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提出了利用Ｄ／Ａ转换特性研制数控恒流器件的方法,从理论上分析了器件的设计思想和性能,并研制成功新型数控恒流器件．测试结果表明,该器件样管具有优良的电性能,同时具有体积小、功率损耗低等优点． 相似文献
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由于缺少大功率器件模型,射频功率放大器的设计是工程上的一个难点。本文提出了一种利用功率器件的小信号模型设计功率放大器的方法。 相似文献
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移相全桥DC-DC变换器实现了功率器件的零压导通,大大降低直流变换器中功率器件的开关损耗。但其常用拓扑电路在零压期存在内部环流,增加了电路的损耗,为了解决这一问题,可以在电路中增加饱和电感。文章介绍了电路的基本工作原理,并针对8kW的变换器,设计电路参数并进行仿真验证。 相似文献
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功率MOSFET因其输入阻抗大、开关速率快、工作频率高以及丰富的封装形式、较大的电压及导通电阻选择范围等优势,广泛应用于电源、通信等不同类型的电力电子变换电路。但功率MOSFET并非完美的开关器件,温度敏感的特征决定使用者必须考虑其热效应对器件性能的影响。本文基于功率MOSFET安全工作区分析了关键参数的特点,阐述了寄生电容及热阻特性,研究了温度对相关参数的影响。 相似文献
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功率半导体器件做为开关使用时,其动态参数对器件的功耗起着决定性的影响。本文通过实验,分析了场效应晶体管MOSFET的Qg参数对器件工作过程中功耗的影响。 相似文献
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引言:功率元件驱动电路的特性在PWM直流伺服系统中占有很重要的地位,在PWM直流伺服系统中,H桥型主电路有四个功率开关器件(功率MOSFET或IGBT),若每个开关器件都用一单独的驱动电路驱动,则需四个驱动电路,至少要配备三个相互独立的直流电源为其供电,这使得系统硬件结构复杂,可靠性下降。 IR2131J是功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路,独有的HVIC(High 相似文献
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本文通过开关器件功率量化比较分析Z源逆变器在不同的直通状态控制下与传统逆变器的电气应力。比较结果显示在升压因子[1 2．1]范围内,Z源逆变器的开关器件总功率最低,尤其是在低功率因数与大直通占空比下,这个范围将得到延伸。本文为在光伏发电系统设计中选择合适的拓扑结构,提供了参考与理论依据。 相似文献
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<正>本文详细梳理了半导体功率器件用氮化硅基片的专利申请趋势、全球专利有效量占比、全球重点申请人、全球专利关注技术功效占比等,希望能对国内氮化硅基片的研发以及产业化提供一些指导方向。近年来,半导体功率器件朝大功率、高密度、集成化等方向发展,因此对陶瓷散热基板提出了更高的要求。目前, 相似文献
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简要介绍了无刷直流电机的工作原理,着重介绍了电机专用控制芯片MC33035的使用方法,并以MC33035、测速芯片MC33039和三相桥功率器件MPM3003为主要器件设计一个无刷直流电机的速度闭环控制系统,控制一台三相电机,试验结果验证了设计方法的正确性. 相似文献
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金锐 《科技成果管理与研究》2022,(2):62-65
绝缘栅双极晶体管(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor,?IGBT)作为新一代功率半导体器件的典型代表,具有开关可控、驱动功率小、能够自限流等特点,是柔性直流输电装备的核心元器件,在"双高"电力系统建设和我国能源战略转型中扮演重要角色.与焊接型IGBT器件相比,压接型IGBT器件具有低热阻... 相似文献
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电磁炉可靠性的好坏直接影响到使用者的人身安危。文章从电磁炉硬件电路设计原理出发,分析了主单元电路功率调节对功率开关器件（IGBT）的影响,对比传统的单端准谐振变换电路设计出一种零电压开关高频变换器,并详细论述了该变换器的整个工作过程,实现了电磁炉低功耗,高效率,可靠性强等优点。 相似文献