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1.
王祥 《中国科教创新导刊》2010,(23):33-33
霍尔效应法不能有效的测量低迁移率薄膜样品的迁移率特性,因而有必要对载流子迁移率测量实验的教学进行一定的改进。本文介绍的传输波测量法是利用半导体与固体声表面波的互作用来研究半导体中载流子的输运过程,通过测量声电流和耦合到样品中的声功率得到载流子的迁移率。 相似文献
2.
采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征. Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/ Ga2O3(45 nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/ Ga2O3膜的光电性质. 相似文献
3.
反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。 相似文献
4.
采用喷雾热解法,在玻璃基板上制备了辐射率较低的SnO2薄膜。利用紫外可见光分光光度计、XRD等手段,研究了沉积温度、液流量对薄膜结构及光电性能的影响。结果表明,沉积温度为520℃、液流量为1.30mL/s时,薄膜具有较佳的电学、光学性能,透过率为80%,电阻率为7×10-4Ω.cm。 相似文献
5.
《赣南师范学院学报》2021,(6):30-34
为了研究溅射电流对磁控溅射沉积钛薄膜光、电学性能的影响,在其它工艺参数相同的情况下改变溅射电流(0.3 A～0.8 A)制备了6组薄膜样品,采用四探针电阻测试仪测量样品的电阻率,用紫外可见分光光度计测量样品的透射率.同时,利用磁控溅射技术成功制取钛薄膜光栅,采用读数显微镜测量光栅常量.研究表明:钛薄膜电阻率随溅射电流的增大而减小,最小电阻率为3.034 3Ω·cm;透射率随溅射电流的增大先减小后增大,最大透射率约为99%(对应溅射电流0.3 A),最小透射率约为0.03%(对应溅射电流0.7 A);测得钛薄膜光栅的光栅常量为(0.170 1±0.000 7)mm. 相似文献
6.
通过固相反应法制备非磁性原子Ti掺杂ZnO系列样品．X射线衍射测量显示样品除了ZnO相外,还产生了Zn2TiO4、ZnTiO3两个物相．晶粒大小为30～60nm．振动样品磁强计测量得出样品的磁性都为抗磁性．样品电阻率大于l02Ω·cm,无霍尔效应和磁致电阻效应． 相似文献
7.
《商洛学院学报》2017,(2)
采用溶胶-凝胶法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1 Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5 at.%时SZO薄膜的结晶生长最好。高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3 at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10(-2)Ω·cm。当Sn掺杂浓度小于3 at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3 at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低。 相似文献
8.
用阳极氧化法在Ti基片上制备出TiO2薄膜,然后通过电化学沉积法将Co-Pi和Cu2O沉积在TiO2薄膜表面.通过扫描电镜、X-射线衍射和光电化学性质测试,发现TiO2薄膜表面先沉积Co-Pi能够有效阻止Cu2O颗粒堆积,光电流显著提高.而先沉积Cu2O后沉积Co-Pi,则会使Cu2O还原为Cu,同时形貌发生改变.特别地,沉积300秒Co-Pi后再沉积Cu2O颗粒,能得到200 mA/cm2的最大光电流. 相似文献
9.
采用阴极电沉积的方法,用CdCl2的二甲基亚砜溶液做电解液在导电玻璃上制备了CdO薄膜.研究了沉积电流与电解液浓度对薄膜结构特性和电学性质的影响.XRD分析表明CdO薄膜为具有强的（200）晶面择优取向生长的立方结构,且随电流与沉积液浓度的变化,薄膜的（200）晶面择优取向程度发生了明显的变化.霍尔测试表明随着电解液浓度的升高,薄膜的面电阻增大.在较低的电解液浓度下薄膜的面电阻值最小为2.1×102Ω/sq..SEM显示CdO晶粒为球状颗粒,电解液浓度对CdO晶粒大小及膜的致密性有一定影响. 相似文献
10.
《实验技术与管理》2015,(5):63-66
为了研究量子效应对磁性薄膜低温输运性质的影响,采用直流磁控溅射方法,通过改变Sm质量分数,制备了厚度约为100 nm的非晶Sm_xCo_(1-x)系列薄膜。输运性质测量发现,由于结构的高度无序,薄膜出现了显著的弱局域化效应。当温度低于50 K时,Sm_xCo_(1-x)薄膜的纵向电阻率和反常霍尔电阻率均随温度降低而呈对数增长。基于Mitra等人提出的颗粒模型,计算了弱局域化效应对纵向电导率和反常霍尔电导率的修正,并进一步分析了反常霍尔电导率与纵向电导率之间的依赖关系。结果表明x=5,29%和x=16,7%样品中弱局域化效应对霍尔电导的修正为零,与理论分析结果一致。 相似文献
11.
本文以Cu(NO3)2.3H2O为铜源,浓氨水为络合剂和NaOH调节溶液的pH,采用化学浴法(CBD)制备了CuO薄膜。通过X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其光催化前后的结构和形貌进行了表征。将CuO薄膜放在含有H2O2的甲基橙溶液中,经不同光源照射一定时间后,取其溶液进行可见分光光度分析来研究CuO薄膜的光催化性能。试验结果表明:紫外灯光源下,当催化剂CuO薄膜的表面积为12.50cm2、3.0%H2O2用量为40.0ml、pH=7时,降解甲基橙溶液的效果较好,光照10min后降解率就达到100.0%;不加H2O2时,需光照40min降解率才能达到100.0%,说明H2O2对CuO膜光催化降解甲基橙起到协同促进作用。 相似文献
12.
何飞刚 《陕西教育学院学报》2008,24(3):76-80
采用TG-DSC方法研究了K3[AL（C2O4）3]·3H2O和K2[Cu（C2O4）2]·2H2O两个配合物的热分解反应过程,对其中部分热解过程进行了动力学计算。由Friedman、Ozawa-Flynn-Wall、ASTME698三种方法得出峰温时的活化能值与指前因子值。应用Achar方法计算拟合得到了比较合理的机理函数。 相似文献
13.
利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜,并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s． 相似文献
14.
利用N2物理吸附、XRD和空气热重对Cu-ZnO/Al2O3甘油加氢催化剂在制备过程中物相结构的变化进行了系统的研究.研究结果表明,干燥后催化剂主要由Cu2Zn4Al2（OH）16CO3 4H2O和Cu2（OH）2CO3物相组成,经过600℃焙烧4 h后,催化剂在沉淀过程中生成的Cu2Zn4Al2（OH）16CO3 4H2O和Cu2（OH）2CO3全部分解为CuO.在500℃催化剂具有最大的比表面积（79 m^2/g）和孔容（0.36 cm^3/g）. 相似文献
15.
利用硝酸铜[Cu（NO3）2·6H2O]和均苯三甲酸在氨水溶液中反应,通过氨对铜（Ⅱ）离子的配合来调控配位反应速率,合成配合物{[Cu3（blc）2（NH3）（H2O）]·2H2O}n,并经元素分析和X射线单晶衍射法证实。配合物属单斜晶系,空间群为C2／c,晶体学参数：a=13．9213（5）,b=17．1210（6）,c=12．5271（5）A,V=2710．9（2）A3,Z=4。在标题化合物的结构中,Cu,离子为四配位而Cu2离子是五配位的,Cu1和Cu2被均苯三甲酸根离子桥联,由于均苯三甲酸根离子的结构中有C3对称轴而形成了二维六员环状平面结构,平面间通过N—H…0,O-H…0等氢键和π-π作用形成层状堆积。 相似文献
16.
采用水热法合成了一种新型配位聚合物[Cu2（phen）（ipt）2]2n.nH2O（ipt=isophthalate,phen=1,10-phenanthro-line）,并对其进行了元素分析、红外光谱表征和X射线单晶衍射测定.该配合物属于单斜晶系,空间群为P21/c,晶胞参数为：a=12.338（3）,b=12.167（3）,c=18.167（4）,β=111.686（14）°,V=2534.1（10）3,C28H18Cu2N2O9,Mr=653.52,Dc=1.712g/cm3,F（000）=1320,Z=4,R1=0.0443,wR2=0.0853. 相似文献
17.
研究用于Ni-P/Al2O3化学复合镀液的Al2O3悬浮液分散剂.将140 nm的α-Al2O3干粉与表面活性剂溶液混合,采用高速机械搅拌和超声波分散Al2O3悬浮液.通过分光光度计测定悬浮液吸光度,用PdCl2测试镀液稳定性;通过孔隙率试验和结合力试验测试化学复合镀层性能,用SEM和EDS测试镀层形貌和化学成分.试验结果表明,阴离子型表面活性剂与非离子型表面活性剂复配,对Al2O3悬浮液的分散稳定有较好的协同效果,适宜的复配分散剂组成为：20 mg/L十二烷基硫酸钠,150 mg/L Tween-80,80 mg/L聚乙二醇.用其配置2 g/L纳米Al2O3悬浮液,静置24 h后吸光度为1.595.该悬浮液配置的镀液稳定性试验时间为165 s,镀速为16.5μm/h.复合镀层中Al2O3粒子呈弥散状分布,Al2O3含量为0.77%.镀层光亮、致密.孔隙率为0.06个/cm2.结合力符合GB/T13913-92标准.该复配分散剂适应于Ni-P/Al2O3化学复合镀液. 相似文献
18.
首次以饱和Keggin结构阴离子[α-SiW12O40]4–前驱体为原料制备出了一例具有3D结构的仲钨酸化合物[Cu(H2O)2][Cu(H2O)3]2H3K[H2W12O42].5H2O(1),并用元素分析、IR光谱、UV光谱和X射线单晶衍射对化合物进行了表征和性质研究.在化合物1中,仲钨酸阴离子[H2W12O42]10–之间通过Cu2+离子的连接构成了漂亮的3D结构. 相似文献
19.
用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜 红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为 10 75cm-1,并随处理时间的延长峰位向高波数移动 ,可至 10 88cm-1 光电子能谱测得薄膜中的O1s和Si2p的电子结合能分别为 5 33 0ev和 10 3 8ev ,硅氧原子接近化学计量比 拉曼光谱分析也表明薄膜中含有一个极大的拉曼特征峰 相似文献
20.
三维配位聚合物{[Co（4，4’-bipy）（H2O）4]（4-abs）2·2H2O}n的水热合成及晶体结构 总被引：1，自引：0，他引：1
在水热条件下,用CoCl2·6H2O、对氨基苯磺酸和4,4’-联吡啶自组装合成了三维配位聚合物{[Co（4,4’-bipy）（H2O）4]（4-abs）2·2H2O}n（4,4’-bipy=4,4’-Bipyridine,4-abs=4-Aminobenzene—sulfonate）1,对其进行了元素分析和单晶X射线衍射测定．该配位聚合物属单斜晶系,P2（1）空间群,晶胞参数为：a=11．362（9）A,b=8．007（6）A,c=15．639（12）A,β=92．797（11）,V=1421（2）A^3,Z=2,Mr=687．47,Dc=1．607g/cm^3,F（000）=702,μ=0．827mm^-1,R1=0．0574,wR2=0．0876． 相似文献