全文获取类型
收费全文 | 16576篇 |
免费 | 74篇 |
国内免费 | 98篇 |
专业分类
教育 | 10214篇 |
科学研究 | 3623篇 |
各国文化 | 9篇 |
体育 | 762篇 |
综合类 | 581篇 |
文化理论 | 64篇 |
信息传播 | 1495篇 |
出版年
2024年 | 49篇 |
2023年 | 220篇 |
2022年 | 176篇 |
2021年 | 205篇 |
2020年 | 252篇 |
2019年 | 298篇 |
2018年 | 154篇 |
2017年 | 285篇 |
2016年 | 338篇 |
2015年 | 564篇 |
2014年 | 904篇 |
2013年 | 1030篇 |
2012年 | 1120篇 |
2011年 | 1300篇 |
2010年 | 1279篇 |
2009年 | 1193篇 |
2008年 | 1110篇 |
2007年 | 998篇 |
2006年 | 908篇 |
2005年 | 930篇 |
2004年 | 847篇 |
2003年 | 612篇 |
2002年 | 528篇 |
2001年 | 466篇 |
2000年 | 375篇 |
1999年 | 175篇 |
1998年 | 94篇 |
1997年 | 80篇 |
1996年 | 64篇 |
1995年 | 50篇 |
1994年 | 40篇 |
1993年 | 21篇 |
1992年 | 21篇 |
1991年 | 24篇 |
1990年 | 18篇 |
1989年 | 15篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 390 毫秒
1.
采用磁控溅射技术,通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜,以形成异质薄膜器件,并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明,在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能,并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联,最高可达230%,远超过单一薄膜。同时,器件的响应速度较快,响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图,对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
2.
3.
4.
刘丽梅 《承德职业学院学报》2003,8(4):18-19
本文主要针对省计算机二级考试中的C语言部分,在复习时应该注意的几个方面,以讲、例结合的方式作了.详细的论述. 相似文献
6.
7.
8.
9.
10.