VDMOS高温反偏漏电流稳定性技术攻关     

陈骞  丁文华  习毓  刘琦  单长玲 《黑龙江科技信息》2018,(25)

VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现象,通过器件终端结构设计的改进,解决了此问题。终端改进后的产品在150℃、1000小时的高温漏偏试验过程中未发生漏源漏电IDSS增大的问题,试验后常温测试产品漏源漏电IDSS在90n A左右。  相似文献   

100V,180A槽栅MO SFET设计和工艺研究     

丁文华  陈骞  刘琦  田欢  单长玲 《黑龙江科技信息》2018,(27)

对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本文针对电压100V、电流180A、导通电阻6.4mΩ的功率MOSFET器件,着重研究了槽栅MOSFET的关键设计和工艺技术,同时利用仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品最终流片、封测结果:技术参数达到了设计要求,并且可以替代国外同类型号产品。  相似文献   

40V低压P沟VDMOS产品的设计与工艺研究     

丁文华  智晶  刘琦  单长玲  常婷婷 《黑龙江科技信息》2018,(26)

低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。  相似文献