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《东南大学学报》2015,(4)
采用X射线衍射和电子背散射衍射研究了第二相析出对冷轧AA3003铝合金再结晶织构的影响.当退火温度为783 K时,由于退火温度高,AA3003合金再结晶织构不明显.而在相同退火条件下,在添加了0.39%钪的AA3003合金中发现了强烈的P{011}〈111〉织构.采用EBSD分析再结晶初期的合金,发现2种合金的再结晶形核均无明显择优取向.第二相颗粒析出先于或与再结晶同时发生时,会显著阻碍除P取向晶核之外的再结晶晶核的长大,导致P取向的再结晶晶核长大速度明显快于其他取向的晶核.因此,在并发沉淀析出影响的AA3003合金中形成了强烈的P{011}〈111〉再结晶织构. 相似文献
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3.
采用常规低温高磁感取向硅钢钢种,开展脱碳退火速度工艺试验,研究了不同脱碳退火速度及炉内气氛对脱碳板参数和成品磁性能及表面质量的影响。结果表明,随着工艺速度的提升会导致退火钢板的氧化层减薄,脱碳渗氮亦会受到影响,并使工序中的初次再结晶组织发生变化从而影响成品磁性。通过对炉内气氛的适当调节,得到一种既能提高退火工艺速度,又能够优化最终成品铁磁性能和表面质量的脱碳渗氮工艺,最终达到节能降耗的目的。 相似文献
4.
本文采用磁控溅射法制备了HfOxNy高介电薄膜，结合XRD、XPS等手段研究了退火温度对薄膜的结构和化学键态的影响，发现N的掺入使Hf4f峰位向低能方向移动．而随着退火温度的升高，Hf4f的双峰峰位向着高结合能的方向移动，这表明N的含量随着退火温度的升高而降低．XRD结果显示N的掺人能提高薄膜的晶化温度． 相似文献
5.
利用X-射线衍射技术测定了添加Al的Fe-0.6%Si无取向电工钢主要{hkl}的点阵畸变、形变织构和再结晶织构,并研究了它们之间的关系。发现添加0.3%Al后,Al N质点的存在增加了冷轧晶粒的点阵畸变,降低了有利织构组分的相对点阵畸变储能和γ-纤维织构(111//ND)的密度,导致成品中的有利织构组分减少,磁性降低。延长退火保温时间是改善添加0.3%Al的Fe-0.6%Si无取向电工钢磁性的一条途径。 相似文献
6.
冷轧纯铝板在不同温度退火后的织构 总被引：1，自引：0，他引：1
通过对单向冷轧的纯铝板在140℃，200℃，300℃，380℃退火，用X射线衍射物相分析，研究冷轧纯铝板在退火前和各温度退火后的织构，结果表明，在140－300℃的中低温退火后，板中的形变强织构被削弱，产生新的退火织构；在380℃的高温退火后，板中的形变强织构被进一步增强。 相似文献
7.
采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜,然后经过不同温度的热退火处理,获得硼掺杂纳米硅薄膜．结果表明,退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,在1000℃时,薄膜的晶化率达到77％,晶粒大小为3．9nm．退火温度低于600℃时,光学带隙随着退火温度的升高而变窄,高于600℃... 相似文献
8.
通过Raman光谱、紫外-可见透射光谱技术及原子力显微镜对非晶碳化硅薄膜结构和光学特性的热退火效应进行了研究。结果表明,碳化硅拉曼谱带随退火温度的增加而逐渐红移和尖锐化,显示了薄膜中晶化有序度的提高。退火后薄膜包含大量紧凑的纳米团簇,膜面相对于未退火样品较为粗糙。根据紫外-可见透射光谱导出的光学带隙从原始样品的1．86eV连续增加到经1050℃退火样品的2．23eV。碳化硅薄膜中纳米团簇的形成及其晶化程度的增加导致了薄膜光学带隙的蓝移效应。 相似文献
9.
本文探讨了平整和退火处理工艺对不同成分、不同工艺生产的成品硅钢片磁性能的影响，并得出中低牌号硅钢经平整和退火毡理后磁性能改善显著的结论。 相似文献
10.
对退火过程中露点的影响因素及其对生产与设备造成的影响进行了阐述:退火过程中的露点的影响因素主要有带钢表面总的油含量、加热速度和H2吹扫速度,以及钢带所带的乳化液的多少;露点温度的高低对钢的氧化、炉辊的结瘤甚至汽车板产品后续的脱脂性能都有影响。 相似文献
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刘伟杰 《沈阳教育学院学报》2001,3(1):98-100
采用嵌入原子法对纯铝完整晶体及晶界附近的空位进行了计算机模拟，由形成能的计算表明，空位更容易在晶界产生，原子结合能越小空位形成能越小。 相似文献
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对高磁感取向硅钢冷轧片进行脱碳退火前的快速加热处理,然后研究快速加热处理对产品磁性能的影响。结果表明,B800性能有了显著提高,同时铁损也有明显改善。研究表明,脱碳退火前的快速加热对初次再结晶平均晶粒尺寸影响不大,但对初次再结晶织构有影响。快速加热处理后,样品中{110}晶粒尺寸减小,数量增多,有利于提高二次再结晶整体取向的准确性,有效提高磁感。在抑制剂状态良好时,快速加热处理在保证取向准确的同时可有效地减小二次再结晶晶粒,得到磁感高、铁损低的优良综合性能。 相似文献
14.
陈勤 《安徽广播电视大学学报》2000,(1):81-85
本文研究了锰氧化物系列中Ｌａ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３、Ｌａ０．６Ｐｂ０．４ＭｎＯ３多昌样品的输运性质,发现两样品的电阻率随温度的变化曲线在低温下（Ｔ〈０．８Ｔ）。皆存在明显的肩型凸起,与其相应单晶材料的性质有很大不同。作者认为这是晶界效应的贡献所致。文中首先从块层模型出发对昌部晶界效应和本征输运的共同存在及其作用规律进行讨论然后从晶粒内与晶界上两种双交换作用能量的差异探讨晶界效应的一种可能机理。 相似文献
15.
The Robustness of Infant Haptic Memory: Testing Its Capacity to Withstand Delay and Haptic Interference 总被引：1，自引：0，他引：1
Di Catherwood 《Child development》1993,64(3):702-710
The robustness of infant haptic memory was assessed in terms of its capacity to withstand either a brief delay or potential retroactive "interference" from other haptic input. 48 infants (mean age 8 months) were familiarized haptically to a small cube or sphere with smooth or rough surface texture and subsequently tested for recognition of the shape and texture of this stimulus in terms of the relative level of haptic response to 3 test stimuli, comprising the familiar stimulus, a new-shape stimulus, and a new-texture stimulus. The test stimuli were presented ( a ) immediately, ( b ) after a 5-min delay, or ( c ) after a second familiarization or "interference" phase involving another haptic stimulus different in shape and texture to the first. The infants demonstrated recognition of shape and texture in the No Delay condition, of shape and (marginally) of texture in the Delay condition, but only of texture in the Interference condition. The greater susceptibility of shape to interference was considered in terms of the degree of similarity among the shapes employed in the study. 相似文献
16.
于全有 《通化师范学院学报》2011,32(3):19-22
19世纪,人类有关语言本质问题的认识,在已有语言工具论、符号论等有关理论继续得以向前发展的同时,又出现了语言世界观说、语言生物机体说,以及语言的本质在于交际等一些新的思想火花。 相似文献
17.
晶界在影响SrTiO3晶体电学性质方面起着重要作用.为了理解晶界结构与电子结构的关系,建立了3个晶界模型和SrTiO3原胞,应用Material Studio的CASTEP模块对它们的能带结构和态密度进行了模拟运算,分析了晶界的存在和晶粒取向度的不同对Ti和O原子的电子结构的影响.结果显示,晶界处会形成明显的缺陷态,而晶粒取向度与晶界角度的不同与缺陷态的性质没有直接的关系.这些发现对了解陶瓷中的晶界电子结构具有积极的意义. 相似文献
18.
利用交流阻抗谱方法,讨论了高压下晶界效应对β硼电输运性质的影响,最高压力为28.3GPa.结果表明：晶粒电阻和晶界电阻均随压力逐渐减小;晶界电阻对总电阻的贡献随压力逐渐减小,当压力达23.9GPa时,随着范德瓦尔斯力及晶界相互作用的出现,晶界传导几乎消失. 相似文献
19.
通过甘氨酸-硝酸盐（GNP）法合成了Ce0.8Sm0.2O1.9-δ-La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ（SDC-LSGM）复合电解质.采取共燃烧法制备了一系列不同质量百分比的复合粉体以提高这2种粉体的混和均匀度.通过XRD和SEM分析了复合电解质的物相和结构,并且采用直流四端子法和交流阻抗谱研究分析了复合电解质的氧离子电导率.SDC与LSGM的最佳混合质量比为8∶2,其电导率在800℃时为0.113S/cm,而电导活化能仅为0.620eV.交流阻抗谱显示,随着温度的降低,晶界电阻是复合电解质氧离子传输的主要障碍,在SDC中掺入一定量的LSGM不仅可以减少电解质的电子传导,还能改善电解质中晶粒与晶界微观结构,有助于氧离子传导性能的提高. 相似文献