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采用双干涉吸收膜系结构设计在不锈钢基片(SS)和铜基底表面制备了MoSi2-/MoSi0-Al2O3(高体积分数金属填充因子层(HMVF))//MoSi2-Al2O3(低体积分数金属填充因子层(HMVF))/Al2O3选择性吸收多层膜,通过摸索不同的基底、各层厚度匹配,不同体积分数对选择吸收的影响及制备工艺优化获得最佳的太阳能吸收率为0.94,红外发射率为0.08。该膜层经500℃真空退火后吸收率和发射率没有明显变化,表明陔涂层在该温度下热稳定性良好。 相似文献
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利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。 相似文献
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本文在建立一维纳米摩擦模型的基础上,对纳朱摩擦现象进行了分子动力学模拟研究.研究结果表明,表面接触界面之间的晶格匹配度时纳米量级的摩擦起到较大的调制作用,而这种调制作用随着晶格匹配度的变化而产生调制作用的大小也不同.分析表明在完全匹配的情况下摩擦最大,而其他因素例如界面接触势垒的大小、形式等与匹配度相比时摩擦的影响较小. 相似文献
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中国科学院物理研究所 《中国科学基金》2007,21(2):127-127
近日,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室SF4研究组及其合作者在薄膜生长动力学研究中取得新进展。他们从实验和理论上研究了Si(111)单晶衬底上Pb薄膜中的厚度变化对原子表面扩散运动的影响,证明了量子尺寸效应对原子表面扩散运动的调制作用。该成果被选作封面图片发表在美国《物理评论快报》(Phys.Rev.Lett.97,266102(2006))上。 相似文献
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金属氧化物纳米点薄膜的模板法合成 总被引:6,自引:0,他引:6
报道了一种简便的金属氧化物纳米点薄膜的合成方法.首先制备了具有有序纳米凹坑阵列的多孔阳极氧化铝模板,然后在模板表面真空蒸镀金属薄膜,对所制备的金属薄膜进行氧化处理,得到了具有有序纳米点阵列的金属氧化物纳米点薄膜.纳米点的直径约为 1 0 0nm,高度约为 45nm,以六边形有序排列,密度约为 2× 1 0 1 3个/m2 . 相似文献
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纳米TiO_2对染料敏化纳米薄膜太阳电池的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
在染料敏化纳米薄膜太阳电池中 ,纳米TiO2 是重要的组成物质之一 .用溶胶 凝胶法制备纳米TiO2 的过程中 ,为了控制纳米TiO2 的大小及晶型采用了一系列方法 .主要介绍热处理方法及实验结果 .随着热处理温度的升高 ,纳米TiO2 的晶粒度随着长大 .而且当水解pH~1 ,热处理温度达到 2 70℃时就已经有 43 %的金红石相纳米TiO2 出现 .通过计算发现 ,其中金红石相纳米TiO2 比锐钛矿相纳米TiO2 的晶粒度大得多 .将制备的纳米TiO2 应用于染料电池 ,通过太阳电池的测试实验证实 ,合适的热处理温度可得到较好的光电转换效率 相似文献
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通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献
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纳米TiO2对染料敏化纳米薄膜 总被引:5,自引:0,他引:5
《中国科学院研究生院学报》2001,18(1):28-30
在染料敏化纳米薄膜太阳电池中,纳米TiO2是重要的组成物质之一.用溶胶-凝胶法制备纳米TiO2的过程中,为了控制纳米TiO2的大小及晶型采用了一系列方法.主要介绍热处理方法及实验结果.随着热处理温度的升高,纳米TiO2的晶粒度随着长大.而且当水解pH~
1,热处理温度达到270℃时就已经有43%的金红石相纳米TiO2出现.通过计算发现,其中金红石相纳米TiO2比锐钛矿相纳米TiO2的晶粒度大得多.将制备的纳米TiO2应用于染料电池,通过太阳电池的测试实验证实,合适的热处理温度可得到较好的光电转换效率. 相似文献
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本论文通过改变前驱体浓度、水热温度等,使之对纳米棒生长机理的产生影响,同时通过对已合成的纳米棒薄膜生长晶种,进行二次水热,从而获得具有较高比表面积的树枝状纳米结构,进而提高电子的传输速度,有效提高太阳能电池的整体转换效率。 相似文献
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科学技术的快速发展,使得多晶硅薄膜的制作工艺得到了完善优化,并且,多晶硅薄膜也已经得到了广泛的应用。本文介绍了结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜的多种工艺方法,细致研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响,分析了多晶硅薄膜制备工艺的应用发展,希望能够为相关人员提供参考借鉴。 相似文献