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介绍了一种具有高线性度非对称式单刀双掷开关,本电路在传统对称式电路结构的基础上进行优化,对称式结构的其中一条支路上增加可变阻抗模块,这种非对称式结构可以满足开关在发射模式下对高功率处理容量的要求。该非对称式工作在15GHz时,在发射模式下,插入损耗为1.9dB,隔离度为18dB,输入1dB压缩点为26dBm,回波损耗S11、S22分别为-21dB和-18dB;在接收模式下,插入损耗为1.4dB,隔离度为21dB,输出1dB压缩点为7.6dBm,回波损耗S11、S22分别为-28 d B和-18dB。 相似文献
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根据工程需要,设计了一种双脊波导与微带线转换器。双脊波导采用非标准形式,利用λ/4单节阻抗变换器实现双脊波导与微带线之间的阻抗匹配,在微带线与双脊波导连接处进行了阶跃电容补偿设计。经过计算和仿真优化,在毫米波32.5GHz～36.7GHz的频段范围内,反射优于-20dB。 相似文献
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文章介绍了两款采用硅基工艺和SIW结构的带通滤波器。滤波器结构采用高阻硅作为衬底材料,通过金属通孔阵列形成微波滤波器谐振腔,输入输出采用共面波导-微带转换结构,易于外部集成,通过探针台可以进行快速测试;同时该滤波器尺寸较小而且易于加工。将第一款滤波器的模型在HFSS上进行了仿真分析得到结果,第二款滤波器在第一款的基础上增加阶数以提升滤波器的带外抑制性能。仿真数据说明,不同尺寸的两款滤波器的通带频率均是55 GHz～60GHz,插入损耗分别是1.7dB和2.1dB,驻波比低于1.1,在50GHz带外抑制分别达到31dB和62dB。 相似文献
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设计了一种改进的基于共面波导和带状线传输的超宽带平面巴伦.采用低介电常数材料作为介质基板,引入一段切比雪夫多节阻抗变换器,并改进了使共面波导两地等势的方式.这些措施有效地增加了工作带宽,降低了介质损耗.设计并制作了一种50Ω非平衡到100Ω平衡馈电转换的超宽带平面巴伦,在0.1~3GHz的频率范围内,测试得到的插入损耗小于1.5dB,输出端接匹配负载时电压驻波比小于2,实验结果和仿真结果吻合良好. 相似文献
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本文介绍了一种超宽带低噪声放大器的仿真设计,采用负反馈技术提高了工作带宽并增强了放大器的稳定性。通过ADS软件的仿真优化提高了设计效率,并进行了原理图-版图协同仿真验证。实验测试该超宽带低噪声放大器在0.1GHz～1.5GHz的带宽内增益大于30dB,增益起伏小于±1.8dB,噪声系数小于1dB,P1dB大于15dBm。 相似文献
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Ka波段脊波导到微带过渡器的设计 总被引：3，自引：0，他引：3
介绍了波导微带转换在微波应用中的重要意义,理论分析了波导到微带过渡的基础上,提出多节阶梯阻抗变换形式的过渡结构,并选用四分之一波长切比雪夫阻抗匹配的方法设计了波导-阶梯脊波导-微带过渡结构,并用高频仿真软件CST进行了仿真分析,经多次优化计算及多次调试,最终结果在28GHz～52GHz范围内插损小于0．4dB。其结构简单,易于加工,有一定的实用价值。 相似文献
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针对目前市面上大多数低通滤波器的截止频率低、难以满足毫米波频段的需求这一问题,设计了一款基于ADS的微带线低通滤波器.在微带线中根据高低阻滤波器原理,采用ADS对微带低通滤波器进行设计和优化仿真.仿真结果表明,所设计的低通滤波器通带内回波损耗小于-20 dB,插入损耗大于-1.3 dB,阻带(50 GHz～100 GHz)内插入损耗小于-20 dB,尺寸为2.5 mm×2.33 mm×0.508 mm.具有体积小、便于集成等特点,对毫米波频段的滤波器设计具有一定的借鉴价值. 相似文献
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设计并加工了一种平面结构的宽带水平极化全向天线,该天线由四个改进的弯曲偶极子加上各自的耦合单元构成。天线在水平面内能很好地实现全向辐射特性,在4.8～6.8GHz的频带范围内,回波损耗小于-10dB,水平极化不圆度小于±0.7dB,交叉极化优于-20dB。 相似文献
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X波段宽带低噪声放大器设计 总被引：1，自引：0，他引：1
介绍与实现了一种X波段宽带低噪声放大器（LNA）。该放大器选用NEC公司的低噪声放大管NE3210S01（HJFET）,采用微带分支线匹配结构和两级级联的方式。利用ADS软件进行设计、优化和仿真。最后研制的放大器在10-13GHz范围内增益为（21.5±1）dB,噪声系数小于2 dB,驻波比小于1.8。 相似文献
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文章介绍了一种基于波导-鳍线-微带线过渡的4路功率合成器结构,并通过Ansoft HFSS电磁仿真软件对其进行了仿真分析和优化设计。在整个X波段(8GHz～12GHz)内,功率合成器的插入损耗小于0.25d B,回波损耗大于-15d B,且通过加载微带扇形结构使同一平面上端口的隔离度大于8.5d B。结果表明,此结构在实现微波功率合成方面具有一定的应用前景。 相似文献
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论文提出了一种具有单层介质板结构的双极化槽型天线,结构简单,容易实现宽频带设计,比双极化多层微带天线更容易嵌入设备的机壳中。两个端口采用不同形式的馈电方式对天线进行馈电,能够保证天线单元具有良好的端口隔离效果。天线单元的-10dB带宽可达570MHz,端口隔离度抑制在-25dB以下,实现了宽频带小型化移动终端天线单元的设计。 相似文献
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本文讨论了一种低噪声放大器输入匹配设计结构，能够在低功耗约束的条件下实现最佳噪声和最大功率传输的同时匹配。本文基于0．35μmSiGeCMOS工艺采用该方法设计了一个1．5GHz的低噪声放大器，仿真结果表明在工作频率点噪声系数为0．39dB．增益为1456dB，输入输出匹配状态良好，工作电压为3．3V时，功耗为17．9mW。 相似文献