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1.
在串联型晶体管稳压电路中,集电极电阻有内部电源和外部电源两种供电方式.定量分析了在电网电压和负载电流发生波动时,不同供电方式对输出电压的影响. 相似文献
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皇甫国庆 《渭南师范学院学报》1996,(Z1)
本文分析了晶体管在发射结加正向偏置电压而集电极回路加入脉冲信号时有关电压、电流的波形特点及其物理解释。由此,提出了一种鉴别晶体管高频特性的方法,并解释了黑白电视机的一种故障现象,纠正了文献〔4〕、〔5〕的错误。 相似文献
3.
通过短路埃伯尔斯-莫尔模型对双极型晶体管的放大工作状态和饱和工作状态进行了分析,按照所分析的结论,通过实例说明在发射结正偏、集电结也正偏(但偏置电压较小)时,双极型晶体管仍处于放大状态。 相似文献
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为克服模拟式晶体管图示仪读数误差大、数据无法保存、无法直接读取晶体管特性参数的缺点, 设计了一款多功能数字式晶体管图示仪.以STM32F103芯片为嵌入式处理器, 通过外围电路测量得到晶体管的各电流值和电压值并存储至存储器.处理器对所测数据运算处理,绘制二极管、三极管、场效应管的特性曲线, 并得出二极管、三极管的开启电... 相似文献
6.
一、引言
基本放大器电路是电子电路中的基本单元电路,其中分压式偏置电路是实践中使用较多的电路,电路中晶体管的偏置电路的偏置不当,通常会导致晶体管出现饱和或截止的故障。在诊断电路故障时,我们可以检测晶体管的基极、集电极和发射极对地的静态电压,判断是否合适。同时,电路分析也可借助于电路仿真软件来验证分析结论。电路仿真软件常用的有TINA、Multisim等,本文巾使用的是Multisim软件。 相似文献
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基于阈值电压的负温度特性以及热电压的正温度特性,给以适当的权重后把它们相加,提出了一个零温度系数的基准电压电路。该器件由工作在亚阈值区的CMOS晶体管组成,不包含电阻和双极晶体管。采用3支路电流基准结构替代共源共栅结构和嵌入式运算放大器,具有芯片面积小和功耗低的优点。仿真结果表明,在标准0.18μmCMOS工艺下,该电路可在0.75 V电源电压下工作,输出电压为563 mV。在-40~125℃范围内,电压温度系数仅为17.5×10^-6/℃。电源电压范围在1.2~1.8 V时线性灵敏度为569.5×10^-6/V,电源抑制比可达到66.5 dB@100 Hz,最高功耗仅为187.4 nW。 相似文献
8.
李德明 《湖北成人教育学院学报》2014,(3):6-8
本文讨论了多级晶体管放大器引入负反馈后,利用微变等效电路分析法对负反馈放大器的电压增益进行分析,以引入电压串联负反馈为例展开,并就分析值与仿真结果进行了对比。 相似文献
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双极型伴随运算放大器的特性及应用研究 总被引：10，自引：0，他引：10
叶润玉 《福建工程学院学报》2005,3(1):79-82
应用伴随运算放大器将通用电压模式的电压运放电路转换为电流模式电路，提出一种双极型晶体管伴随运放电路，分析其开环特性，并利用其组成闭环电流放大器和五阶低通滤波器。 相似文献
11.
杨新政 《雅安教育学院学报》1997,10(3):32-35
一般电了技术基础教材中对各类负反馈放大器均采用以方框图法为基础的近似分析法，本文试图用密勒定理对电压并联负反馈放大器的反馈支路作等效变换，然后用节点法和晶体管y参数模型，对电压并联负反馈放大器的中频增益特性作更精确的分析。 相似文献
12.
宁晨 《中国远程教育(综合版)》1983,(5)
大家知道,要使晶体管工作在线性放大区内,就需要有一个合适的直流工作点,而且要求直流工作点稳定。否则,放大器性能指标将发生变化,以至无法正常工作。所以,稳定直流工作点,就成为设计晶体管放大器时必须慎重考虑的基本问题。直流工作点的变化,主要是由于受环境温度、电源电压、辐射源照射、管子老化等因素的影响。在这些因素中,最为突出的是环境温度对直流工作点的影响,本文主要在这方面进行简要的分析。 相似文献
13.
本文介绍一种可控硅、晶体管组合式低压大电流稳压电源的设计原理和制作方法。该电源大幅度减小了电同电压波动、负载变动对输出的影响以及各种因素造成的纹波电压,其内阻小于1mΩ,5A 输出时纹波小于100μV。 相似文献
14.
《实验技术与管理》2015,(11):86-90
设计了一种以STM32F103VET6为核心的晶体管输入输出特性曲线测试仪。通过数字电位器实现对待测三极管基极输入电流的阶梯控制,基极驱动电流0~160μA,分辨率达到0.1μA;通过内嵌DAC控制三端稳压电路的输出实现集电极扫描电压的调节,输出范围0~30V,最高分辨率3.18mV;电流的测量首先通过采样电阻转换为待测电压,经仪表放大器进行放大后由内嵌ADC进行采样,采用中位值平均滤波法滤除采样干扰。由STM32F103VET6处理器对所测得参数运算处理,绘制晶体管输入输出特性曲线,通过LCD实时显示晶体管特性曲线及放大倍数hFE值;测试仪还具有与上位机通信的功能,方便实现对所测数据做进一步处理。 相似文献
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反向击穿电压是半导体元件的重要参数之一,它直接关系到管子的安全使用问题。利用晶体管图示仪,虽然可以测量电子元件的反向击穿电压,但由于集电极扫描信号峰值电压低(0～200V),不能用来测量高反压元件的击穿电压。为此我们设计制作了半导体元件参数测量仪。 相似文献
17.
电力系统中的电气设备在运行过程中 ,受外界环境的影响 ,可能会遭受雷电压或操作过电压的作用 ,而这些电压均属于冲击电压 ,都有可能会对电气设备带来危害 .因此 ,电气设备在投入使用之前 ,都要先经过冲击电压试验来检验其在雷电压和操作过电压作用下的绝缘特性或保护性能 .这种试验用的电压一般采用雷全波或截波 ,产生这种波就要用到冲击电压发生器 ,而脉冲点火及延时装置是冲击电压发生器必备的部分 .由于截波的部位不同 ,其截断时间也不相同 .截断时间的延时系统通常采用电缆线来进行延时 ,既不方便又不经济 .用晶体管电子线路延时代替电… 相似文献
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蒋光新 《苏州教育学院学报》1994,(1)
图(1)是具有比较放大器的串联型晶体管稳压电路,很多电子专业书刊上都这样定性分析其工作原理:假设负载电流I_0减小或输入电压U_i增大,都要引起输出电压U_0增大,则R_2两端取样电压也增大,即T_2管基极电位U_B_2增高,由于T_2的发射极接有基准电压U_2,使U_E_2基本不变, 相似文献