VDMOS高温反偏漏电流稳定性技术攻关     

陈骞  丁文华  习毓  刘琦  单长玲 《黑龙江科技信息》2018,(25)

VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现象,通过器件终端结构设计的改进,解决了此问题。终端改进后的产品在150℃、1000小时的高温漏偏试验过程中未发生漏源漏电IDSS增大的问题,试验后常温测试产品漏源漏电IDSS在90n A左右。  相似文献   

高频开关晶体管设计研究     

习毓  白朝辉  刘文辉  丁文华 《黑龙江科技信息》2011,(25):17+211-17,211

为了解决国外对高频开关晶体管的技术垄断,降低国内产品（尤其是军品）的购买成本,本文采用理论计算和软件仿真相结合的方法,利用二维仿真软件ISE对平面外延晶体管的元胞、终端和工艺进行模拟。对封装产品进行了静态参数测试,所有参数均达到了国外同类产品的水平,国内领先。  相似文献   

总剂量辐射加固VDMOS器件研究     

习毓  刘文辉  闫磊 《黑龙江科技信息》2015,(19)

分析了电离总剂量加固的基本理论,提出了先进行P阱注入,高温退火形成要求的P阱结深,再进行高质量Si O2-Si3N4双层栅介质的生长工艺,来提高VDMOS器件的抗辐射能力,加固后器件的总剂量由原来的5k Rad(Si)增加到100k Rad(Si)。试验结果表明这种加固技术可以提高器件的电离总剂量强度。  相似文献