所得结果均与波动量子力学结论相同． 相似文献
8.
郑允宝 《广东技术师范学院学报》2009,(3):1-3,32
主要研究了一个特殊非对称量子阱中的三次谐波。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了量子阱中的三次谐波表达式，然后以典型的非对称量子阱材料为例作了数值计算。数值结果表明，入射光强以及系统的非对称性对三次谐波的改变有较大影响，从而为实验研究提供理论依据。 相似文献
9.
利用传输矩阵法理论,通过数值计算、模拟的方式,研究优化光子晶体量子阱透射能带结构的方法,结果表明：适当调整光子晶体的周期排列结构时,可拓宽光量子阱阱层光子晶体的能带,即可扩大光量子阱透射谱分布的频率范围;当组成光子晶体介质由双正材料置换成双负材料时,光量子阱阱层光子晶体的多能带结构合并成很宽且完整的单能带结构,即可使光量子阱透射谱实现连续频率分布的多通道滤波功能.光子晶体排列结构和不同介质对光量子阱透射能带结构的优化效果不同,对光子晶体量子阱的理论研究、实际设计和应用等,均有积极的指导作用. 相似文献
10.
11.
对4个MTS810上测试摩擦系数的工装进行简介,比较分析了各自的优缺点. 相似文献
12.
吴顺唐 《常熟理工学院学报》2001,15(4):9-12,15
证明了当非齐次浑系数线性微分方程组（1）中的函数F（x)为某个常系数齐次线性微分方程组的解时，可以用待定系数法求出（1）的一个特解。这个方法要比一般教材中所用的常数变易法简单得多。 相似文献
13.
考虑电子有效质量及禁带宽度随流体静压力的变化,讨论有限深量子阱中电子的基态能.对GaAs/ALxGa1-xAs量子阱系统中电子的基态能进行了数值计算,给出基态能随铝组份,阱宽和压力的变化关系.结果显示,基态能随阱宽和压力的增加而减小,随铝组份增加而增大. 相似文献
14.
15.
葛婕 《新疆职业大学学报》2011,19(2):25-29
依据陕西省2002年和2007年投入产业表,分别计算出各自的影响力系数和感应度系数。通过对两组数据进行分析和比较,最终确定出陕西省的主导产业,为决策机构制定相关产业政策提供可靠依据。 相似文献
16.
刘光达 《广东广播电视大学学报》2011,20(6):106-108
当整系数多项式的最高次项系数和常数项的因子比较多时,需要检验该多项式有理根的个数也较多,过程比较复杂。然而通过几则判据,先把不是该多项式的有理根给筛选掉,再把剩下可能的有理根逐个进行检验,这样就可简化整系数多项式有理根的检验过程。 相似文献
17.
对超薄液膜润滑的磁头磁盘系统的动特性进行了分析．在薄膜润滑模型中考虑了在高剪切率条件下剪薄效应对流体的流变特性的影响．应用修正后的雷诺方程描述磁头、磁盘界面的润滑模型,应用摄动理论建立界面间的动压力方程,并应用差分法对静、动压力方程进行了求解．对液体润滑的ＩＢＭ３３７０磁头磁盘系统的静动态特性进行了数字仿真．仿真结果表明液体润滑的磁头、磁盘系统有较理想的承载刚度,磁头的浮飞高度可较稳定的控制在２０ｎｍ,从而满足高密度磁记录系统的要求． 相似文献
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19.
用热力学方法,应用实验结果研究了RK方程中RK系数随温度改变及其对氧气的内能、焓等热力学性质和摩尔热容量之差的影响。结果表明,氧气的状态应当用实际气体的状态方程例如RK方程描述,不同温度下的采用相应的RK系数才能更加符合实际;当温度很低例如低于临界温度时,两种不同的RK系数导致的相关结果相差很大;当温度高于300K时,两种不同的RK系数导致的相关结果的差异可忽略不计。 相似文献
20.
研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。 相似文献