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11.
运用溶胶-凝胶(sol-gel)法,在SiO2/Si衬底上制备了BiFeO3薄膜.研究表明,退火温度、退火时间分别为500%、1h的条件下,并且运用XRD及表面扫描电镜(SEM)分析,可制备出纯相的BiFeO3薄膜,R3m点群.  相似文献   
12.
叶宏明  杨辉  包绍华 《科技通报》2006,22(3):420-425
以无机铝盐为先驱体,六次甲基四胺为催化剂,采用溶胶—凝胶法制备了纳米氧化铝粉体,将纳米氧化铝粉体应用于薄胎厚釉青瓷瓷胎中,研究了粉体对青瓷瓷胎的增强作用。研究结果表明,干凝胶在980℃基本上转变成-αAl2O3,1250℃可与瓷土中SiO2形成增量莫来石,使薄胎在烧成冷却过程中抗厚釉拉裂性能得到提高,胎釉热膨胀系数的失配使釉面形成开片,修饰美化青瓷。  相似文献   
13.
研究了在L-半胱胺酸存在下超氧化物歧化酶(SOD)固定于硅溶胶-凝胶中的电化学行为,实现了酶的直接电子传递,并且提高了其峰电流的响应,详细研究了影响酶电极制备的多种因素。制备的酶电极对超氧阴离子具有很快的安培响应,测定超氧阴离子的线性范围为0.1-0.8μmol/L,相对标准偏差为4.2%(n=8)。该方法综合了自组装和溶胶-凝胶技术的优点,电极制备简单,酶电极具有较高的灵敏度和良好的稳定性。  相似文献   
14.
以TiCl4为起始原料,经TEA分散Ti(OH)4沉淀制得了氢氧化钛溶胶,发现溶胶在20℃左右的水中形成冻胶,在40℃以上的水中形成白色沉淀。利用紫外光谱、TEM、XRD等对溶胶体、干凝胶进行了研究,研究结果表明:此法制得的氢氧化钛溶胶的无机杂质Cl-易于除去,Ti(OH)4溶胶的凝胶化时间可控;分散体在40℃时析出的沉淀为胶质粒子。干燥物为凝胶;在75℃时析出的沉淀开始晶化;在95℃时析出的沉淀已明显晶化。  相似文献   
15.
《商洛学院学报》2015,(2):28-32
以疏水型SiO2气凝胶为吸附剂,研究其对Cr(Ⅵ)的吸附性能。考查了pH、吸附时间、气凝胶用量对Cr(Ⅵ)吸附率的影响,探索了吸附Cr(Ⅵ)的动力学特性。实验结果表明,在pH=2、气凝胶的量m=0.4 g、反应时间t=75 min时,疏水型SiO2气凝胶对Cr(VI)的去除率较高;疏水型SiO2气凝胶对Cr(Ⅵ)吸附行为更符合准二级动力学模型;使用乙醇作为脱附剂,脱附效果较好。  相似文献   
16.
本文总结了测试表征高分子灭火凝胶的常用方法,包括IR红外光谱法、NMR核磁共振法、DSC示差扫描量热法、SEM扫描电子显微镜法等;同时归纳了评价高分子灭火凝胶性能的方法,包括吸液性能、吸液速率和保水性能。  相似文献   
17.
建立党参中18种农药残留量的分析方法,对10种不同批次的党参样品进行农药残留测定.样品以乙腈-水(5+1)涡旋震荡萃取,提取液经Carb/NH2固相萃取柱(SPE)净化后、再经在线凝胶渗透色谱(gel permeation chromatography,GPC)净化,利用气相色谱-质谱选择离子监测模式进行分析,外标法定量.18种农药峰面积与质量浓度在10~ 1000 μg·L-1呈良好线性关系,相关系数为0.993~1.000;定量限(10S/N)在0.06~6.3μg·kg-1;在20~200 μg·kg-13个浓度水平下,方法回收率为76.8%-104.4%,RSD为4.2%~9.9%.该方法简便、快速,灵敏度高、重复性好,能够准确地检测党参中18种农药残留.  相似文献   
18.
采用溶胶-凝胶法在不同的烧结温度下制备了La1.2Sr1.8Mn2O7多晶样品.磁性测量表明,1 200℃热处理的样品存在3个磁转变温度,且在116 K~365 K温区范围内磁化强度显著高于1 400℃热处理的样品;同时,1 400℃热处理的样品,在整个温区只存在2个磁有序转变温度,并且呈现出类自旋玻璃态.结合这2个样品的结构分析发现,较高温度处理更有利于双层钙钛矿结构的形成.  相似文献   
19.
采用溶胶-凝胶法和微波辐射法制备了Mg2SiO4:Mn2+,Dy3+红色发光材料.研究了以Mg2SiO4为基质,在单掺杂Mn2+的情况下,微波合成时间和Mn2+的掺杂浓度对发光性能的影响.选择最佳微波合成时间和Mn2+掺杂浓度,研究了共掺Dy3+浓度对材料发光性能的影响.通过这两种方法制备了在410nm激发下,发光中心...  相似文献   
20.
以硅酸钠为硅源,蔗糖为碳源,硫酸为催化剂,采用溶胶-凝胶法和碳热还原反应合成碳化硅(Si C),并用X射线粉末衍射(XRD)、N2吸附-脱附和场发射扫描电子显微镜(FESEM)等手段对产物进行表征。实验结果表明,碳化硅试样具有典型的介孔材料特征,改变硫酸与蔗糖添加量可以调控和优化产物结构;当反应物配比n(C):n(Si):n(S)=3.00:1:0.44时,可制得比表面积为235 m2·g-1、孔体积为0.46 cm3·g-1的碳化硅。  相似文献   
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