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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
基于密度泛函理论研究了吸附Ti原子的石墨烯纳米带(Ti@GNR)的电子结构及其在储氢方面的应用.计算结果表明:Ti原子的部分电子转移到石墨烯纳米带的π*电子态形成激化电场,由于激化电场的作用使得氢气和Ti@GNR之间的作用力增大;同时Ti原子的d态电子和氢气的σ电子形成杂化也使氢气的吸附能增大.进一步研究表明,Ti原子在GNR上不容易形成金属团簇.  相似文献   

2.
选用非金属材料塑料和硅橡胶,组合成一维二元声子晶体匀直杆状结构。通过单一改变结构中非金属材料塑料的密度或者硅橡胶的密度,寻找单一材料密度变化与声子晶体杆禁带特性的关系。结果表明:当选取塑料密度为1190kg·m-3、硅橡胶密度为1300kg·m-3,晶格常数为0.3m,两种材料组份比相同时,一维二元非金属塑料/硅橡胶声子晶体存在低频禁带带隙,第1禁带起始频率为43.07Hz、禁带带宽为33.09Hz,第2禁带起始频率为99.84Hz,第2禁带带宽为52.49Hz;当单一改变塑料的密度,随着密度由小到大线性增加,结构第1带隙的起始频率由66.58Hz逐步减小到34.04Hz;第1带隙的截止频率为76.17Hz,保持不变,带隙宽度展宽;当单一改变材料硅橡胶的密度时,随着材料硅橡胶的密度由小到大线性增加,第1带隙的带宽由109.894HZ减小为18.3748Hz。对于一维二元非金属型声子晶体,选用密度更小的非金属材料与密度更大的非金属材料组合,更容易获得低频宽带带隙。另外,基于密度变化的同时还可以通过改变结构晶格常数的取值来获得更为理想的声子晶体禁带带隙。  相似文献   

3.
通过单一改变组分材料铝或者铅的密度,以及单一改变晶格常数的取值来调节一维铝/铅匀直杆状声子晶体的带隙分布情况。结果表明:该声子晶体中,当单一增大每种材料的密度时,散射体与基体材料的密度差值增大,其入射波散射就更为强烈,也就越容易产生低频带隙;当单一增大声子晶体的晶格常数,即增加复合结构的长度时,入射波散射得就越多,透射波就越来越少,该声子晶体带隙便呈现出向低频率区域靠近的特性。  相似文献   

4.
在考虑电子与LO声子和电子与SO声子相互作用情况下,采用微扰法研究圆柱形自由抛物量子线中极化子效应.计算量子线中两种声子对极化子自能和电子有效质量的影响.结果表明:随着量子线半径的减小LO声子对极化子自能和电子有效质量的影响相对小些,而SO声子对极化子自能和电子有效质量的影响却显著增加.  相似文献   

5.
利用形变势模型分析了单层碳纳米管中的电子和长波声学声子的相互作用,并且利用费米黄金规则计算了金属单层碳纳米管的电子弛豫时间和平均自由程。计算结果表明,弛豫时间与温度成正比,与半径成反比,所得结果与实验一致。  相似文献   

6.
用FDTD方法计算了二维情况下正方形复式晶胞光子晶体的光子特性.通过光子能带结构、光子态密度的分布以及沿гX方向透射特性的计算,发现透射谱光子带隙的位置与能带结构符合的很好.光子态密度的分布也表明在带隙范围内态密度为零,而且我们计算的带隙比平面波展开法给出的带隙大.  相似文献   

7.
依据群论与量子理论,利用对称性分析的方法探讨了具有D3d对称性构型的BzH6分子的声子间耦合及其杨一泰勒畸变.研究了B2H6分子的电子态与声子态的对称性以及其活跃的声子态,导出了B2H6分子的eg声子间耦合的CG系数计算公式,在此基础上进一步计算出了这些CG系数值.接着又分析了B2H6分子的杨一泰勒畸变方向及其基态能级的分裂,发现B2H6分子的杨一泰勒畸变方向是D3d→C2h畸变导致B2H6分子的二重简并的能级发生分裂,因此其能级的简并性因畸变而被完全消除.  相似文献   

8.
本文用平面波方法,研究了Pb圆柱体在epoxy基体中按周期性排列时的弹性波带结构,研究发现弹性波在将质量密度较大的介质柱嵌入质量密度较小的基体构成的声子晶体中将有完全带隙出现.  相似文献   

9.
Fano效应是介观体系中一种重要的量子现象,它源于局域态与扩展态之间的量子干涉行为.通过共价键并苯分子可连接到锯齿型石墨烯纳米带而构成全碳分子器件.随着分子长度增加,扩展态可逐渐向费米面靠近并转换为局域态,进而在局域态附近观测到Fano效应.通过施加门电压,可有效调控Fano效应,并在费米面处可获得具有正/负100%的自旋极化率的半金属性质.  相似文献   

10.
基于第一性原理的方法,从原子层面上研究了锯齿型石墨烯纳米条带与碳链以及石墨烯纳米片组成的一维碳基纳米材料的自旋热电性能.研究发现在费米面处自旋向下的传输函数压抑至零,而自旋向上的传输函数大约为0.25,具有理想的半金属性质.另外声子部分热导明显小于对应的电子部分热导.同时低温区域(80 K附近)自旋Seebeck系数明显得到加强,导致了电荷和自旋热电品质因子接近40.并且在室温区域,自旋热电品质因子明显大于对应的电荷热电品质因子.  相似文献   

11.
采用第一原理研究了Au在ZnO两个极性表面(0001)-Zn和(0001)-O的吸附,分析了单层Au吸附在ZnO极性表面上的态密度和吸附构型.计算结果表明:ZnO极性表面上单层Au吸附层能提高Zn原子在(0001)-Zn和(0001)-O面上的吸附能分别0.41 eV/原子和0.42 eV/原子;同时Au吸附层又比Zn吸附层更加活跃,总能计算可以看出Au处于顶端的构型比Au扩散构型更加稳定,使得Au恒处于顶端,很好的解释了Au在ZnO纳米结构生长过程中充当表面活性剂的角色.理论计算与实验中发现Au颗粒总是在生长出的纳米结构的末端这一现象吻合很好.  相似文献   

12.
利用密度泛函理论的赝势平面波方法对 Mg2Si 晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对电子结构、弹性常数与热力学性质进行了第一性原理计算.结果得到 Mg2Si 是一种带隙为 0.2846eV 的间接带隙半导体;其导带主要以 Mg 的 3p、3s 与Si 的 3p 态电子构成;弹性常量 C11= 114.39GPa、C12= 22.45GPa、C44= 42.78GPa;零温度与零压下的德拜温度为 676.4K.运用线性响应方法确定了声子色散关系,得到 Mg2Si 的等容热容、德拜温度、焓、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系.  相似文献   

13.
层状型的金属硫化物(SnS)1.2TiS2是一种新型的热电材料,其结构是由SnS层和TiS2层(一种自然超晶格)相叠加而形成.在这些热电材料中,发现了不同化合物的纳米化叠加态,由于这些沿层面叠加的超晶格的特殊性质,在不影响电子输运的情况下,可使声子的输运减小到最小,从而提升了材料的热电性能.计算了(SnS)1.2TiS2的电子结构与声子结构,通过对纯TiS2体材料与(SnS)1.2TiS2中的TiS2层的电子、声子结构的对比,证实了SnS插层对TiS2层的电子结构及电学输运性质影响很小.这些发现有利于提高层状材料的热电性能.  相似文献   

14.
提出了一种基于小波变换理论的超分辨率重建算法,即利用小波变换得到图像的高频和低频子带,结合非线性外推技术对高频子带进行处理,在增加高频子带信息量的同时进行迭代改进,并采用小波阈值方法进行去噪处理.实验结果表明:该算法能够克服以往插值算法的不足,如高频损失、细节模糊等,能很好地提高图像的峰值信噪比,是图像重建的一种有效方法.  相似文献   

15.
利用4×4传输矩阵法研究椭圆偏振光在反射型一维磁光光子晶体中的传输特性.设计一种反射型一维磁光光子晶体的结构模型,讨论反射光偏振态的磁场调控特性,分析外加磁场的强度和方向对反射光偏振态的影响.结果表明:改变外加磁场的强度和方向,磁光材料的介电常数发生改变;随着外加磁场强度的增大,磁光材料的相对介电常数ε_M中的ε_2的值在(0~0.009)变化,反射率逐渐增大,反射的椭圆偏振光的偏振态发生改变;随着外加磁场与光轴的夹角φ在(0°~90°)变化,反射率逐渐减小,反射的椭圆偏振光的偏振态发生改变;通过调节外加磁场的强度和方向,可以实现对反射椭圆偏振光偏振态的调控.  相似文献   

16.
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,研究了N掺杂SrTiO3体系的几何结构和电子结构.通过分析N位于不同掺杂位置的SrTiO3晶格几何结构和电子态密度的变化发现:N掺杂SrTiO3使得其晶格结构发生畸变,但是N杂质原子位于不同掺杂位置导致其最近邻原子的相对位置变化存在明显差异;N掺杂SrTiO3不仅导致其费米能级进入到价带中,而且使得其光学带隙窄化,从而提高了其光吸收性能.但是,位于不同掺杂位置的N杂质原子2P态电子对N掺杂SrTiO3体系整体电子结构变化的贡献作用明显不同,从而导致其光学带隙窄化程度存在明显差异.  相似文献   

17.
采用GGA-PW91方法计算了未掺杂时Al_2O_3晶体和不同电场下Al_2O_3晶体的能带结构、态密度,并计算了Sc掺杂Al_2O_3晶体的能带结构和态密度.结果表明:未掺杂时Al_2O_3晶体能隙值为6.639 6 eV;随着Z轴方向的外电场增大,Al_2O_3晶体能隙值逐渐变小;O 2s态和2p态的态密度跨度变大,并向低能带偏移;Al原子的3s、3p态的态密度低能带跨度变大,高能带向费米面偏移;Sc掺杂Al_2O_3晶体后能隙值变小,在高能区产生了新的能带并向费米面偏移.  相似文献   

18.
根据密度泛函理论,采用平面波赝势和广义梯度方法,对硫化钙晶体在0~ 200GPa压强范围内的电子结构与光学性质进行了第一性原理计算.得到零温零压下的原胞晶格常数a=4.029A,带隙为2.390eV;随着压强的增加,能带展宽、带隙逐渐减小到零,吸收光谱与反射光谱的峰值向高能量方向移动,即出现蓝移现象;150GPa为硫化钙晶体从半导体变为导体的临界压强.  相似文献   

19.
起粘结作用的薄膜结构厚度达到纳米尺度时,应用由微尺度观点建立的非傅立叶热传导模型分析其性能.文章采用纯声子散射模型分析绝缘薄膜结构的温度场和热应力,并与用在宏观尺度下的傅立叶热传导模型所得结果进行比较,同时研究绝缘薄膜结构热物理性能参数对温度场和热应力的影响.研究表明:采用纯声子散射模型分析结果与傅立叶热传导模型所得结果有明显区别,绝缘薄膜结构熟物理性能参数对温度场和热应力也有显著影响.  相似文献   

20.
利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对CdS晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对弹性常数与热力学性质进行了系统地计算.计算结果得到弹性常量C11=82.39GPa、C12=66.68GPa、C44=23.62GPa;零温度与零压下的德拜温度为204.9K;运用线性响应方法确定了声子色散关系,并得到CdS的等容比热容、焓、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系.科用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对CdS晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对弹性常数与热力学性质进行了系统地计算.计算结果得到弹性常量;零温度与零压下的德拜温度为204.9K;运用线性响应方法确定了声子色散关系,并得到CdS的等容比热容、烩、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系.  相似文献   

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