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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
文章详细的分析了冷轧带钢在退火工序中产生氧化色和粘结缺陷的原因,提出了减轻和消除缺陷的具体措施,可有效改善冷轧板的表面质量,达到光亮退火的目的。  相似文献   

2.
通过超高真空反应磁控共溅射方法制备了CoTiO_2薄膜样品,在退火过程中加入了紫外光照射,研究了退火温度在反应共溅法中对薄膜微结构和磁性能的影响。形貌和结构研究表明,随着退火温度的升高样品的表面颗粒尺度逐渐减小,温度越高越有利于磁性相的形成,且500℃退火温度下锐钛矿结构的衍射峰较明显,晶胞变大;磁滞回线显示出样品呈现铁磁性特征,并且随着退火温度的升高样品的磁化强度逐渐降低;热磁曲线测量显示有序温度高于120℃。退火过程中进行辐照干预的处理,发现在薄膜制备过程中对薄膜的结构及磁性有重要影响。铁磁性有可能是起源于在热处理过程中引起的磁性离子和氧空位导致的晶格缺陷。  相似文献   

3.
镀层的晶粒尺寸和织构是影响热浸镀锌钢板的镀层性能的重要因素。主要探讨了镀层退火处理对镀层晶粒尺寸和织构的影响。通过金相显微镜、扫描电镜和EBSD分析手段对比研究了退火前后镀层的晶粒尺寸和织构,结果显示,通过镀层退火工艺可以得到均匀细小的镀层晶粒组织。同时,采用镀层退火处理可显著降低通常被认为对镀层冲压性能有害的锌孪晶现象,EBSD分析显示镀层的0002织构在镀层退火后显著增加,有利于提高镀层的冲压性能,减少冲压缺陷的产生。  相似文献   

4.
随着互联网的普及和网络信息传播速度的加快,意见领袖在网络信息传播控制中起到至关重要的引导作用。针对当前有关意见领袖的研究方法忽略了网络用户行为与情感倾向之间的关联性,或者只是将回复次数当作用户节点权重而进行简单累加的缺陷,提出一种基于用户情感倾向的意见领袖发现算法以提高意见领袖识别的精准度。不仅综合考虑了回复者对发帖者情感倾向,还将回复文本中大量存在的匿名回帖纳入计算,得到实名、匿名相融合的用户领袖值。以某论坛数据设计实验,结果表明,该算法具有更高的识别准确度。  相似文献   

5.
为反映退火碳钢含碳量的客观数值,弥补传统金相观察法存在主观估计偏差缺陷和需要制作金相试样的过程周折,实验中采用简易的硬度测量法对退火碳钢的硬度进行测量,并对测量数据进行相关性分析,得到退火碳钢含碳量与硬度线性相关的特性.利用最小二乘法拟合,得到硬度与含碳量的线性回归方程,并以此实现对未知退火碳钢的估计.通过金相组织观察及杠杆定律法对未知碳钢含碳量进行估计,结果与硬度测量法测定的含碳量基本一致.与金相图谱比对再次验证实验结果.硬度测量法可以实现对未知退火碳钢更客观、更准确的估计,并节省了制作金相试样的时间和成本.  相似文献   

6.
文章在结合冷轧厂从轧制工艺、退火工艺到平整工艺等生产过程着重进行了时粘结缺陷的研究,目的是找出影响粘结产生的诸多因素,分析这些因素的影响方式及控制方法.  相似文献   

7.
分析了不同退火温度下ZnO薄膜的XRD及PL谱,结果表明:ZnO结构及光学特性的优劣与薄膜中的缺陷紧密联系,而温度是改变晶体缺陷的重要条件。文章详细分析了温度影响ZnO晶体的结构和发光特性的机理。  相似文献   

8.
随着时代的发展,广义工程教育和现有工程教育都存在不同程度的缺陷,高校应在实践共同体意义理论的基础上,建立工程教育考察的新维度.根据工程意义协商和回复程度,工程教育可划分为理论脱离实际、理论联系实际、实际参考理论三个层次.  相似文献   

9.
绝缘体上的锗硅(SiGe.On.Insulator,SGOI)材料不仅是高迁移率新型沟道材料应变硅的良好衬底,其本身也是一种极具潜力的高迁移率衬底材料.Ge浓缩是获得高Ge组分、高质量SGOI的最优制备方法之一,传统Ge浓缩工艺在实验中得到改进,在高纯N2气氛中,进行了1000oC的后退火以改善所得SGOI中Ge元素的分布.实验制备了三种后退火条件下的Ge浓缩样品以作对比,并在三种样品上分别外延了20nm厚的顶层Si以进一步确定所得SGOI材料性能.实验结果发现。三种样品表面平整度并无太大差别,而使用了改进后退火工艺的样品具有最好的Ge组分均匀性和最低的缺陷密度.同时,改进后退火工艺的样品上外延所得顶层硅具有最大的应变值,而Si/SiGe界面处Ge的组分是顶层硅应变度的决定性因素之一.  相似文献   

10.
利用低温分子束外延技术制备高质量的GaMnAs薄膜,通过XRD对样品进行分析,从实验和理论上分析生长条件、退火条件对薄膜缺陷及薄膜性能的影响.尤其是分析系统的研究间隙位Mn原子与As反位原子缺陷的变化,从而深入理解掺杂原子的周围结构与磁性之间的关系,为下一步制备自旋器件提供高载流子浓度、高居里温度的(Ga,Mn)As材料提供了可能性.  相似文献   

11.
通过对梯度法与模拟退火算法优缺点的分析,提出了一种梯度退火新型混合全局优化算法。该算法利用梯度法的快速寻优特性得到某一局部极值,然后采用模拟退火算法的全局搜索寻优能力跳出该局部极值,经过反复混合迭代最终获得全局最优解。仿真实验表明,该新型混合优化算法显著提高了求解全局优化问题的计算效率。  相似文献   

12.
为改进AFSA优化精度低、运行时间长的问题,借鉴模拟退火算法中的Metropolis判别准则改进人工鱼的觅食行为,在利用人工鱼全局寻优的同时并利用模拟退火算子实施局部细化,提出一种改进的人工鱼群优化算法(SA_IAFSA),并用于求解多峰函数的优化问题。仿真结果表明,该算法保持AFSA算法简单、易实现的特点,克服人工鱼漫无目的随机游动以及容易陷入局部最优值的缺点,显著提高算法的运行效率和求解质量。  相似文献   

13.
讨论了Si/SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制。半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性能,直接受到退火工艺的影响和制约,退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素,可能使得薄膜变成并不是所期望得到的结果。该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火,提高了退火可信度,使纳米复合薄膜的结果更可靠。  相似文献   

14.
分析了退火工艺对轴瓦钢背用冷轧带钢性能的影响,结果表明,延长退火保温时间、提高退火温度有利于改善渗碳体分布,并增加延伸率。在保温时间为4小时、退火温度为700℃的退火工艺条件下,试验钢的延伸率达到43%的最高值,其屈服强度为220MPa,抗拉强度为355MPa,金相组织为铁素体+渗碳体,渗碳体分布均匀。  相似文献   

15.
加磁场退火对铁基薄膜巨磁阻抗效应的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
用射频溅射法制备了(Fe88zr7B5)0.97CU0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对(Fe88Zr7B5)0.97 Cu0.03薄膜软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明,纵向和横向磁场退火方式都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13 MHz频率下纵向最大GMI比分别为18%和17%;纵向磁场退火能有效消除薄膜样品的磁各向异性,优化薄膜样品的软磁性能;横向磁场退火则能有效感应横向磁各向异性并提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度。  相似文献   

16.
聚对苯二甲酸乙二酯受水作用导致在高于室温的诱导结晶作用,对PET树脂的烘干、加工均密切相关。本文应用X-射线衍射,扫描电镜的考察表明:由于水诱导作用的结果,结晶过程在较低温度下便迅速进行,导致结构上的不稳定和不完整,而在较高温度作进一步处理时,会发生熔融重结晶过程而趋于完整,相应结晶指数和熔点增高。  相似文献   

17.
浮法玻璃退火的热应力及其分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
浮法玻璃退火的目的是消除或减小玻璃中的热应力。本文从热应力的基本概念出发,分析讨论了热应力的起因、分类和特性,为正确制订浮法玻璃退火规范提供了理论依据。  相似文献   

18.
鲁棒点匹配算法中的退火温度是按常数比率降低的,它导致运行时间长。文章基于对应关系矩阵的熵和退火温度是同时变化的现象,提出采用熵来建模退火温度,由此得到一种新的算法。尝试了两种实现方案,实验表明它们都比原算法高效,其中一种实现方案的鲁棒性和配准精度都非常接近原算法。  相似文献   

19.
制备了结构为:ITO/PEDOT:PSS/P3HT+PCBM/LiF/Al的有机太阳能电池,研究退火对电池性能的影响,实验发现:经过60 min 150℃退火处理后,器件开路电压(Vo)c为0.57 V,短路电流密度(Js)c达到6.32 mA.cm-2,填充因子(FF)达到0.55,光电转换效率(ηp)达到2.01%,器件性能明显提高。探讨了退火对电池性能影响的内在原因。  相似文献   

20.
采用射频磁控溅射技术用单晶Si(111)和载玻片制备了SiO2薄膜。对薄膜进行了不同温度的退火处理。利用X射线衍射仪,紫外-可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等测试不同退火温度下SiO2薄膜的微结构、透反射曲线和红外吸收谱。研究表明:退火后SiO2薄膜仍为四方结构,薄膜的平均晶粒尺寸随退火温度的升高逐渐增大,晶格常数与标准值相比均稍小。退火温度对薄膜平均反射率影响不明显;薄膜平均透射率随退火温度的升高先增大后减小。  相似文献   

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