共查询到20条相似文献，搜索用时 31 毫秒
1.
对ZnO单晶材料不同温度下进行了光致发光研究。室温下ZnO单晶有两个发光峰,分别为375nm的紫外发光峰和570nm的可见光发光带。随着温度的降低,出现两个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)和束缚激子(D0X)发光峰,并且束缚激子发光峰随着温度降低较自由激子变化明显。较低温度时在370nm到400nm出现多个发光峰,为声子(LO)参与的受主束缚激子(A0X)发光峰。10K时出现四个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)、表面激子(SX)和束缚激子(D0X)发光峰。 相似文献
2.
硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材料研究的纵深发展,出现了发光强、稳定性好的硅基多孔SiC蓝光发射材料和发光波长范围宽的纳米半导体镶嵌SiO_2发光材料。硅基镶嵌纳米发光材料是一个富有活力,有应用前景的研究领域。 相似文献
3.
4.
5.
以混合的Zn粉和金属Ga作为源,通过热蒸发方法合成了高产率ZnO:Ga麦克风微米结构。室温光致发光表明,可见发光峰可能是由于ZnO样品中的表面缺陷态引起的。发光动力学表明,低温光致发光由中性施主束缚激子(D0,X)、中性受主束缚激子(A0,X)和A0,X的一个伴线(A0,X-1LO)组成。随温度的升高各个峰的强度迅速下降。最后被自由激子(FX)取代,成为占主导地位的峰。 相似文献
6.
首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性。研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰。该峰具有与局域发光完全不同的光学性质。通过研究材料的不同温度和激发强度下的发光行为证实该新的发光峰是量子阱的本征能级发光。这一结果为目前人们在Ga(In)NAs材料体系中是否存在Ga(In)NAs合金态或者N是以杂质带的形式存在的争论提供了重要证据。在Ga(In)NAs以及InGaN等材料体系中都观察到PL发光峰随温度升高先红移，然后蓝移，再红移的所谓的“S”形变化。它的来源一直令人们疑惑不解。我们直接证明GaNxAs1-x材料中发光峰的“S”形变化是由于材料中的低能端的局域态随温度的淬灭以及相邻的局域态与非局域态之间在温度的作用下相互竞争的结果。这一结果为能量随温度的“S”形变化提供了最直接的实验证据。通过光荧光谱, 时间分辨光谱研究了低N含量的GaNxAs1-x光学性质。首次发现在低N含量的GaNxAs1-x材料(N%<1%)中，在N的杂质态的高能端(低于GaAs带边)存在一个新的，其光学性质与N的杂质态完全不同的发光峰。实验证明该峰是GaNxAs1-x材料的合金态。这一结果说明在GaNxAs1-x中即便在N含量<0.1%时就已经形成了GaNxAs1-x的合金态。这个结果的重要意义在于它直接证明N在GaAs中能够形成GaNxAs1-x合金，而不是仅仅以N的杂质态存在。这为目前人们所争论的N在GaAs所起的作用，GaNxAs1-x光跃迁的来源，以及Ga(In)NAs的基本能带结构提供了直接的实验证据。最后我们利用选择激发在GaAs1-xSbx/GaAs量子阱中实验上第一次同时观察到空间直接（Type-I）跃迁和间接跃迁(Type-II)。时间分辨荧光寿命谱进一步直接论证了GaAs1-xSbx/GaAs能带排列的Type-II特性。 相似文献
7.
8.
通过拉伸性能、电导率和金相组织分析等方法研究了固溶处理对B93合金锻件组织和性能的影响。结果表明,在460℃～480℃范围内合金的拉伸性能随温度升高和时间延长而升高;进一步提高固溶温度或延长时间,合金的强度逐步降低;B93合金锻件的优选固溶处理制度为470℃×40min。 相似文献
9.
10.
采用单辊熔体急冷法制备了非晶Fe39.4-xCo40Si9B9Nb2.6Cux合金薄带,在不同温度退火后得到双相纳米晶合金。研究了纳米晶合金的静态磁性随退火温度的变化,结果表明490℃退火后可以得到最优的静态性能;研究了Cu含量对合金性能的影响,结果表明随Cu含量的增加,纳米晶合金晶粒尺寸得到有效细化,使得其静态磁性更加优良。 相似文献
11.
12.
应用分子动力学模拟的方法,研究了纳米金刚石颗粒的导热系数对温度和颗粒尺寸的依存关系。为了得到较为准确的模拟结果,采用了平衡态分子动力学模拟的方法。计算了较长时间的热流自相关函数,并得到了导热系数的收敛结果。结果表明,纳米金刚石颗粒由于尺寸的影响,导热系数低于体材料金刚石的导热系数;随温度的升高,导热系数出现一个峰值,该峰值点的温度小于体材料金刚石出现峰值点的温度;随颗粒尺寸的增大,导热系数增加,我们预测导热系数将在一定的颗粒尺寸时收敛于体材料金刚石的导热系数。 相似文献
13.
上转换发光是一种基于双光子或多光子机制的发光过程,当吸收到低能量光子的长波辐射之后,发射出高能量光子的短波辐射。长余辉发光是指材料经过一定时间的激发,在激发源关闭的一段时间内仍然可以持续的发光,能够持续发光数分钟到数十小时。上转换发光和长余辉发光本身属于两个研究领域,把这两种发光过程结合到一起,产生一种新的发光模型——上转换长余辉发光,这种发光材料既能实现上转换发光,又能产生长余辉效应。2014年美国乔治亚大学Pan等提出这一理论并且用实验证明了这一结论,他们选取镓锗酸盐基质,用高温固相法合成了Zn3Ga2Ge O8:0.5%Er3+、5%Yb3+、1%Cr3+近红外长余辉荧光粉,在980nm光源激发下在700nm处有发射峰而且余辉时间长达24小时。为了继续探索上转换长余辉发光材料的奥秘,我首先重复了Pan等的实验,通过观察化学元素周期表,我发现Cd与Zn为同一主族元素,而且Cd的分子量大于Zn,因此我用了同样的方法制备了Cd3Ga2Ge3O12发光材料,并且通过实验证明了烧结温度以及烧结时间对发光材料的结构以及发射光谱的影响。 相似文献
14.
15.
电解沉积纳米晶体Cu的热稳定性及机械性能研究 总被引：1，自引：0，他引：1
采用电解沉积技术制备出无孔隙、无污染、微观应变很小的 理想 "纳米晶体单质Cu样品.对电解沉积纳米晶体Cu进行冷轧处理,首次发现纳米晶体材料具有室温下的超塑延展性,在冷轧过程初始阶段样品有少量的加工硬化,当变形量达到一定程度时(ε >80 0 % ),加工硬化效应消失。恒定的晶粒尺寸,恒定的位错密度,以及恒定的硬度值,说明纳米晶体Cu的塑性变形机制由晶界行为所控制,并非位错运动机制。系统的研究了纳米晶体中微观应变对其热稳定性的影响,发现随纳米晶Cu样品中微观应变的增加,晶粒长大的起始温度升高,而微观应变释放的起始温度下降 相似文献
16.
17.
通过溶胶凝胶法制得平均粒径10nm左右CeO2纳米晶,然后以此纳米晶在位分散聚合得到了聚苯胺/纳米CeO2复合材料,红外分析表明纳米CeO2的存在导致聚苯胺的红外光谱具有明显的蓝移现象,复合后的产品在2938cm-1处的红外吸收峰变得很弱,在拉曼光谱中1240cm-1和1352cm-1附近的特征峰,被认为是由于纳米CeO2的存在与聚苯胺之间的化学作用产生的,聚苯胺与CeO2之间有化学键的结合,它们之间的化学作用在N原子上。导电性研究表明,随着纳米CeO2含量的提高,电导率呈指数下降。 相似文献
18.
红光器件是通信领域各种光纤跳线、尾纤以及光纤线路维护等的重要捡测工具。而目前,红光光源的制备材料均为三五族材料的化合物半导体,如掺磷砷化镓等。为了降低成本研究制备出硅基红光光源是非常好的选择。本文中介绍了应用常规的等离子体增强化学气相淀积技术制备基于碳化硅的Fabry—Pemt结构全固态一维平面微腔。在488nm的激光激发下得到线宽为11nm,品质因子为59,峰位在646nm的发光谱线。与有源层的发光相比强度增强了2倍。为实现硅基光源在通信领域的应用奠定了基础。 相似文献
19.
金属氧化物及其复合纳米纤维具有独特性能和潜在的应用价值,一直为人们所关注。本文提出了一种简便制备CuO/SiO2纳米复合纤维的新方法。即将静电纺丝技术与溶胶凝胶法结合,得到前驱体纤维;随后在适当的温度下热处理去除有机成分,最终得到直径150～200 nm的质量比为10%CuO/90%SiO2复合纳米纤维。使用SEM、TG-DTG、XRD、FT-IR、BET、UV-Vis技术手段对样品进行表征。SEM、TG-DTG、XRD、FT-IR结果表明该纤维的成分、形貌和晶相很大程度上受到煅烧温度的影响。BET结果表明该纤维的比表面积为141.95 m2/g,是纳米结构。光吸收测量结果发现该纤维的紫外光吸收性能随纤维晶相改变而改变。 相似文献
20.
《内蒙古科技与经济》2016,(6)
应用三维荧光光谱表征某石化污水处理厂进水水质变化情况,结果发现石化废水和炼油废水有A、B、C、D、E五个明显荧光峰,位于λex/λem=275/340nm,225/340nm,225/305nm,275/305nm,225/340nm附近,主要和石油、烃类、苯类物质有关。水变化期间,峰C、D、E消失,石化废水出现新荧光峰H。炼油废水中峰F、G、H强度在1 000~2 000附近,以上3个荧光峰物质来源尚不清楚,有待研究。 相似文献