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利用密度泛函理论的赝势平面波方法对 Mg2Si 晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对电子结构、弹性常数与热力学性质进行了第一性原理计算．结果得到 Mg2Si 是一种带隙为 0.2846eV 的间接带隙半导体;其导带主要以 Mg 的 3p、3s 与Si 的 3p 态电子构成;弹性常量 C11= 114.39GPa、C12= 22.45GPa、C44= 42.78GPa;零温度与零压下的德拜温度为 676.4K．运用线性响应方法确定了声子色散关系,得到 Mg2Si 的等容热容、德拜温度、焓、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系． 相似文献
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李美玲 《鞍山师范学院学报》2012,14(6)
运用密度泛函(DFT)平面波赝势方法(PWP),计算了钠锰氧化物三种物相的状态方程及其电子结构.研究结果表明:利用状态方程得到的钠锰氧化物从尖晶石型结构的SP相转变为CF相和CT相的相变压强分别为4.94 Gpa和20.48 GPa,CF相与实验值误差仅为+0.44 Gpa.进一步对CT相钠锰氧化物的能带结构和态密度的分析表明钠锰氧化物CT相是一种带隙为2.15 eV的窄禁带半导体材料.靠近费米能级附近的Mn-3d电子轨道和O-2p电子轨道的强烈杂化决定了材料的电子性质. 相似文献
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李传生曾寿金许明三刘广何伟辉 《福建工程学院学报》2021,(4):349-355
基于三周期极小曲面(TPMS)设计5种不同孔隙率梯度分布的梯度多孔支架,利用选区激光熔化(SLM)技术制造Ti6Al4V梯度多孔支架。该支架具有类似于人骨梯度多孔结构的梯度孔隙率。压缩测试结果表明,5种梯度多孔支架的弹性模量为8.75~13.88 GPa,抗压强度为219.48~ 528.21 MPa,符合承载骨的弹性模量和抗压强度要求。弹性模量和抗压强度都随着平均孔隙率P- (或边缘孔隙率PB )的增大而减小,P-对弹性模量和抗压强度的影响大于PB。采用Gibson-Ashby的拟合结果可以为承载骨的设计提供参考。 相似文献
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郝正同 《绵阳师范学院学报》2010,29(5):18-21
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对NaSi和KSi的电子结构进行了理论计算,能带结构计算表明NaSi是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.32eV;KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42eV;并详细讨论了NaSi和KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度。 相似文献
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陈健生 《中学生(作文版)》2006,(4)
氮化镓是一种重要的光电半导体材料,属“宽”能隙半导体材料,其能隙为3．4电子伏特。这种物质可传送光线而不会将能量以热的形式浪费掉;它可把手机信号扩大10倍,让电脑的速度提高1万倍;它可将阳光引 相似文献
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“元素守恒法”是化学计算中使用频率较高的一种方法．与碳的化合物有关的众多试题中能运用元素质量守恒求解的较多．解题时只要抓住反应前后某元素的质量保持不变。便可简化计算步骤，提高解题速度和准确度． 相似文献
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李金龙 《黄冈师范学院学报》2008,28(3):5-8
目的：研究BCH-代数中P-半单元的性质。方法：通过在BCH-代数中引入P-半单元的概念,利用BCH-代数本身的特点和性质来研究P-半单元的性质．结果：给出了P-半单元的一系列等价条件,证明了由每一个P-半单元可以诱导出一个交换半群,并给出了该交换半群成为交换群的条件．结论：本文将BCH-代数中的P-半单元与交换半群联系了起来,并证明了不同的P-半单元所诱导的交换半群是同构的． 相似文献
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对有关文献中关于P-级数敛散性证明的处理方法，文章做了概述和利弊分析，且给出了一种证明方法．本文的方法非常初等，不依赖比较判别法，一次性整个地证明了P-级数(包括调和级数)敛散性． 相似文献
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用FDTD方法计算了二维情况下正方形复式晶胞光子晶体的光子特性.通过光子能带结构、光子态密度的分布以及沿гX方向透射特性的计算,发现透射谱光子带隙的位置与能带结构符合的很好.光子态密度的分布也表明在带隙范围内态密度为零,而且我们计算的带隙比平面波展开法给出的带隙大. 相似文献
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研究了声波在二维声子带隙材料中的传输特性 ,把声子带隙材料作为一个散射体进行处理 .在远场近似下 (kr 1) ,计算了声波在有限范围内声子带隙材料中的传输系数 ,得到了与带结构符合很好的计算结果 相似文献
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崔玉亭 《商丘师范学院学报》1998,(Z4)
利用扩展休克尔方法,计算出NaF晶体的能带结构．得出了价带位置和能隙宽度,导带的最低点在T1．该方案计算简便,大大节省计算时间,与实验数据及其它理论计算比较表明,所得结果与实验数据符合较好． 相似文献
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运用基于密度泛函的第一原理方法对具有钙钛矿结构BaTiO3的热物理性能进行了计算,得到了BaTiO3的晶格常数、弹性性能和热物理性能,并对电子结构特性进行分析。计算结果表明：计算所得的晶格常数和实验值符合的很好,计算了钙钛矿结构的BaTiO3的单晶弹性常数,并利用Viogt—Reuss—Hill方法获得了多晶的体积模量、剪切模量、杨氏模量、泊松比以及弹性各向异性比。由B／G的比值可知,钙钛矿结构的BaTiO3呈脆性性质。能带结构和电子态密度的计算表明,钙钛矿结构的BaTi03是一个具有1．59eV能隙的间隙半导体。利用准谐德拜模型．计算了该化合物的热熔和热膨胀系数随温度和压强的变化关系。 相似文献
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利用传输矩阵,计算了一维双折射型光子晶体的透射谱。得出了双折射型光子晶体的禁带同入射光的 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了金红石结构SnO2的电子结构和光学特性.在不同的截断能下优化SnO2晶胞得：Ecut取380eV最合适,此时a=b=0.4900nm,c=0.3285nm,Eg=1.258eV.通过分析其复介电函数、反射谱、吸收谱以及损失函数等谱线的峰值,可知这些峰值与电子在价带导带间的跃迁有关.计算的光学特性与能带结构态密度吻合很好,为SnO2在光电领域的设计与应用提供了理论依据. 相似文献
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Ta2O5是一种在薄膜材料中具有重要用途的晶体材料。采用第一性原理平面波赝势法,分别计算了本征态Tazos晶体以及存在0空位（Vo）、Ta空位（VTa）、0反替位Ta（Ota）和O间隙（Oi）本征缺陷时Ta2O5晶体的态密度和能带结构,得到了不同的带隙值并对计算结果进行了分析,该结果表明0反替位Ta（OTa）缺陷存在时对Tazos晶体能带结构的带隙值影响最大,其次是O空位（Vo）。 相似文献