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1.
采用磁控溅射技术,通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜,以形成异质薄膜器件,并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明,在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能,并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联,最高可达230%,远超过单一薄膜。同时,器件的响应速度较快,响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图,对器件的气敏机理作了深入阐释。  相似文献   
2.
文章根据近年来国内外对自洁净玻璃的研究现状,对自洁净玻璃的研制方法、步骤进行了说明,对自洁净玻璃表面纳米氧化物薄膜的制备方法的研究进展状况进行了综述,并对其优缺点进行了比较。  相似文献   
3.
薄膜包封就是在物品上包一层塑料薄膜,这些薄膜可以是PE、PP等等。薄膜包封的作用是防止机械划伤、防潮、防水。时下许多邮政报刊亭里卖的杂志、书店里的一些精美书刊都是由塑料薄膜包封起来的,这些薄膜是透明的,可以清楚地看到内  相似文献   
4.
《黑龙江科技信息》2011,(13):I0006-I0006
据美国物理学家组织网近日报道,美国能源部布鲁克海文国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室的科学家们研发出了一种可吸收光线并将其大面积转化成为电能的新型透明薄膜。这种薄膜以半导体和富勒烯为原料,具有微蜂窝结构。  相似文献   
5.
采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料.  相似文献   
6.
全日制普通高级中学物理教材第三册,对薄膜干涉内容只作了简单介绍,学生解决此类问题时常感到困惑.尽管有资料对这方面内容作了介绍,但并不全面.笔者根据教学体验,比较全面而简洁地总结了这一问题,收效显著.  相似文献   
7.
在温度300-600℃及2×10-4-1×10-3Torr的氧压下,对脉冲激光烧蚀生成的La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜进行退火.无论是经原位或异位退火处理后的LCMO薄膜,其金属-半导体电阻-温度(R-T)特性曲线及转变温度均会发生明显的改变.薄膜氧含量对其输运特性有突出的影响.  相似文献   
8.
动态膜压仪在有序分子薄膜体系研究中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用动态膜压仪测定单分子膜在亚相上的表面压π,表面张力γ以及膜的崩溃压。研究两亲分子在亚相上铺展成膜的状态及其规律,为有序单分子薄膜的制备及成膜过程的研究提供了依据。  相似文献   
9.
用最优化理论提出一种新的薄膜结构裁剪方法,并用B样条曲线对裁剪图边界进行光滑处理,提高了裁剪分析的精度.最后给出了一个张拉式薄膜结构裁剪分析实例.  相似文献   
10.
采用磁控溅射方法在Si片沉积了Ti-50.9at%Ni形状记忆合金薄膜,并将薄膜分别在不同温度下进行退火.利用示差扫描量热方法(DSC)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)研究了薄膜退火前后形貌、相变特征及应力随退火温度的变化.实验结果表明:溅射态薄膜为非晶态,其晶化温度范围为430℃-535℃,晶化同时伴随着Ti3Ni4相的析出;退火后的薄膜随着退火温度的升高,Rs、Af、Ms均呈上升趋势.薄膜的残余应力随着退火温度的增加而逐渐减少.  相似文献   
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