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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3铁电薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.分析了薄膜的漏电流机制,研究表明,薄膜漏电流在低场强下(<32kV/cm)符合欧姆(热电子发射)导电机制并受到晶界限制行为的影响,在中场强下(3285kV/cm)空间电荷限制电流(SCLC)机制占据优势,在高场强下(8585kV/cm)空间电荷限制电流(SCLC)机制占据优势,在高场强下(85100kV/cm)富勒-诺丁海姆(FN)隧穿机制起主导作用.  相似文献   

2.
运用脉冲激光沉积方法,在Pt(111)基片上沉积制备Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜。通过对X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜的正交相随衬底温度升高而增强,随薄膜厚度增加而减小。P-E电滞回线实验表明,提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能。400℃氧气中原位退火后薄膜剩余极化(2Pr)达到8μC/cm2。5V以下薄膜漏电流密度为3.2×10-6A/cm2。Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明,在经过2×109次反转后可参与翻转总极化值有一定下降。  相似文献   

3.
利用扫描探针显微镜(SPM)的压电响应模式(PFM)和电场力响应模式(EFM)对PbTiO3/Pb(Zr0.3Ti0.7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)夹心结构铁电薄膜的自发极化与纳米尺度电畴反转行为进行了研究。SPM的PFM对薄膜电畴的极化反转研究表明,在相同的有限电压下,薄膜的电畴因不同结构而不能全部反转而取向一致;同时,不对称电极产生的内建电压(场)会导致不同方向上极化反转电压的不同。SPM的EFM不宜用来研究铁电薄膜的自发极化电畴结构,但对电畴的取向极化有较高的区分度,适于研究电畴的取向极化。经正电压极化后,极化的区域呈高电势的亮区;经负电压极化后,表现为低电势的暗亮度区域。  相似文献   

4.
This work investigated the microwave dielectric properties of A-site substitution by rare earth La3+in(Pb0.5Ca0.5)(Fe0.5Ta0.5)O3(PCFT) system.A single perovskite phase was obtained only when the doping content was 2%.Suitable La3+ doping improved microwave dielectric performances.Excessive La3+doping caused the formation of secondary phase,which resulted in the decreasing of permittivity εrand quality factor Qfvalues.Especially,when the doping content is 2%-5%,permittivity εrwas above 75 and Qfvalues were 6...  相似文献   

5.
以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4·Nb(C2H5O)5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3(SNTO)薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析:掺杂Nb5+能使SrTiO3转化为n-半导体。  相似文献   

6.
采用共沉淀制备前驱体,微波高温固相烧结制备富锂正极材料0.5Li2Mn O3·0.5Li Ni1/3Co1/3Mn1/3O2.通过X射线衍射(XRD)、电镜扫描SEM、循环伏安(CV)、充放电性能等材料结构的表征和电化学性能测试,研究了不同烧结时间(微波3 min、5 min、7 min、15 min)对材料结构电化学性能的影响.发现较佳的合成条件所合成的富锂正极材料0.5Li2Mn O3·0.5 Li Ni1/3Co1/3Mn1/3O2结构是α-Na Fe O2型,为二维层状结构.在2.0~4.8 V的截止电压范围、17 m Ah·g-1的电流密度,首次放电容量为284.6 m Ah·g-1,20个循环容量的保有率为75.6%.通过微波高温烧结合成正极材料,研究了制备工艺对材料结构和电化学性能的影响,并探讨了该体系的应用前景.  相似文献   

7.
以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺。STO薄膜的介电特性分析:在100 kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050。  相似文献   

8.
采用溶剂热和常压合成方法,分别制备MOF-508 (Zn(BDC)(4,4’-Bipy)_(0.5)DMF(H_2O)_(0.5))粉末样品及其在Si、Au/Si、COOH-Au/Si基底上的薄膜,通过X射线广角衍射法检测其在基底表面上的取向生长。发现仅在常压法下COOH-Au/Si基底上MOF-508配位聚合物沿着[001]方向生长,用电子扫描电镜技术发现其在COOH-Au/Si基底上的晶体形状统一,多为长方形,说明常压法和基底对其取向生长起到关键性的因素,这对于以后配合物薄膜取向生长提供了参考数据。  相似文献   

9.
(110)取向镍酸镧导电薄膜的制备及性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用化学溶液法在SiO2/Si(100)衬底上制备了LaNiO3导电薄膜,研究不同热解温度、不同薄膜厚度对LNO薄膜结构和导电性的影响,结果发现薄膜均呈现(110)择优取向生长,尤其是650°C退火6层的薄膜(110)相对取向度最大为2.05,750°C退火的薄膜电阻率最小,且电阻率随时间和厚度的增加而变大.  相似文献   

10.
运用溶胶-凝胶(sol-gel)法,在SiO2/Si衬底上制备了BiFeO3薄膜.研究表明,退火温度、退火时间分别为500℃、1 h的条件下,并且运用XRD及表面扫描电镜(SEM)分析,可制备出纯相的BiFeO3薄膜,R3m点群.  相似文献   

11.
PbTiO3纳米材料具有不同于块材的物理化学特性和颇大的应用潜力,其制备与性能研究引起广大学者的极大兴趣。本文综述了PbTiO3纳米材料制备方法和影响因素,并展望了PbTiO3纳米材料的研究前景。  相似文献   

12.
本文简要地述了PbTiO3压电陶瓷的掺杂改性研究现状,着重于PbTiO3压电陶瓷的掺杂改性的实用意义,介绍了一些具有典型优良压电特性的掺杂配方及其陶瓷材料的机电性能.  相似文献   

13.
14.
采用金相观察、冲击、拉伸和硬度测试的方法。研究了二次回火温度对0Cr13Ni5Mo钢显微组织和力学性能的影响。结果表明,不同温度二次回火后。组织以较细的板条状回火马氏体为主;随着二次回火温度的升高,材料的冲击韧性呈上升趋势,强度及硬度近似直线降低。  相似文献   

15.
采用VDM的指称语义元语言METAⅣ描述Eiffel语言3.0版本的语义.包括四个部分:①对原有的Eifel语法进行抽象,从而给出它的抽象文法.该抽象文法在保持原有语法风格的基础上,对原语法进行了一些适当修改.②描述Eifel语言的语景条件.它首先引入一些主要辅助域和主要辅助函数,然后给出各个语言成分的良构判定式.③定义对象模型、存贮空间和动态环境等语义域.④描述基于特征的各个语言成分的语义方程.  相似文献   

16.
报表在数据库管理系统中的地位相当重要 ,但是报表的形式变化多样 ,对数据的要求各不相同 .比如我们只要求打印出若干条记录 ,仅仅用VFP5 0为我们提供的报表设计功能很难达到要求 .若使用查询得到的数据作为报表的数据环境 ,虽然可以完成这样的工作 ,但不能动态地更新数据进行打印 .如果在报表中引入SQL语言 ,便可以大大增强报表的灵活性  相似文献   

17.
采用固相反应法制备了准同型相界处的0.68Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.32PbTiO3陶瓷,探索了其最佳预烧温度,并研究了不同烧结温度下制备的陶瓷样品的微观形貌、致密度、铁电、压电性能.结果表明,样品的致密度和剩余极化随着烧结温度的升高而略有升高,矫顽电场随着烧结温度的升高而降低.烧结温度对样品的压电性能具有非常大的影响.1 200℃烧结的样品具有非常良好的压电性能:压电常数d33~560 pC/N,厚度振动机电耦合系数kt~54.0%,径向振动机电耦合系数kp~30.4%.  相似文献   

18.
也说"5+2=0"     
最近一年多来参加了一些大大小小的研讨会之类的活动,经常从一些教师和学校领导口中听到关于"5 2=0"的抱怨,意思是学校对学生进行五天的正面教育,还抵不过双休日两天的负面影响.初听之下,似乎很有道理;听得多了,免不了要多想想、细想想.不想不知道,一想吓一跳,里面还真包含很多深层次的问题呢!  相似文献   

19.
20.
本文提出了创建Windows帮助文件的方法,并介绍了在Delphi3.0中实现调用帮助文件的方法。  相似文献   

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