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31.
在室温条件下采用直流磁控溅射方法并结合原位空气退火工艺,在普通玻璃基片上,制备了不同Fe掺杂量的In_2O_3薄膜。实验结果表明,退火氛围及Fe的掺杂量对In_2O_3薄膜的微结构、形貌及磁特性都有着很大的影响。空气中773K下退火30min的In_2O_3薄膜样品则结晶状态良好,不同Fe掺杂的In_2O_3薄膜样品均表现出室温铁磁性。  相似文献   
32.
该文用磁控溅射法在蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜,所得薄膜采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计(UVS)、光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和发光特性进行表征.结果表明掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,磁控溅射镀膜样品的透射边随着退火温度的提高发生蓝移又红移现象,所有样品都有比较好的发光性能;900℃溅射镀膜样品的表面形貌平整度较好,粒子分布均匀.  相似文献   
33.
针对JGP-560B型磁控溅射仪存在基片台可放置基片的数量及尺寸有限、同批不同样品成分的一致性难以保证等问题,将设备的基片挡板转盘改进成了一次可放置较多数量基片,并能实现连续旋转的新基片台。结果表明:通过优化可编程控制器端口的接线,既保留了JGP-560B磁控溅射仪的原设计功能,又实现了挡板转盘的软件可控连续旋转,且可通过LED灯指示挡板转盘的旋转状态;在挡板转盘上,根据靶离子的有效溅射范围设计的5个基片位,满足了一次最多可放置20片载玻片基片的实验需求。该技术改进有效满足了多基片一次性沉积均一多元薄膜的实验要求,为JGP-560B磁控溅射仪基片台的技术改进提供了改进思路和有效方案。  相似文献   
34.
本文介绍了以高纯硅为靶材,利用直流磁控溅射法在P型硅(111)衬底上生长硅纳米晶体薄膜,并在600摄氏度温度下退火处理。应用扫描电镜观察发现制备的硅纳米晶体粒度均匀,薄膜粗糙度小。X射线衍射仪分析发现硅纳米晶体具有(201)晶面取向生长的特点。与块体材料相比,硅纳米晶体不仅具有良好的电学性能,还具有良好的光学性能,其吸收谱包含本征、激子和自由载流子等丰富的吸收峰。  相似文献   
35.
采用磁控溅射技术在玻璃基底上制备出了ZnO/Cu/ZnO、ZnO/Cu、ZnO单层三种透明导电薄膜,利用几种表征手段分析了Cu层位置对ZnO薄膜的结构形貌、光电性能的影响。结果表明,Cu层的加入会降低薄膜的透射率和提高导电性,其中ZnO/Cu/ZnO结构的透射率略高,ZnO/Cu结构的电阻率最低。  相似文献   
36.
设计了射频磁控溅射技术在Ti6Al4V基体表面制备羟基磷灰石(HA)生物涂层的工艺,实验对涂层的显微结构及涂层与基体的界面进行了研究,对材料性能进行了初步探讨.结果表明磁控溅射技术制备的HA生物涂层,其沉积涂层速度快,涂层成分均匀,表面形貌良好,附着强度较高.  相似文献   
37.
通过射频磁控溅射的方法制备了Ta掺杂SnO2薄膜,研究了薄膜的结构和低温下电阻率随磁场的变化规律.测量表明低温下呈现出负的磁电阻,但是,二维、三维弱局域理论均不能解释样品中出现的负的磁电阻现象.综合考虑了三阶微绕近似的s-d交换哈密顿的半经验公式Δρ/ρ=-B12ln(1+B22H2))和双能带模型的相关公式Δρ/ρ=B32H/(1+B42H2)拟合了样品在5 T以下的磁电阻的数据,理论和实验符合得很好.结果表明Ta掺杂SnO2薄膜中的磁电阻源于局域磁矩的传导电子散射.  相似文献   
38.
为了研究稀磁半导体Co/TiO2薄膜的微观结构和磁性,进一步探讨制备工艺和测量方法对稀磁半导体薄膜材料的影响。通过高真空对靶直流磁控溅射装置和原位退火工艺制备了Co/TiO2薄膜样品,然后利用扫描探针显微镜、振动样品磁强计和X射线衍射仪对所制得的薄膜样品的磁性和微结构进行了研究,发现磁性金属Co的掺杂量对Co/TiO2薄膜的结构及磁性有重要影响。结果表明:样品的表面粗糙度和颗粒尺寸随磁性金属含量升高而增大;随着Co百分含量的升高,形成的薄膜样品Co/TiO2和Co金属混合结构会减小矫顽力;对于Co含量较低样品其磁滞回线的斜率在低温测量时得到的结果明显小于室温环境的结果,归因于受到了顺磁相的影响。由X射线衍射结果可知此时样品为锐钛矿结构。  相似文献   
39.
王德山 《大众科技》2013,(11):66-68
复杂元器件上采用磁控溅射镀膜,薄膜与基片结合强度关系产品质量。从薄膜的附着机理入手,构建其结合力学模型。通过实验分析得出,附着力主要与附着类型、附着力的性质、工艺和测量方法有关。影响附着力的因素主要包括材料性质、基片表面状态、基片温度、沉积方式、沉积速率和沉积气氛等。掌握简单附着、扩散附着、通过中间层附着及宏观效应附着内容,通过选择基片能与薄膜形成化学键,清洗基片去除污染层,合理提高温度、加速扩散反应形成中间层等措施来提高附着力。此外,薄膜中存在的内应力通过合理调控工艺指标来消除和减小对薄膜和基片附着力的影响。  相似文献   
40.
采用磁控溅射法,以普通载玻片为基底,制备了不同厚度的金属钛薄膜,在添加光栅掩模版后,制备了钛薄膜光栅。采用控制变量法,重点研究了不同溅射时间(10 min、15 min、20 min、30 min、40 min、50 min)对金属钛薄膜厚度、透过率、电阻率的影响,并测量了所制备的钛薄膜光栅的光栅常数。结果表明,增加溅射时间,在载玻片表面制备的金属钛薄膜的厚度也呈现出增加的趋势。但金属钛薄膜的透过率和电阻率却呈现现相反的趋势,即随着溅射时间的增加而减小;采用分光光度计测量薄膜光栅的光栅常数为0.168 mm.  相似文献   
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