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功率半导体器件做为开关使用时,其动态参数对器件的功耗起着决定性的影响。本文通过实验,分析了场效应晶体管MOSFET的Qg参数对器件工作过程中功耗的影响。 相似文献
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高迁移率GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)结构材料在基础物理研究和新型器件及电路的应用方面有十分重要的意义。低温电子迁移率μ超过10~6cm~2/V·s的2DEG材料可用于研究分数量子霍尔效应。高迁移率和高载流子面密度的2DEG材料可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMT)、超高速数字集成电路(VHSIC)和微波毫米波单片集成电路(MIMIC)等超高频、超高速微电子器件和电路,它们被广泛应用在雷达、制导、电子对抗、光纤通讯和数字微波通讯等领域。 相似文献
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《中国科技信息》2015,(22)
<正>项目概况碳化硅是制造高频、高温、大功率半导体器件的理想衬底材料,是发展第三代半导体产业的关键基础材料,己成为当前全球半导体产业的前沿和制高点。然而,碳化硅单晶制备技术被少数国家所垄断,并对我国实行严格的禁运,而国内对碳化硅晶片具有迫切需求,其已成为我国重要的战略物资,在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中明确列为"新一代信息功能材料及器件"优先主题。该项目的研发成功大大降低了碳化硅晶片的成本,填补国家在这一领域的空白,带动了上游的碳化硅原材料产业和下游的宽禁带半导体产业等的发展,并可满足国家国防事业在微波器件衬底上的需要。 相似文献
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"半导体器件原理"是高等院校微电子以及相关专业的一门重要的专业必修课。本文主要概述了固体物理能带理论及其在该课程教学中的具体应用。笔者的教学实践结果表明,深刻地理解固体能带理论有助于学生对于PN结二极管、双极结型晶体管、肖特基势垒二极管以及金属-氧化物-半导体场效应晶体管等构成半导体器件的基本元器件的物理原理的掌握。 相似文献
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随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 相似文献
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<正>功率半导体器件已广泛应用于多个战略新兴产业,而散热问题是影响其性能、可靠性和寿命的关键因素之一。氮化铝粉体具有高热导率等优点,被广泛认为是用于制备半导体功率器件用陶瓷基板的优良材料。本文检索数据库包括CNTXT、ENTXTC、IncoPat, 相似文献
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半导体材料是制作功率器件、晶体管、集成电路、光电器件的基础材料,随着社会不断的进步和发展,直接或间接的影响着人们的生活,同时半导体业的也是物理材料研究的主要方向之一,因此本篇文章对新型的半导体材料的性能以及其应用前景进行了分析和概述。 相似文献
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ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电,要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用,必须获得性能良好p型ZnO。然而,由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素,很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。 相似文献
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中国科学院化学研究所 《中国科学基金》2007,21(2):82-82
在国家自然科学基金委员会、科技部、中国科学院的大力支持下,化学研究所有机固体院重点实验室刘云圻研究员、张德清研究员、朱道本院士和他们的研究生,近期在利用有机氮氧自由基为半导体材料制备的场效应晶体管的研究方面取得新进展,有关研究成果申请了中国发明专利并发表在近期的J．Am．Chem．Soc．(2006,Vol．128,No．40,pp．13058—13059)上。 相似文献
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《黑龙江科技信息》2016,(32)
稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员在ZnO基稀磁半导体材料的研究方面取得了丰硕的成果,但迄今为止所报导的结果大相径庭,仍然还有很多问题存在争议,尤其在磁性方面。常规的稀磁半导体制备方法,如磁控溅射和脉冲激光沉积技术等,均需要很高的生长温度,高生长温度容易催生颗粒在薄膜中的形成,但其低温下制备也难以保证薄膜的质量。运用等离子体增强化学气相沉积法制备稀磁半导体薄膜,具有无法比拟的优越性,对稀磁半导体的研究具有非常重要的学术意义和实用价值。 相似文献
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半导体照明已成为光电转换效率最高的人工光源,节能效益显著.氮化物半导体材料与器件是半导体照明的"核芯",实现超高能效发光器件是国内外半导体照明研发和产业界追求的目标,对掌握半导体照明科技制高点和产业主导权意义重大.
在国家重点研发计划"战略性先进电子材料"重点专项"超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究"项目(项目编号:2017YFB0403100)的支持下,由中国科学院半导体研究所牵头的项目团队依据半导体照明光源全技术链展开,系统突破材料、芯片、封装与光谱技术,在掌握载流子复合规律基础上建立高效器件模型,通过高质量外延材料提升内量子效率,通过芯片和封装设计提升光提取效率,通过光谱匹配实现高效白光器件,并取得了一系列重要进展. 相似文献
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金锐 《科技成果管理与研究》2022,(2):62-65
绝缘栅双极晶体管(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor,?IGBT)作为新一代功率半导体器件的典型代表,具有开关可控、驱动功率小、能够自限流等特点,是柔性直流输电装备的核心元器件,在"双高"电力系统建设和我国能源战略转型中扮演重要角色.与焊接型IGBT器件相比,压接型IGBT器件具有低热阻... 相似文献