铁电薄膜的相变和介电性质的格林函数理论研究     

吴银忠 《常熟理工学院学报》2003,17(2):31-33

对用格林函数方法研究铁电材料的相变性质和介电性质的研究作了一个较为详细的分析和总结，对现有文献中的处理方法进行了讨论。  相似文献   

Dynamics and manipulation of ferroelectric domain walls in bismuth ferrite thin films     

Shuyu Xiao  Yaming Jin  Xiaomei Lu  Sang-Wook Cheong  Jiangyu Li  Yang Li  Fengzhen Huang  Jinsong Zhu 《国家科学评论(英文版)》2020,7(2):278

Ferroelectric domain walls differ from domains not only in their crystalline and discrete symmetry, but also in their electronic, magnetic, and mechanical properties. Although domain walls provide a degree of freedom to regulate the physical properties at the nanoscale, the relatively lower controllability prevents their practical applications in nano-devices. In this work, with the advantages of 3D domain configuration detection based on piezoresponse force microscopy, we find that the mobility of three types of domain walls (tail-to-tail, head-to-tail, head-to-head) in (001) BiFeO₃ films varies with the applied electrical field. Under low voltages, head-to-tail domain walls are more mobile than other domain walls, while, under high voltages, tail-to-tail domain walls become rather active and possess relatively long average lengths. This is due to the high nucleation energy and relatively low growth energy for charged domain walls. Finally, we demonstrate the manipulation of domain walls through successive electric writings, resulting in well-aligned conduction paths as designed, paving the way for their application in advanced spintronic, memory and communication nano-devices.  相似文献   

0.9Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-0.1PbTiO_3/PbTiO_3多层薄膜制备及铁电性研究     

李雪冬  刘洪  吴家刚  刘刚  肖定全  朱建国 《绵阳师范学院学报》2015,(5):26-29

以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3/PbTiO3铁电多层薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量.研究发现,原位生长的薄膜已经具备了较好的铁电性,这为(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-x0.1PbTiO3薄膜的低温制备提供了可能性.经过退火后,薄膜的铁电性略有下降,高温下铅的损失可以很好的解释这一现象.  相似文献   

新型电子全息显示器件及其驱动技术研究     

黄海山 《荆门职业技术学院学报》2008,23(6)

阐述了电子全息显示器件所用的铁电材料的电光特性及器件结构,借鏊其驱动技术.并针对本器件高分辨率的特性,提出了一种适合电子全息显示器件的驱动技术--分区分块的驱动方法.  相似文献   

界面量子起伏对铁电超晶格介电性质的影响     

吴银忠  沈明荣  姚东来  曹海霞 《常熟理工学院学报》2003,17(4):22-24

应用平均场理论，在横场伊辛模型的框架内，研究了界面量子起伏对铁电超晶格介电性质的影响。得到界面的量子起伏会导致铁电超晶格的介电极化率的升高。  相似文献   

烧结工艺对BSTO/MgO铁电陶瓷的影响     

王宇光  刘涛  陈万东  李秉朝  司崇殿 《济宁师范专科学校学报》2010,(6):31-34

实验结果表明,BSTO/MgO铁电陶瓷在1450℃时烧结性能最好.在1450℃,随着保温时间（1~7h）的增加,BSTO晶粒和样品的调谐性都逐渐增大,介电损耗也随之增加,保温3h时性能最佳.  相似文献   

掺杂Al₂O₃对BSTO/MgO铁电陶瓷的影响     

王宇光  杜仕文 《济宁师范专科学校学报》2012,(3):35-38

在钛酸锶钡(BSTO)与质量分数为55%的MgO混合的基础上,进行了Al2O3掺杂的系统研究.随Al2O3掺入量的增加,BSTO/MgO材料的介电常数减小明显,损耗先减少后增多,调谐性先增大后减小,但过量的Al2O3掺杂使得材料的调谐性降低.当Al2O3掺杂量为mol(Al2O3)=0.5%时,介电损耗达到最小,为2.0×10-3(10KHz),介电常数调谐性达14.1%(4kV/mm).利用电介质理论分析了Al2O3对BST/MgO材料介电性质的改性机理.  相似文献   

表面和界面效应对铁电薄膜极化分布的影响     

李立本  李雪玲  张运强 《周口师范学院学报》2005,22(2):20-23

运用铁电的Thomas和Landau理论,研究了外延铁电膜中极化分布受表面和界面的影响.结果表明:由于膜中存在表面和界面效应的竞争,对于超薄膜,表面效应占优,界面处极化强度(极化)变小;反之对于厚膜,界面效应占优,界面处极化变大.外推长度δ大于零、正比于膜中电偶极子间的关联长度η,δ/η与偶极子倔强系数的大小有关、与温度无关.  相似文献   

超薄铁电膜的居里温度及其表面效应     

凌瑞良  聂鹏飞 《常熟理工学院学报》2000,14(2):36-39

采用平均场理论下的横场 Ｉｓｉｎｇ模型,得到同时考虑Ωｓ≠Ω,Ｊｓ≠Ｊ情况下超薄铁电膜的居里温度表达式,进一步研究除发现存在临界表面层隧穿频率．Ωｓｃ外还发现由Ｊｓ／Ｊ＝ Ｃ所反映的临界值Ｃｓc  相似文献   

铁电相变过程的不可逆热力学研究     

艾树涛  钟维烈 《临沂师范学院学报》2006,28(6):24-27

应用不可逆热力学研究了铁电相变中的不可逆性．一级铁电相变中的“热滞”和铁电体的多畴结构可在最小熵产生原理的基础上得到说明．推出了两个结论:(1)热滞不是一级铁电相变体系的内禀性质,体系表面的有限性与热滞是有关的;(2)多畴结构的出现可归因于温度梯度方向的变化．  相似文献