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相似文献
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1.
利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应.计算结果表明:磁场对量子环的能级曲线Enr,mt--r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失.能量曲线的极小值位置r∞随着B的增加而减小,随着mt增大而增大.能级随着谐振子势wh的增大而增大.不同能级曲线Enr,mt——wh出现交叉现象.当量子环较大时,E即%——B曲线.随磁场B增加线性上升,不同能级出现交叉现象.  相似文献   

2.
利用B样条技术计算强磁场下二维量子环在不同角动量下的能谱及其量子尺寸效应.计算发现:量子环的能量在环半径r0=r00时出现一个极小值,当r0相似文献   

3.
利用B样条技术计算类氢InAs类氢杂质量子环基态和激发态能级的量子尺寸效应.当抛物势ω=0和ω=50meV时,基态能量的计算结果为常数E0,0=-4.98meV;当r0=0时,且无类氢杂质时,计算结果和精确的理论计算结果完全一致;当量子环较小时,杂质的库仑势对量子环的能量曲线Enr,m——r0影响较大;当量子环较大时,杂质的库仑势对量子环的能量的影响越来越小,库仑项可以近似地作为微扰项来处理.抛物禁闭关联势-μω02rr0对量子环的能量起关键作用,绝对不可能作为微扰项处理.量子环的基态和激发态随着抛物势ω的增加而增大.保持径向量子数nr不变,小量子环的能级随着角量子数|m|不同而明显分开,简并被破坏;当量子环变大时,基态和激发态的能级都趋于简并.  相似文献   

4.
在有效质量近似理论下,利用变分法研究了外电场下圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(径向厚度、高度)、杂质位置以及外电场间的变化规律。结果表明:随着量子环径向厚度(高度)的增大,中心施主杂质束缚能先增大后减小,显示有一极大值;施加的电场明显地改变了量子环中电子波函数的分布,导致施主杂质束缚能相应的改变;施主杂质束缚能随杂质位置的变化呈现出规律性。  相似文献   

5.
用B样条技术计算H2+杂质半导体量子点激发态能级.计算结果显示:当两核距离D较小时,激发态能级E对两核距离D的变化很敏感;当两核距离D较大时,E——D曲线上升变缓,激发态能级对D的变化敏感度下降.基态1sσg和激发态2pσu2pπu3dσg3dπg所有E——R曲线随R的增大快速下降,量子尺寸效应显著.通常情况下,D越大,E——R曲线越高.但2pσu的E——R曲线很奇怪,曲线之间出现交叉现象.  相似文献   

6.
利用B样条技术研究GaAs量子环中类氢杂质能量的量子尺寸效应.对计算结果比较看到:无磁场情况,对于|m|=0,r0〈75 nm,抛物禁闭关联势可以近似作为微扰项来处理;对于|m|≥0,r0〈60 nm,不可以采用微扰法.当r0〉90 nm时,库仑势可以近似作为微扰项来处理,但误差很大.当磁场B增加时,类氢杂质能量的量子尺寸效应出现明显变化,当r0〉90 nm时,量子环中类氢杂质能量快速上升.  相似文献   

7.
在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反:体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。  相似文献   

8.
给出了单电子量子同心环基态能量E(0,0)随磁场和势垒的变化规律,并对变化规律进行分析.结果表明,单电子量子同心环基态能量随磁场增大而增大,由于磁场的存在,原来的基态能级分裂成三个能级.由于量子同心环中势垒的存在,使得单电子量子同心环基态能量增大,基态能量随势垒的增大而增大.  相似文献   

9.
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取三个不同的尝试波函数,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中离子施主束缚激子(D+,X)的束缚能随量子点高度L、In含量x及离子施主杂质位置z0的变化规律.计算结果表明:三个不同尝试波函数变分计算得到的束缚能随量子点高度L、In含量x及离子施主杂质位置z0的变化规...  相似文献   

10.
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取三个不同的变分波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随量子点高度L及杂质位置z0、p0的变化规律.计算结果表明:三个不同变分波函数计算得到的杂质态结合能随量子点高度L及施主杂质位置z0、p0的变化规律一致,但对比三个不同变分波函数计算所得结果可知,选取单参量的各向同性类氢波函数,杂质态结合能最大,基态能最低,按变分原理,表明备向同性类氢波函数能更好地描写柱形量子点中类氢施主杂质电子的运动,也表明小量子点(量子点的直径和高度可比)中类氢施主杂质态一定程度上的各向同性行为.  相似文献   

11.
在前人经验的基础上 ,通过分析晶体内部点阵点的电位与马德隆常数和阳离子有效核电荷数Z + ,以及阴离子所带形式电荷Z-的关系 ,改进了点阵能的计算公式为 :V0 =1389.75∑Z0 .80 61Z + · n Z-r0( 1- 0 .34 2r0)。{n =0 .2 5(Z+ - 1) 2 +2 }该公式具有参数易得 ,适用性广 ,计算误差小等优点。  相似文献   

12.
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。  相似文献   

13.
采用电磁诱导透明技术可以实现慢光速,其对应正常色散(dn/dω〉0或d ng/dω〉0),而采用电磁诱导吸收技术可以实现超光速甚至负群速,其对应反常色数(dn/dω〈0或d ng/dω〈0).目前慢光速和超光速的研究已成为相对论、量子力学、电子学和信息论等交叉学科的研究热点.  相似文献   

14.
引入相对距离R、相对势能U与相对力F,导出了米势的相对势能U(R)及其相应的相对力F(R)与参数n、m的关系,并精确地绘制了伦纳德-琼斯势的相对势能U(R)曲线及其相应的相对力F(R)曲线和平衡位置附近的近似相对势能U(X)曲线、近似相对力F(X)曲线.  相似文献   

15.
在Tris缓冲溶液(pH7.1)体系中,用荧光光谱技术研究水溶液中司他夫定与牛血清白蛋白的结合作用.结果表明,司他夫定对牛血清白蛋白内源荧光产生较强的荧光猝灭作用,根据不同温度下司他夫定对牛血清白蛋白的荧光猝灭作用,证明其为静态猝灭机制,运用位点模型计算出298K,310K时其结合常数KA(分别为1.01×10^4,4.17×10^4L·mol^-1)和结合位点数n(分别为0.99,0.93),根据热力学参数确定其作用力以氢键或VanderWall's作用为主;蛋白质变性剂尿素的存在导致上述荧光猝灭效率减少;运用FSster偶极-偶极非辐射能量转移原理,计算了司他夫定与牛血清白蛋白的结合距离r为3.79nm.  相似文献   

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