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1.
梁飞 《渭南师范学院学报》2013,28(9)
采用废弃塑料作为碳源,正硅酸乙酯作为硅源,硝酸铁为催化剂,通过溶胶—凝胶和碳热还原法制备碳化硅纳米颗粒.采用XRD、TEM和VNA对所制备碳化硅纳米颗粒的结构、形貌和吸波性能进行了分析研究.结果表明,所得碳化硅纳米颗粒直径约为10～60 nm,当碳化硅纳米材料厚度为3mm时,在8～13 GHz的反射衰减小于-5 dB,最大值为-8.91dB. 相似文献
2.
在室温条件下,采用洋葱表皮作为内外模板,以Zn(NO3)2·6H2O、Pb(NO3)2和Na3PO4·12H2O为原料,一步合成纳米磷酸锌和纳米磷酸铅,利用XRD、SEM等手段表征其结构和形貌。实验结果表明:内外双模板分别得到的是不同形貌的纳米磷酸锌和纳米磷酸铅产物。 相似文献
3.
以La2O3、Eu2O3、浓HNO3、氢氧化钠、Na VO3、无水乙醇、一缩二乙二醇为原料,采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)辅助水热法合成了La VO4:Eu3+纳米晶,并用X粉末衍射(XRD)、透射电镜(HRTEM)、红外光谱(IR)和荧光光谱(FL)对产品进行了表征和分析。测试结果表明,球状La VO4:Eu3+纳米晶在620nm处有较强的红光发射,溶液p H影响La VO4:Eu3+纳米晶的色纯度和发光强度,其中p H为5时样品的绿色纯度最好,而p H为8时的绿光发射最强。 相似文献
4.
通过Raman光谱、紫外-可见透射光谱技术及原子力显微镜对非晶碳化硅薄膜结构和光学特性的热退火效应进行了研究。结果表明,碳化硅拉曼谱带随退火温度的增加而逐渐红移和尖锐化,显示了薄膜中晶化有序度的提高。退火后薄膜包含大量紧凑的纳米团簇,膜面相对于未退火样品较为粗糙。根据紫外-可见透射光谱导出的光学带隙从原始样品的1．86eV连续增加到经1050℃退火样品的2．23eV。碳化硅薄膜中纳米团簇的形成及其晶化程度的增加导致了薄膜光学带隙的蓝移效应。 相似文献
5.
兰建祥 《数理化学习(高中版)》2005,(2)
化学测试题中常常出现有关“类盐”与水反应的问题,现将其归纳、整理如下: 1.卤素互化物:如IBr H20=HIO HBr,ICI HZO=HIO HCI,IFS 3H20=HI03 SHF. 2.非金属元素的卤化物:如pC13 3H20=H3p03 3HCI,pC15 4HZO=H3po; SHCI,PI3 3 H20=H3PO3 3HI,BC13 3H20=H3 B03 3HCI. 3.某些金属卤化物:如SIC14 3H20=HZSIO3 4HCI,GeC14 3HZO=HZGeO3 4HCI,SnC14 4H20二H4SnO4 4HCI,SnC12 H20=Sn(oH)CI土 HCI,SbCI, H20=SboCI工 ZHCI,BIC13 H20=BIOCI上 ZHCI. 4.某些金属硫化物:如CaS H20二Ca(OH):4 HZS… 相似文献
6.
白艳玲 《中学课程辅导(初三版)》2004,(8)
初中化学用语中各种数字所代表的意义不尽相同。学生往往会因为不理解符号表示的意义而难以回答,下面用拟人的方法帮助大家理解它们的意义。1.左边站的是微粒的个数:1)元素符号左边站的是几,表示几个某原子。如:2H系数“2”表示2个氢原子2)化学式左边站的是几,表示几个某分子。如:2H2O系数“2”表示2个水分子3)离子符号左边站的是几,表示几个某离子。如:2Fe3 系数“2”表示2个铁离子2.右脚下踹的是一个分子中所含的原子个数:如:H2O中H右下角的“2”表示一个水分子中含有2个氢原子。3.头上顶的是元素的化合价:如:H2O中O头上顶的“-2”表… 相似文献
7.
以硅酸钠为硅源,蔗糖为碳源,硫酸为催化剂,采用溶胶-凝胶法和碳热还原反应合成碳化硅(Si C),并用X射线粉末衍射(XRD)、N2吸附-脱附和场发射扫描电子显微镜(FESEM)等手段对产物进行表征。实验结果表明,碳化硅试样具有典型的介孔材料特征,改变硫酸与蔗糖添加量可以调控和优化产物结构;当反应物配比n(C):n(Si):n(S)=3.00:1:0.44时,可制得比表面积为235 m2·g-1、孔体积为0.46 cm3·g-1的碳化硅。 相似文献
8.
吴芳芳 《渭南师范学院学报》2013,28(6):119-122
以氯化铜(CuCl2.2H2O)和尿素为原料,用水热法合成CuO微纳米结构材料,并对制备的微纳米CuO的结构及形貌进行了X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱仪(IR)分析,对产物进行表征及分析,并探讨了纳米结构CuO的生长机制.结果表明:通过简单改变反应溶剂,成功实现了CuO微纳米形貌的调控.当反应溶剂为水体系时,产物尺寸为40 nm且比较均匀,得到的产物为单斜晶相的纳米CuO,具有工业化生产潜力. 相似文献
9.
生物分子与纳米技术 总被引：1，自引：0，他引：1
杜占文 《中国科教创新导刊》2000,(10)
所谓纳米技术就是用以制备纳米级材料和制造纳米级微型机械的技术,这些令人惊奇的微型机械包括可以原子为材料制造物体的纳米级操纵装置,用来提取和纯化分子的纳米泵以及运行部件如原子大小的计算机。 如果说纳米技术早在 30亿年前就出现了,你一定不会相信。但从另一个角度讲,发生在生物体内的各种反应,如 DNA的复制、蛋白质的合成以及各种营养成份的吸收过程,都发生在纳米水平。而所有这些反应不仅在现存的高级生物体内存在,早在 30亿年前最低等的单细胞生物出现时这些过程就发生了。 纳米技术就是要仿照生物分子反应的过程来进… 相似文献
10.
综述了硅基发光材料的研究新进展,分别以发光多孔硅、多孔碳化硅、纳米硅薄膜和发光硅基超晶格为例,分析讨论了其制备、物理特性及发光机理. 相似文献
11.
陈城钊 《韩山师范学院学报》2004,25(3):61-64
采用氢等离子体加热的方法晶化a—Si：H薄膜制备多晶硅薄膜．用Raman散射谱进行结构表征和分析，研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响．结果表明，暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增大．提出了一个简单模型解释了这一现象， 相似文献
12.
为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火（RTA）技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响. 相似文献
13.
以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料,以Zn(CH3COO)2·2H2O2为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶（Sol-Gel)工艺制备了ZnO-SnO2薄膜;采用DTA-TG及XRD等分析手段研究了ZnO-SnO2薄膜的热分解和晶化过程,对ZnO-SnO2薄膜的结构进行了表征。研究了ZnO-SnO2薄膜的电学、气敏性能及机理。实验证明,ZnO-SnO2薄膜在常温下对H2S气体具有很好的气敏性能。 相似文献
14.
常亮亮 《商洛师范专科学校学报》2014,(2):40-44,52
以Sr（OOCCH3）2·H2O,Ti（OC4H9）4·Nb（C2H5O）5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3（SNTO）膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃／60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析：掺杂Nb^5＋能使SrTiO3转化为n-半导体。 相似文献
15.
以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺。STO薄膜的介电特性分析:在100 kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050。 相似文献
16.
A homogeneous crack-free nano- or meso-porous silica films on silicon was fabricated by colloidal silica sol derived by hydrolyzing tetraethyl orthosilicate (TEOS) catalyzing with (C4H9)4N OH- in water medium. The solution with ratio of H2O/TEOS≥15, R4N and glycerol as templates, combining with the hydrolyzed intermediate, controlled the silica aggregating; the templated silica film with heterostructure was developed into homogeneous nano-porous then meso-porous silica films after being annealed from 750 ℃ to 850 ℃; the formation mechanism of the porous silica films was discussed; morphologies of the silica films were characterized. The refractive indexes of the porous silica films were 1.256-1.458, the thermal conductivity < 0.7 W/m/K. The fabricating procedure and the sequence had not been reported before. 相似文献
17.
INDRODUCTIONMeso-poroussilicafilmswithanexcellentheat-insulatingpropertyandtherelativelylowdielectricvalueplayparticularlyimportantroleinelectronicandmagneticdevices(Moonetal.,1997),etc.;thosewithporesizesof5nmto50nmarealsoofinterestforapplicationsinphotonics,optoelec-tronics,lightweightstructuralmaterialthermalin-sulation,opticalcoating(Moonetal.,1997;HusingandSchulert,1998;Davis,2002).Theirspecialnetworkstructureisusedinsounddetector(HusingandSchubert,1998);theirexcellentinsulatingpro… 相似文献
18.
19.
采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明：沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β=0.22±0.023,对应有限扩散生长模式;Pg=300 Pa时,β=0.81±0.099,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为,表明：在微晶硅薄膜生长中还要考虑其它粗糙化因素（如阴影作用会增加薄膜表面的粗糙化程度,使生长指数β增大）. 相似文献
20.
In的掺杂对化学水浴沉积SnS薄膜电阻率的影响 总被引：1，自引：0，他引：1
SnS and SnS：In films were deposited onto glass substrates by chemical bath technique. The structure and surface morphology of the SnS：In films were studied by X-ray diffraction （XRD） and scanning electron microscope （SEM） respectively. Energy dispersive spectroscopy （EDS） showed the existence of In in the films. The undoped SnS film exhibited a rather high resistivity and InCl3 could reduce the resistivity of these films by two orders approximately. The band gaps of the SnS and SnS：In films were evaluated from the optical transmission spectra. 相似文献