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采用TSMC 0.18 μm CMOS 工艺实现了一个20 Gbit/s 1∶2分接器,分接器由主从从、主从D触发器和数据输出缓冲组成.D触发器单元采用动态负载结构,其偏置晶体管采用单时钟输入的共栅结构.动态负载结构的触发器工作速度更快因为它减小了输出点的冲放电时间,而且由于工作时电流处于开关模式,其功耗更低.另外,触发器中采用交叉耦合的正反馈三极管对,加快了整个电路的速度.通过在片晶圆测试,该芯片在输入20 Gbit/s、长度为223-1的伪随机码时工作良好.功耗仅为108 mW,芯片面积为475 μm×578 μm. 相似文献
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采用TSMC 0.18 μm CMOS 工艺实现了一个20 Gbit/s 1∶2分接器,分接器由主从从、主从D触发器和数据输出缓冲组成.D触发器单元采用动态负载结构,其偏置晶体管采用单时钟输入的共栅结构.动态负载结构的触发器工作速度更快因为它减小了输出点的冲放电时间,而且由于工作时电流处于开关模式,其功耗更低.另外,触发器中采用交叉耦合的正反馈三极管对,加快了整个电路的速度.通过在片晶圆测试,该芯片在输入20 Gbit/s、长度为223-1的伪随机码时工作良好.功耗仅为108 mW,芯片面积为475 μm×578 μm. 相似文献
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