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相似文献
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1.
聚吡咯的制备及其电化学行为分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
建立了聚吡咯(ppy)的电化学制备方法,研究了阳离子对薄膜性质的影响,介绍了电极电位对薄膜中Li^ 含量的影响,在0.8V(vs.SCE)时电解各的乙腈溶液,可在Pt片电极表面获得聚吡咯薄膜,金属离子在薄膜上可以发生嵌入和脱嵌现象,在电极电位为-0.8V时,Li^ 的嵌入量最大,探讨了阴离子对薄膜的电化学行为的影响。  相似文献   

2.
准自由支撑铝薄膜系统的制备及其特征表面形貌   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用真空蒸发的方法在液体基底表面成功制备了具有自由支撑边界条件的金属铝薄膜系统,观察并研究了薄膜中的特征表面形貌。实验发现:铝薄膜中存在着由一块块近似为长方形的畴块连接而成的自薄膜边缘向薄膜内部区域生长的特征带状结构形貌;带状结构中畴块的最大长度和最大宽度均先随薄膜厚度的增加而增大,随后稳定变小。分析认为:这些现象是由于液体基底与固体薄膜之间的特征相互作用所致。  相似文献   

3.
应用Monte-Carlo方法模拟了伊辛薄膜,得到了薄膜的表面磁性,体磁性以及系统的磁化率与温度的关系曲线。根据模拟结果发现在大块材料的临界温度附近磁化率存在一有限峰;并且在系统温度大于大块材料的体监界温度时,进一步跟踪研究了薄膜上,下表面的磁化强度,由此讨论了其它文献中利用有效场理论处理薄膜的一些争议的问题。  相似文献   

4.
分光计的调整对椭圆偏振仪测量薄膜厚度和折射率的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
该文用了两个不同的薄膜样品,在两台不同的分光计上,用不同的入射角对薄膜的厚度和折射率进行了测量,并通过比较实验结果,说明了在用椭圆偏振仪测量薄膜厚度和折射率的实验中,分光计的调整对实验结果的影响是可以忽略的。  相似文献   

5.
分别在不同的衬底温度下制备了SiCN薄膜,首先用红外吸收谱(IR)研究了薄膜中各元素间的成键情况,然后用X射线衍射谱(XRD)分别研究了高温样品和低温样品的结构,得到了它们的结晶状况。利用这些研究得到了衬底温度对薄膜生长的影响。  相似文献   

6.
采用射频磁控溅射法制备纳米TiO2薄膜,并应用显微拉曼光谱和电子显微镜对薄膜进行微区光分析.通过拉曼光谱研究,一方面有力地揭示出TiO2薄膜的晶体结构,另一方面对薄膜的生长方式提供了线索.薄膜聚集点和平常点上有统一的相结构,电子显微镜观察结果显示薄膜致密均匀.  相似文献   

7.
根据无力矩理论采用材料力学的截面法对三个实例中回转薄壁壳体的经向薄膜应力作了分析和求解,并用弹性理论的计算结果进行了验证,从而说明回转薄壳薄膜应力材料力学解答的准确性。  相似文献   

8.
讨论了Si/SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制。半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性能,直接受到退火工艺的影响和制约,退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素,可能使得薄膜变成并不是所期望得到的结果。该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火,提高了退火可信度,使纳米复合薄膜的结果更可靠。  相似文献   

9.
高中物理第二册(必修)在223页指出:“当薄膜的厚度是入射光在薄膜中波长的1/4时,在薄膜的两个面上反射的光,路程差恰好等于半个波长,因而互相抵消。这就大大减少了光的反射损失,增强了透射光的强度,这种薄膜叫增透膜”  相似文献   

10.
在分析纯V2O5粉末为原料,H2O2为溶剂,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺,以无机途径成功制备了V2O3薄膜。研究了在不同衬底上制备薄膜的可行性及工艺过程,不同温度热处理及不同厚度V2O5薄膜的透射光谱及300℃热处理薄膜的温阻特性。实验发现在石英玻璃及普通载玻片上可制备均匀透明度的薄膜,100℃热处理的V2O5薄膜透光性能最好,而300℃热处理V2O5薄膜在紫外及近紫外线区(350nm-450nm)的吸收率最高。该工作对于V2O5光电薄膜的面积,低成本制备具有一定的参考价值。  相似文献   

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