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1.
江超 《成都航空职业技术学院学报》2012,30(1)
微流光纤器件是一种性能优良、应用广泛的集成光子器件.本文详细论述了飞秒激光脉冲在普通单模光纤和光子晶体光纤中制作微流光纤器件的方法,并对其应用进行概述与展望.随着飞秒激光精细加工技术的发展,将会制作出性能更加优良的微流光纤器件,推动集成光子学的进一步发展. 相似文献
2.
运用FDTD算法研究了含点缺陷的光子晶体波导的传输特性。首先分析了该波导的传输谱,然后动态模拟了光与波导相互作用的过程。结果表明在光子晶体波导中引入点缺陷有利于对光的控制,从而对光子晶体波导器件的设计有着一定的理论指导作用。 相似文献
3.
利用传输矩阵法理论,对双正、双负和单负介质构成的对称结构光子晶体能带谱进行了对比研究,结果得到：由不同介质材料构成的对称结构光子晶体,其能带谱存在很大的差异,其中以单负介质光子晶体禁带宽度最宽,双负介质光子晶体次之,双正介质光子晶体的禁带宽度为最窄;当周期数变大时,光子晶体禁带中的透射峰带宽均逐渐变小并趋于尖锐,且以单负介质的光子晶体透射峰带宽减小的速度为最快;介质厚度dB对单负介质光子晶体的调制效果要优于对双正和双负光子晶体的调制效果;入射角对单负介质光子晶体能带谱的影响要大于对双正和双负介质光子晶体.不同介质材料构成的对称结构光子晶体的这些光传输特性,可为镜像对称结构光子晶体的设计以及窄带或是宽带光子晶体光学滤波器件等提供理论指导. 相似文献
4.
用传输矩阵法理论,研究周期数对一维光子晶体量子阱透射谱的影响,结果表明:随着阱层或垒层周期数的增大,光子晶体量子阱的透射峰均变窄,且垒层周期数增大时透射峰变窄的速度快;垒层介质高低折射率比值越大,或垒层周期数增大,光子晶体量子阱的透射峰变窄速度越快。这些特性,对提高光子晶体光学滤波器件的品质有指导意义。 相似文献
5.
利用液晶热光效应的温度特性,并通过传输矩阵法理论,研究了液晶缺陷一维光子晶体的光传输特性。结果表明,当无液晶缺陷时,在较宽的禁带范围出现一条缺陷模,当在光子晶体中引入液晶缺陷时,禁带边缘通带的透射率大幅下降,同时禁带中增加了一条液晶缺陷模,形成双缺陷模特征,且透射率均为100%;随着液晶材料温度的增大,液晶缺陷模的位置向短波方向移动,而随着液晶层厚度的变化其位置向长波方向移动,但右边空位缺陷模的位置并未受到液晶温度和厚度的影响。液晶材料对光子晶体透射谱的这种调制作用,为设计可调谐光子晶体光学器件提供指导意义。 相似文献
6.
光子晶体光纤研究进展 总被引：2，自引：0，他引：2
岳香梅 《雁北师范学院学报》2005,21(2):6-8
光子晶体光纤是一种新型光纤，它与传统光纤相比具有不可比拟的优点，主要阐述光子晶体光纤的传输机理、研究类型以及制备工艺，并对其发展前景进行了展望． 相似文献
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采用传输矩阵法,通过编程计算模拟双负材料光子晶体(AB)mBCB(BA)m的透射谱,研究介质光学厚度对光子晶体带宽的调制机制,结果发现:当分别增大A或B介质层的光学厚度时,光子晶体的透射能带谱均向低频方向移动,且透射峰带宽均逐渐变窄,但透射峰的透射率保持100%不变;当C介质层光学厚度按负值减小时,光子晶体的透射能带谱则向高频方向移动,而透射峰的带宽也变窄且透射率保持100%;相对而言,B介质层光学厚度对带宽的调制最灵敏,A层次之,而C层最弱。介质光学厚度对双负材料一维光子晶体透射峰带宽的调制功能,为设计不同频率或波长范围的窄带滤波器、光开关等光学器件提供理论基础和现实指导意义。 相似文献
9.
阿不都热苏力 《喀什师范学院学报》2004,25(6):30-32
随着光电子技术和精密加工技术的快速发展,光电子元件的尺寸也越来越小,在制作这些元件的技术中,电子束刻蚀作为制备光子晶体最为稳定可靠的方法,其发展被人们所关注.为此介绍了用电子束刻蚀工艺制备二维光子晶体的方法. 相似文献
10.
张治国 《泉州师范学院学报》2001,19(2):15-20
介绍VMJ器件的结构和结果，并对器件的各种参数进行了详细的测算，同时分析了工艺条件对器件性能的影响，对器件窗口材料的选择也作了讨论。 相似文献
11.
在高分子基板上制作成的单膜全氟高分子波导结构,具有非热敏感性、偏振无关的工作特点,同时,在1310 nm、1550 nm工作波长分别有＜0.04和＜0.05 dB/cm的超低光损耗.本文研究了在器件制作过程中所产生的孔状结构对传输损耗的直接影响.实验证明,超低的传输损耗可以通过降低孔状结构的尺度至纳米范围来实现.这些波导结构可以成为新一代高性能集成高分子光子器件的技术平台. 相似文献
12.
表面等离子体激元研究进展 总被引：1，自引：0，他引：1
讨论了表面等离子体激元(SPPs)的特性参数,概述了它的激发方式及仿真方法,并对其形成、发展及若干重要应用进行了描述.旨在为全面认识表面等离子体激元和进一步研究亚波长结构中基于表面等离子体激元的纳米光子器件设计提供理论和实验应用依据. 相似文献
13.
强双光子技术在未来研究领域中具有强大的应用潜力，合成出新化合物3，9-二乙酰基-N-乙基咔唑，该化合物具有较大双光子吸收截面和强双光子性质，通过采用四因素三水平正交试验，得出最佳的工艺合成条件，放大10倍投料，计算收率为93．2％。 相似文献
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大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法. 相似文献
15.
阿不都热苏力 《喀什师范学院学报》2004,25(6):30-32
随着光电子技术和精密加工技术的快速发展，光电子元件的尺寸也越来越小，在制作这些元件的技术中，电子束刻蚀作为制备光子晶体最为稳定可靠的方法，其发展被人们所关注．为此介绍了用电子束刻蚀工艺制备二维光子晶体的方法． 相似文献
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用传输矩阵法研究一维异质结构光子晶体(AB)m(BC)nA(BC)n(BA)m的透射能带谱,结果发现:当光垂直入射到光子晶体时,在较宽的禁带范围内出现孪生透射峰,且结构周期对孪生透射峰有很好的调制功能,随着周期数n的增大,孪生透射峰的数目增多,随着周期数m的增大,各透射峰越来越锋锐;孪生透射峰对介质厚度的变化都很敏感,随着介质A厚度的增大,孪生透射峰均出现明显的红移,并逐渐演变为振荡峰,导致孪生透射峰消失,不利于双通道光滤波的调制,而随着介质B厚度的增大,孪生透射峰向长波方向移动,但透射峰的透射率及其宽度没有明显变化。该异质结构光子晶体的光传输特性,可为多系双通道光子晶体滤波器件的设计提供指导意义。 相似文献
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提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT),该晶体管在沟道下方的P型体区旁增加了一个特殊的低掺杂P型阱区,在不增加额外工艺的基础上减小了器件线性区电流的退化.分析了低掺杂P阱的宽度和深度对SOI-LIGBT器件热载流子可靠性的影响.通过增加低掺杂P型阱区的宽度,可以减小器件的纵向电场峰值和碰撞电离峰值,从而优化器件的热载流子效应.另外,增加低掺杂P型阱区的深度,也会减小器件内部的碰撞电离率,从而减弱器件的热载流子退化.结合低掺杂P型阱区的作用和工艺窗口大小的影响,确定低掺杂P型阱区的宽度和深度都为2μm. 相似文献
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为了解决传统微电子工艺和器件实验课程对硬件条件要求高、费用高、耗时长、效果差等问题,将仿真技术应用于微电子工艺和器件实验课程体系建设,设计并实践了包括演示性、验证性、设计性以及综合性等在内的多种类型的实验。相比于工艺和测试的实验方法,应用仿真技术的实验可以更灵活的形式和更丰富的内容覆盖更广的专业课程知识,并与专业课程知识紧密衔接,同时也易于提升实验的开放性。从而有助于提升学生的动手实践能力、增强学生对微电子工艺和器件课程理论知识的理解、提升学习兴趣。 相似文献
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带阶梯栅氧的N-LDMOS晶体管热载流子退化分析(英文) 总被引：1，自引：0，他引：1
为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善. 相似文献