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在有效质量近似和变分原理的基础上,选取三个不同的变分波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随量子点高度L及杂质位置z0、p0的变化规律.计算结果表明:三个不同变分波函数计算得到的杂质态结合能随量子点高度L及施主杂质位置z0、p0的变化规律一致,但对比三个不同变分波函数计算所得结果可知,选取单参量的各向同性类氢波函数,杂质态结合能最大,基态能最低,按变分原理,表明备向同性类氢波函数能更好地描写柱形量子点中类氢施主杂质电子的运动,也表明小量子点(量子点的直径和高度可比)中类氢施主杂质态一定程度上的各向同性行为. 相似文献
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在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反：体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。 相似文献
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赵玉岭 《南阳师范学院学报》2005,4(9):21-25,35
利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN／GaN应变类量子点中激子基态能、结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律，计算结果显示，类氢离子杂质束对束缚激子的基态能和结合能有很强的影响。 相似文献
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InxGa1-xN/GaN量子点中类氢杂质态结合能 总被引：1，自引：0，他引：1
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场（BEF）效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN／GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数（高度、半径）、In组分和杂质位置的变化规律。结果表明：类氢杂质位于量子点中心时,杂质态结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随量子点半径增大而减小;而随着In组分的增加,杂质态结合能增大;杂质从量子点下界面沿。轴移至上界面过程中,杂质态结合能增大;量子点内外材料的电子有效质量的失配使杂质态结合能减小。 相似文献
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讨论了Ⅲ-Ⅴ族半导体异质界面上负施主中心的能量随磁场的变化情况,计算中利用变分的方法,得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况,同时计及电子与界面声子的相互作用,计算此界面上负施主角动量L=-1三重态的本征能量和束缚能.研究表明界面声子对施主能量的影响显著. 相似文献
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讨论了两种半导体异质结构中负施主中心（D）能量随磁场的变化情况,计算中利用变分的方法,分析磁场中的电子结构,得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况,计算此异质结构中负施主角动量L 1三重态的本征能量和束缚能,发现L 1三重态在外加磁场0.053时实现了由非束缚态到束缚态的转变。同时计及电子与界面声子的相互作用,数值计算并对比了界面声子对CdSe（ZnSe）和GaAs（GaP）半导体异质界面上D的束缚能的影响。 相似文献
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在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。 相似文献
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惠萍 《广东教育学院学报》2009,29(5):54-58
利用B样条技术计算类氢施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应．计算结果表明：量子环的能级E1随着抛物势ωh的增加而增大．E1-R0曲线存在极小值,极小值的位置r00随着ωh的增加而减小．束缚能Eb随着量子环半径r0的增加而单调快速地下降．在r0〈60nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应很明显．在r0〉60nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应不明显;在r0〈70nm区域,随着角动量m。从0增加到3,E1-r0和Eb—r0曲线的斜率发生剧烈的变化,E1的极小值的位置r00随着mc的增加而快速增大．在r0〉80nm区域,E1-r0和Eb-r0曲线分别会聚成一条线,E1和Eb不依赖于mc值的变化而变化;随着施主杂质的电荷增大,能级E1快速下降,E1-r0曲线的极小值的位置r00明显减小．库仑能不可以作为微扰项来处理． 相似文献
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在描述半导体光学特性时，激子具有重要意义。自由激子束缚在杂质上可形成束缚激子，因此，研究束缚激子体系(D^c，x)的束缚能又显得尤其重要。对此类问题研究中几位物理学家采取的三种不同模型及其结果进行分析、比较，可得出适当结论。 相似文献
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采用量子力学变分原理,设计H^-离子基态三参数变分波函数,算得的基态能很接近H^-离子基态能的公认理论值,该波函数具有参数少、结果也比较准确等优点。 相似文献
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惠萍 《广东教育学院学报》2003,23(2):26-31
用有效质量近似模型来描述微晶CdS和CdSe系统中激子的行为，考虑到介电常数在量子点内外的不同，展示B样条函数基在构成激子波函数中的优越性，讨论激子的基态能量随量子点半径变化的量子尺寸效应．将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行比较，计算结果表明：用B样条函数基构成激子波函数是十分成功的，计算激子的能量与实验符合得很好；当同种量子点处在不同环境时，不仅势垒高度和库仑相互作用能不同，而且激子的有效质量也不同；有效质量近似模型可以很好地描述激子的基态能量的量子尺寸效应． 相似文献
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王成舜 《呼伦贝尔学院学报》2012,(3):101-104
采用线性组合算符和么正变换方法研究了非对称量子点中弱耦合杂质束缚极化子的性质.导出了极化子基态结合能随横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度和库仑束缚势的变化关系以及声子平均数随耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:基态结合能随横向和纵向有效受限长度的增加而减少,随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大.声子平均数随耦合强度的增加而增大. 相似文献
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运用改进的线性组合算符与变分相结合的方法,研究无限深量子阱中强耦合束缚极化子的性质.得到束缚极化子的基态能量和库仑束缚势、阱宽以及拉格朗日乘子的关系.通过数值计算结果表明:当库仑束缚势、阱宽和拉格朗日乘子增大时,基态能量的绝对值增大. 相似文献
15.
尹辑文 《赤峰学院学报(自然科学版)》2018,(8)
本文在电子与体纵光学声子强耦合的条件下,用P ekar类型的变分方法,计算出了三角束缚势量子点中电子的基态能量和第一激发态的能量.将量子点中的这样一个二能级体系作为一个量子比特,研究并讨论了不同电子与声子的耦合强度、极角和电场对量子点量子比特概率密度的影响. 相似文献
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通过求解能量本征方程,得到弱磁场作用下的二维势阱中电子的本征能量及其波函数,进而以基态和第一激发态波函数构造了一个量子比特.数值计算结果表明,量子比特内电子的空间概率密度随空间坐标和时间的变化而变化,在阱的边缘处出现的概率值为零,在其他位置相对较大;各个空间点的概率密度均随时间做周期振荡,振荡周期与阱宽有关,与外磁场无关,它随阱宽的增加而增大. 相似文献
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利用有效质量近似和变分原理,考虑量子点的3维约束效应,研究了圆柱形闪锌矿GaN/AlxGa1-xN量子点的光学特性随势垒层Al含量的变化关系问题。结果表明,势垒层Al含量对量子点的发光波长、振子强度和激子结合能有重要的影响,激子效应对量子点发光波长的影响很大。 相似文献
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在考虑了电子间交换相互作用以及内外壳层电子的不同屏蔽效应的基础上，利用变分原理，计算了镁原子和类镁离子（z=12→17）基态非相对论性能量，计算结果与实验观测值相当接近，误差小于0．3％。 相似文献
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一、选择题 :(本大题共 12小题 ,每小题 5分 ,共6 0分 在每小题给出的四个选项中 ,只有一项是符合题目要求的 )1 如果直线ax+by=4与圆C :x2 +y2 =4有两个不同的交点 ,那么点P(a ,b)与圆C的位置关系是 ( ) A 点在圆外 B 点在圆上C 点在圆内 D 不确定2 以下四个命题 ,其中真命题是 ( ) ①若 ( 1+i) n 是实数 ,则正整数n的最小值是4 ;②若z是虚数 ,则z+1z ∈R ｜z｜ =1;③若z1、z2 都是非零复数 ,z1≠z2 ,且复平面上O为原点 ,点A和B分别与z1+z2 和z1-z2 对应 ,∠AOB= 90°,则 ｜z1｜=｜z2 ｜ ;④若复数z满足｜z- 2｜… 相似文献