全文获取类型
收费全文 | 126篇 |
免费 | 4篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
教育 | 97篇 |
科学研究 | 30篇 |
体育 | 1篇 |
综合类 | 4篇 |
信息传播 | 2篇 |
出版年
2023年 | 4篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 3篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 11篇 |
2010年 | 8篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 8篇 |
2006年 | 13篇 |
2005年 | 12篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 2篇 |
1993年 | 1篇 |
排序方式: 共有134条查询结果,搜索用时 125 毫秒
1.
以半导体材料(Zn·Cd)S:Ag-KI为催化剂,在单色(绿)光照下,成功地模拟了光合作用的光合磷酸化。在绿色光照下的光照度、照光时间、ADP(二磷酸腺苷) 浓度、Pi(磷酸氢二钠)浓度及催化剂量等对ATP(三磷酸腺苷)合成的影响。在合适的条件下,ADP 的浓度为1×10-1mmol/l 时的转化率可达到3.2%——5.8%。 相似文献
2.
介绍了一种基于FPGA与MC8051IP核的可调窄脉冲激光泵浦系统.该系统主要作为低重复频率光信号的放大器泵浦源.系统采用MOSFET作为功率开关管驱动半导体激光器发出的光脉冲作为激光泵浦源,可驱动大功率的LD,最大驱动功率可达30W.利用高速FPGA芯片(EP2C8)和VHDL语言,设计激光泵浦源的窄脉冲数字控制电路.利用MC8051软IP核实现智能控制,系统输出脉冲周期、脉冲宽度以及脉冲幅度都可调.系统采用多种有效保护措施,性能稳定可靠. 相似文献
3.
INTRODUCTIONVarioustypesofsurgeabsorberstoprotectvariouslow voltageelectricalcircuitsfromtran sientovervoltageinclude :( 1 )gasdischargetube (gaseousgap) ,( 2 )varistors,( 3)semi conductorTVS (transientvoltagesuppressor) .Eachtypehasitsadvantagesanddisadvantages.Ga… 相似文献
4.
慢启动半导体激光器驱动电源的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
根据半导体激光器的光功率与电流的关系,通过慢启动电路、纹波调零电路、功率稳恒电路等解决了使用中的电源在工作温度范围内其输出功率不稳定的问题。设计的电路稳定度达到4×10-4。 相似文献
5.
微波合成半导体HgS纳米粒子 总被引:2,自引:3,他引:2
廖学红 《黄冈师范学院学报》2001,21(3):48-51
在甲醛溶液中,以Hg(Ac)2和TAA为原材料,通过微波加热合成了HgS半导体纳米粒子,并用XRD、TEM、紫外光谱进行了表征。 相似文献
6.
7.
乔燕 《包头职业技术学院学报》2014,(2):23-25
硫化镉CdS纳米材料的制备常见的方法有:气相法、液相法、和固相法。我们采用液相法以4.5G PAMAM树状大分子为保护剂制备了CdS纳米粒子,考察了保护剂4.5G PAMAM与CdS不同物质的量比时,纳米粒子大小和尺寸的变化情况。 相似文献
8.
从半导体产业特征入手,结合英特尔和三星电子的成功经验,即长期研发投入和基础研究;大量核心基础专利积累;开放的全球合作网络以及平台生态优势,探讨中国半导体技术创新之路。中国半导体产业后发企业居多,国际龙头企业建立的平台优势很难打破,但仍存在追赶机会,需要:(1)持续加强研发投入,积累基础研究成果;(2)捕捉技术突破机会,布局可进入细分领域专利;(3)构建产业生态支撑体系,打造半导体企业生态圈。 相似文献
9.
针对当前我国半导体产业界对于未来发展战略的选择持有的两种不同观点,本文提出遵循“比较优势发展战略”发展我国半导体产业的观点。文章首先介绍了“比较优势”理论及其在后进地区半导体产业发展中的动态应用演变模式;然后具体分析了全球半导体产业分工发展及要素禀赋结构在产业中的演变以及由此带来的产业升级过程;并以我国台湾半导体产业30年来成功发展为例,说明遵循“比较优势发展战略”有利于半导体产业成功崛起;文章最后对我国大陆如何利用“比较优势”理论发展半导体产业做了一定探讨。 相似文献
10.
Using beam propagation method(BPM), key optical design parameters of InP/AlGaInAs multiple quantum well(MQW) ring laser were numerically analyzed. The influences of waveguide dimensions, curvature radius and gap size on the coupling efficiency were discussed. An InP/AlGaInAs MQW ring laser with radius of 350 μm was designed and realized. The experimental results show that the designed device, lasing at 1 563.2 nm with side mode suppression ratio higher than 20 dB, exhibited unidirectional bistability between the clockwise and counterclockwise modes. 相似文献