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1.
VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现象,通过器件终端结构设计的改进,解决了此问题。终端改进后的产品在150℃、1000小时的高温漏偏试验过程中未发生漏源漏电IDSS增大的问题,试验后常温测试产品漏源漏电IDSS在90n A左右。  相似文献   
2.
一、对中考阅读理解题型的现状分析纵观近几年的中考命题,有关的阅读理解试题具有以下几个特点:1.考题题材广泛,体裁多样,内容丰富。从题材上看,包括人物介绍、神话传说、生活习俗、幽默故事、社会政治、文化体育、科普知识等;从体裁上看,包括记叙文、说明文、议论文、寓言传说、新闻报道、书信广告等。  相似文献   
3.
对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本文针对电压100V、电流180A、导通电阻6.4mΩ的功率MOSFET器件,着重研究了槽栅MOSFET的关键设计和工艺技术,同时利用仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品最终流片、封测结果:技术参数达到了设计要求,并且可以替代国外同类型号产品。  相似文献   
4.
自主探究是《全日制义务教育数学课程标准(实验稿)》中所提倡的一种学习方式,它强调学生的主体地位,是学生在“我要学”的内部动机下,亲身体验、感知学习与认知的过程,自主探求从未知到已知的结论.教师的作用在于指导学生积极发挥自己的主观能动性,自主地发现问题、探求问题、解决问题.那么教师应如何指导才能提高自主探究学习的有效性呢?笔者认为其策略可体现在以下几方面.  相似文献   
5.
为了解决国外对高频开关晶体管的技术垄断,降低国内产品(尤其是军品)的购买成本,本文采用理论计算和软件仿真相结合的方法,利用二维仿真软件ISE对平面外延晶体管的元胞、终端和工艺进行模拟。对封装产品进行了静态参数测试,所有参数均达到了国外同类产品的水平,国内领先。  相似文献   
6.
低年级数学课如何创设愉悦的课堂气氛,让学生自觉地投入到学习活动中呢?我在实际教学中适当引入"激趣三法"形式组织教学.  相似文献   
7.
低年级数学课如何创设愉悦的课堂气氛,让学生自觉地投入到学习活动中呢?我在实际教学中适当引入“激趣三法”形式组织教学。  相似文献   
8.
低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。  相似文献   
9.
语课程改革的一个重要理念是培养学生能力、促进学生的发展,所以《基础教育课程改革纲要(试行)》中说:“教师在教学过程中应与学生积极互动、共同发展,要处理好传授知识与培养能力的关系,注重培养学生的独立性和自主性,引导学生质疑、调查、探究,在实践中学习,促进学生在教师指导下主动地、富有个性地学习。”因此,倡导自主式、合作式、探究式的学习方式是课堂教学改革的核心任务。  相似文献   
10.
本文主要采用数字复接技术、语音/视频压缩编码技术,以DSP(TMS320F206)为核心研制了一种电力线载波数字通信终端。  相似文献   
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