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用固相反应法制备了La2/3Ca1/3-xBaxMnO3系列样品，利用Rietveld方法精修晶体结构,结果表明，当x≥0.020时，样品由正交结构（Pnma)转变为六方结构（R－3c)。本文详细介绍了Rietveld精修饰过程并分析下Sr^2 、Ba^2 对材料结构的影响。 相似文献
93.
94.
研究了用物理掺杂、化学镀、包覆等三种方式饰钴后的镍电极的性能.通过比较充放电曲线、循环伏安以及扫描电镜测试结果发现:以包覆钴形式对镍电极进行修饰的效果较好. 相似文献
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潘洪哲 《临沂师范学院学报》2008,(6):30-33
运用密度泛函平面波赝势方法（PWP）和广义梯度近似（GGA）,对替代式C掺杂β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算,分析了β-Si3N4：C的电子结构和光学性质．对C掺杂前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析发现,由于C的掺杂,价带宽度展宽,导带宽度和禁带宽度均变窄;态密度出现了几个新的峰,平均峰值有所减小．通过对比分析光吸收系数发现,相对于β—Si3N4的光吸收系数,β-Si3N4：C的吸收系数有所降低,并且向长波方向移动,100nm处的吸收峰向长波方向移动约11．8nm． 相似文献
97.
潘洪哲 《临沂师范学院学报》2008,30(6)
运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对替代式C掺杂卢β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算,分析了β-Si3N4:C的电子结构和光学性质.对C掺杂前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析发现,由于C的掺杂,价带宽度展宽,导带宽度和禁带宽度均变窄;态密度出现了几个新的峰,平均峰值有所减小.通过对比分析光吸收系数发现,相对于β-Si3N4的光吸收系数,β-Si3N4:C的吸收系数有所降低,并且向长波方向移动,100nm处的吸收峰向长波方向移动约11.8 nm. 相似文献
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99.
稀磁半导体（DMS）材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.ZnO基稀磁半导体材料的研究主要集中在：（1）优化生长参数,获得高质量的薄膜;（2）选择不同的掺杂元素与掺杂量,通过单掺杂或共掺杂技术,提高材料的居里温度,奠定其应用的基础. 相似文献
100.
合成一种新的吡唑啉酮席夫碱有机配体,及其与Tb、Eu、Sm、Dy的配合物,借助元素分析,红外光谱和^1HNMR对其结构组成进行分析讨论。荧光光谱结果表明,四种稀土有机配合物都有荧光性能,其中Tb和Sm配合物的荧光效果最强。 相似文献