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《黑龙江科技信息》2016,(32)
稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员在ZnO基稀磁半导体材料的研究方面取得了丰硕的成果,但迄今为止所报导的结果大相径庭,仍然还有很多问题存在争议,尤其在磁性方面。常规的稀磁半导体制备方法,如磁控溅射和脉冲激光沉积技术等,均需要很高的生长温度,高生长温度容易催生颗粒在薄膜中的形成,但其低温下制备也难以保证薄膜的质量。运用等离子体增强化学气相沉积法制备稀磁半导体薄膜,具有无法比拟的优越性,对稀磁半导体的研究具有非常重要的学术意义和实用价值。 相似文献
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ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电,要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用,必须获得性能良好p型ZnO。然而,由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素,很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。 相似文献
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纳米ZnO在染料敏化薄膜太阳电池中的应用 总被引：8，自引：0，他引：8
尝试使用溶胶 凝胶法制备的纳米ZnO作为光阳极制作染料敏化薄膜太阳电池 ,并讨论了电池的性能 ,与染料敏化纳米TiO2 薄膜太阳电池作了比较 ,探寻利用纳米ZnO薄膜半导体材料作为光阳极的可行性 相似文献
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碲锌镉单晶体是近年发展起来的一种性能优异的三元化合物晶体材料,具有良好的光电性质,被广泛用于制作核辐射探测器、红外探测器外延衬底等而引起了越来越多的研究者重视。研究碲锌镉晶体生长方法,对于低成本制备大体积、高质量的碲锌镉单晶体具有重要意义。数值模拟的发展,加深了对各种生长碲锌镉单晶体技术的认识,对加大碲锌镉单晶生长及应用的研究具有重要的意义。 相似文献
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《科技通报》2017,(3)
为了能细致的研究ZnO基半导体异质结构纳米材料的实用价值,采用实验方式制作功效不同的ZnO异质结构纳米材料,并对该材料的可控合成过程及光电学性能进行研究。首先,采用化学溶液法制备尺寸可控的ZnO纳米球团聚体,以间接法提取高纯度ZnO粉体作为制作复合颜料的基体;其次,在ZnO粉体中加入适量的纳米SiO_2颗粒,构成二者混合粉体,高温下用纳米SiO_2颗粒对混合粉体进行良好包裹并充分发生固相反应;最后形成ZnO基异质结构纳米材料Zn_2SiO_4,并对该异质结构材料的可控合成过程进行分析。实验结果表明,不同热处理温度下ZnO基半导体异质结构纳米材料对太阳辐射吸收率不同,且当Zn_2SiO_4含量增加的时,该纳米材料对应的光学性能随着发生明显的改变。 相似文献
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氧化锌,已在许多领域有了广泛应用,但它作为半导体发光用途,却是一种新型光电材料,有许多科学难题亟待深入研究解决。三月的一天,记者来到坐落于杭州西子湖畔的浙江大学玉泉校区。见到浙江省特级专家、浙江大学求是特聘教授叶志镇之前,我们了解到,他二十多年如一日,坚持在氧化锌(ZnO)材 相似文献
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概述准一维纳米结构材料包括纳米管、纳米线和纳米棒通过多种方法已经被成功制备出来,其独特的物理化学特性,在微电子器件方面有很好的应用前景,现在已经成为物理化学研究者争相研究的热点。ZnO是重要的Ⅱ－Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体氧化物,其禁带宽度为3．37eV,激子结合能（60meV）,具有较高的化学稳定性,适宜用作室温或更高温度下的可见和紫外光发射材料。因此,合成准一维ZnO纳米结构及其性质研究迅速受到了科学工作者的广泛关注。基于气－固（VS）和气－液－固（VLS）生长机制,各种形貌的准一维ZnO纳米结构已经被国际上著名的纳米小组报道过,包括纳米带,纳米线阵列,单根纳米线器件,单晶纳米环,超品格纳米弹簧,纳米盘,微米棒等等。 相似文献
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<正> 人工晶体作为一门科学,它包括材料制备科学、晶体生长机理、新晶体材料的探索和晶体的表征等方面,充分体现了材料科学、凝聚态物理和固体化学等多学科交叉的特点。 中国现代人工晶体的研发起步较晚,20世纪五十年代后期有较大的发展。目前,主要依靠自己的技术,几乎所有重要的人工晶体都已成功地生长出来,许多晶体的尺寸和质量达到了较高水平,享誉国际市场,如,偏硼酸钡(BBO),三硼酸锂(LBO),锗酸铋(BGO),磷酸钛氧钾(KTP)等,其中BBO和LBO都是由我国首先研制出来的,用下降法大规模生长BGO,用助熔剂法批量稳定生长KTP的技术也是由我国首先 相似文献
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非线性光学材料是在激光问世以后才迅速发展起来的一类新型功能材料。其品种繁多,涉及若干无机和有机晶体、块状和薄膜状的半导体以及液晶和聚合物等材料形态。单是无机非线性光学晶体就有上千种。非线性光学材料在现代科学技术中,特别是若干军事和 相似文献
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我国第一台激光分子束外延设备研制成功 总被引：2，自引：0，他引：2
激光分子束外延是近几年才出现的一种新型高精密制膜技术,它集普通脉冲激光沉积(PLD)的特点和传统分子束外延(MBE)的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体,不仅可以生长通常的半导体超晶格材料,尤其适于制备多元素、高熔点、复杂层状结构,如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子材料等薄膜,同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。因此,激光分子束外延具有重要的学术意义和广泛的应用前景。 相似文献
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沈德忠（1940-）,贵州贵阳人。人工晶体专家,中国工程院院士。沈德忠院士长期从事无机非金属功能晶体材料的探索、生长及应用研究,先后研究生长出铌酸钾（KN）、磷酸钛氧钾（KTP）等十多种晶体,成功地解决铌酸钾晶体生长过程中的赋色、开裂以及晶体应用过程中的定向、极化等一系列难题,研制出大尺寸高光学质量的单畴铌酸钾单晶, 相似文献