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利用基于第一性原理和陈氏晶格反演方法获得的原子间相互作用对势模拟计算了RMn12-xFex（R=Y，Ho，Er）金属间化和物的结构性质，计算结果表明第三组元Fe择优占据8f晶位，8j晶位与8i晶位次之，计算的晶格常数与实验结果符合较好.利用晶格反演的原子间相互作用对势对RMn12-xFex复杂结构的一些力学性质如弹性常数和体模量进行了模拟计算，并首次探讨了该体系的声子态密度曲线及德拜温度. 相似文献
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汪志刚 《内江师范学院学报》2009,24(4):35-36
基于密度泛函理论框架下平面波赝势法的VASP软件包。根据任意给定的一个晶胞棱边长度在原胞内求解Kohn—Sham方程,在计算得到的4．05A这个晶格常数的基础上,分析计算了铝晶体的能带结构。其结构图和前人所得到的结果相符,同时还得到了铝的价电子具有较大的非局域性、共价性强的特点． 相似文献
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利用局域密度近似第一性原理方法，研究了氢在Si低指数面（100）、（110）、（111）上的吸附结构。用两种不同的势（US—PP和PAW）对Si晶格常数优化，计算表明两种势对Si晶格常数的影响较小（仅为0．002nm）。US—PP势总能计算表明：对于Si体系，清洁Si表面的（111）面最稳定；随氢环境的改变（氢化学势的不同），表面稳定结构也随着变化，与实验结果相一致。 相似文献
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利用密度泛函理论的赝势平面波方法对 Mg2Si 晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对电子结构、弹性常数与热力学性质进行了第一性原理计算．结果得到 Mg2Si 是一种带隙为 0.2846eV 的间接带隙半导体;其导带主要以 Mg 的 3p、3s 与Si 的 3p 态电子构成;弹性常量 C11= 114.39GPa、C12= 22.45GPa、C44= 42.78GPa;零温度与零压下的德拜温度为 676.4K．运用线性响应方法确定了声子色散关系,得到 Mg2Si 的等容热容、德拜温度、焓、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系． 相似文献
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王爽 《天津职业技术师范学院学报》2010,(1):12-14,68
对稀土氧化物CeO2掺杂的BaTiO3系统微观结构和介电性能进行了研究。结果表明,在BaTiO3陶瓷中掺杂CeO2会产生细晶效应、介电常数增大以及介电损耗减小等现象。由X射线衍射仪（XRD）计算可知,c轴变长,a轴变短,增强,Ti^4＋“自发极化强度,因而介电常数有所提高。由于Ce^4＋离子进行A位取代,Ce^4＋离子半径（0．103nm）小于Ba^2＋离子半径（0．135nm）,导致晶格常数有所减小,居里温度向低温移动。掺杂CeO2的摩尔分数为0．5％的BaTiO3陶瓷在1240℃下烧成的主要性能指标为：室温介电常数ε25℃≈3160,介电损耗-0．9％,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±15％。 相似文献
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基于第一性原理密度泛函理论,采用局域密度近似的赝势平面波方法计算了掺硫元素红外光学材料Ga Se晶体的物性,包括晶体结构参数优化、微观电子结构和宏观光学性质.计算的纯Ga Se晶格常数的结果与其他实验值较吻合,随着硫含量的增加Ga Se1-xSx晶格常数呈减小趋势.计算得到的电子带结构表明,Ga Se1-xSx是直接带隙半导体材料,能带带隙宽带随着硫含量增加而逐步增加.通过分析计算所得的Ga Se1-xSx光吸收曲线发现该系列晶体具有良好的光学质量,随组分比增加,固溶体Ga Se1-xSx吸收曲线低能端光吸收限蓝移. 相似文献
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利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对CdS晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对弹性常数与热力学性质进行了系统地计算.计算结果得到弹性常量C11=82.39GPa、C12=66.68GPa、C44=23.62GPa;零温度与零压下的德拜温度为204.9K;运用线性响应方法确定了声子色散关系,并得到CdS的等容比热容、焓、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系.科用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对CdS晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对弹性常数与热力学性质进行了系统地计算.计算结果得到弹性常量;零温度与零压下的德拜温度为204.9K;运用线性响应方法确定了声子色散关系,并得到CdS的等容比热容、烩、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系. 相似文献
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基于密度泛函理论框架下平面波赝势法的VASP软件包可以根据任意给定的一个晶胞棱边长度在原胞内求解Kohn—Sham方程,并算出相应的结合能,当结合能为最小值时,整个原胞的结构最为稳定,此时原胞的长度即为晶格常数。我们采用此方法计算了Al单晶的结合能和晶格常数。计算的结果与实验吻合得很好。 相似文献
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王爽 《天津工程师范学院学报》2010,20(1)
时稀土氧化物CeO2掺杂的BaTiO3系统微观结构和介电性能进行了研究.结果表明,在BaTiO3陶瓷中掺杂CeO2会产生细晶效应、介电常数增大以及介电损耗减小等现象.由X射线衍射仪(XRD)计算可知,c轴变长,a轴变短,增强Ti4+自发极化强度,因而介电常数有所提高.由于Ce4+离子进行A位取代,Ce4+离子半径(0.103 nm)小于Ba2+离子半径(0.135 nm),导致晶格常数有所减小,居里温度向低温移动.掺杂CeO2的摩尔分数为0.5%的BaTiO3陶瓷在1 240℃下烧成的主要性能指标为:室温介电常数ε25℃a≈3 160,介电损耗≈0.9%,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±15%. 相似文献
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采用固相法制备了施主杂质Nb和受主杂质Mn共掺的BaTiO3基半导体复合陶瓷.通过对比实验结果,详细地分析了施主杂质和受主杂质的参杂效应对于BaTiO3基PTC陶瓷的室温电阻率和升阻比的影响,得到了充分利用BaTiO3基半导体复合陶瓷PTC效应较为理想的掺杂浓度范围.同时,比较Heywan与Ihring模型对于PTC效应的不同解释,根据原子价控理论和铁电效应补偿理论进一步分析了PTC效应的微观机制,较为完备地解释了PTC效应. 相似文献
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采用传统固相反应方法制备了(Ba1-xSrxTiO3,BST)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)陶瓷材料,用X射线衍射方法和介电谱方法研究了所制备陶瓷材料的结构和介电性能,结果表明,所制备样品,Sr2+进入BaTiO3后与Ba2+形成了钙钛矿型连续固溶体;随着Sr2+含量的增加,峰位向高衍射角度移动,晶粒尺寸减小,说明Sr2+的掺入抑制了晶粒的生长;BST的系列样品随着温度的升高,介电常数增大,但是随着频率的增大介电常数减小,且峰值随着Sr2+含量的增加都向低温区移动,Sr2+的掺入,有明显的压峰效应,具有弥散相变的特征. 相似文献
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分别采用溶胶-凝胶法和固相反应法制备BaTiO3纳米粉体和CaCu3Ti4O12多晶块材,并系统地研究两者的介电性能。实验结果表明:BaTiO3体相陶瓷的介电性能受温度的影响较大,当频率在200~150 000 Hz范围内变动时,其室温介电常数ε最高达2 967,具有很好的频率稳定性、介电损耗小,可用来制作某些电子元件;然而CaCu3Ti4O12多晶块材的介电常数ε在(1 kHz,300 K)时高达14 000,并在100~350 K的温区内基本保持恒定,具有极好的温度稳定性。因此,在现实的应用过程中,CaCu3Ti4O12多晶块材以高介电常数、受温度影响变化小、介电损耗小等优点而更具应用前景。 相似文献
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从驱动组元的工作机理角度,系统分析了目前可用于智能材料系统中的驱动材料,提出了场诱发相变驱动材料的设计思想,对场诱发相变的铁电体和反铁电体材料进行优化设计和制造,结果表明:研制场诱发相变的理想驱动材料是可能的。 相似文献
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根据电场能促进骨细胞生长这一生物学特点,设计一种新型的既能填充骨缺损又能刺激骨细胞形成的仿生人工骨材料,从众多的压电陶瓷中选取BaTiO3、从活性生物材料中选取Ca3（PO4）2为主要原料,辅以助熔剂、成孔剂等添加剂,合成压电相与磷酸三钙复合型生物陶瓷人工骨（BTTCP）,确定合适的制备工艺,并用XRD、SEM、EPMA等现代测试手段对其组成、性能及微观结构的关系进行探讨和分析,为骨缺损的修复探索一条新途径. 相似文献
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用第一性原理计算方法研究了一种碳的同素异形体P-碳的电学和力学性质。结果表明,P-碳是一种宽带隙半导体,计算的带隙值为3．47eV。计算P-碳的体模量和剪切模量分别为434．9GPa和484-3GPa。p-碳的维氏硬度高达96．3GPa,表明它是一种潜在的超硬材料。计算P-碳的拉伸强度接近于金刚石。 相似文献
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使用水热法合成了NaGd(WO4)2:Yb3+,Er3+,Tm3+荧光粉,借助PMMA胶体模板自组装法制备了三维反蛋白石光子晶体,并表征了样品的表面形貌和结构特征。样品具有四方晶系NaGd(WO4)2的晶格结构,电子显微镜观察到规则排布的微球蛋白石模板和退火之后形成的正六边形空腔结构。光谱测试发现,在反蛋白石光子晶体微孔直径185 nm左右时,得到了相对最强的发光增强效果;实验样品中光子带隙的存在显著增强了蓝光发光而抑制了红光发光,导致光子晶体样品整体发光从荧光粉的暖白光转变为偏绿色。对比荧光粉样品,反蛋白石光子晶体样品中Er3+离子4S3/2→4 I15/2的发光寿命显著增加,但光子带隙的变化对寿命影响不大。与参考样品相比,反蛋白石光子晶体样品对温度淬灭现象具有显著的抑制作用。 相似文献