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以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺。STO薄膜的介电特性分析:在100 kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备四钛酸钾晶须 总被引：1，自引：0，他引：1
以Ti（n-OC4H9）4和CH3 COOK为前驱体，采用溶胶-凝胶法制备了高质量的K2Ti4O9晶须。以FT-IR表征溶胶-凝胶过程中的反应，运用TC-DSC和XRD研究了K2Ti4RO9的晶体生长过程。结果表明：溶胶很稳定，可长期保存；稀释剂和少量水对溶胶的稳定性无影响；溶胶-凝胶法制备K2Ti4O9晶须反应温度比固态烧结法低，276℃开始反应形成晶核，481℃开始生成K2Ti4O9纳米晶，597。C时形成K2Ti4O9晶粒，940℃制得的K2Ti4O9晶须长约50μm，K2Ti4O9晶须均匀、具有较大的长径比。 相似文献
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1mol%TiO2—SnO2薄膜的溶胶—凝胶制备及其气敏特性 总被引：1，自引：0，他引：1
以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料,以（C4H9O）4Ti为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）工艺制备了TiO2掺杂的SnO2薄膜。采用差热-失重（DTA－TG）及X射线衍射（XRD）等分析手段研究了1mol％TiO2－SnO2薄膜的热分解晶化过程及物相组成。发现1mol％TiO2－SnO2薄膜在常温下对NOx气体具有较好的气敏性能,并可以在不同的工作温度下检测低浓度的NOx及H2S气体。本文还讨论了1mol％TiO2－SnO2薄膜对NOx及H2S的气敏机理。 相似文献
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以SnCl4.5H2O作为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2薄膜,对薄膜烧结的温度及时间等工艺进行了研究,得到了最佳的烧结条件,采用X射线衍射仪（XRD）及原子力显微镜（AFM）对薄膜进行了结构形貌表征。结果表明,当烧结温度为450℃时,纳米SnO2薄膜为金红石型结构,表面形貌最佳,平均颗粒约为39-45nm。 相似文献
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《实验技术与管理》2013,(3):35-38
利用溶胶-凝胶法制备了氧化钒薄膜,在大气环境及400℃下、对产物进行不同时间的退火处理。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性等进行了系统的分析。结果表明,退火时间明显地影响溶胶-凝胶法制备氧化钒薄膜的化学结构及光电性能:退火时间过短,薄膜中有机成分不能完全分解、并且结晶度低;退火1h时,薄膜主要成分为V2O5和VO2,此时薄膜电阻低、但光吸收性弱;退火2h以上,薄膜中的主要成分为V2O5,此时薄膜电阻变大、但光吸收性有所加强。研究了退火时间对溶胶-凝胶制备氧化钒薄膜的化学结构及光电特性的影响,揭示了相关的微观机理。 相似文献
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在分析纯V2O5粉末为原料，H2O2为溶剂，采用溶胶－凝胶（Sol-Gel)工艺，以无机途径成功制备了V2O3薄膜。研究了在不同衬底上制备薄膜的可行性及工艺过程，不同温度热处理及不同厚度V2O5薄膜的透射光谱及300℃热处理薄膜的温阻特性。实验发现在石英玻璃及普通载玻片上可制备均匀透明度的薄膜，100℃热处理的V2O5薄膜透光性能最好，而300℃热处理V2O5薄膜在紫外及近紫外线区（350nm-450nm)的吸收率最高。该工作对于V2O5光电薄膜的面积，低成本制备具有一定的参考价值。 相似文献
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采用溶胶一凝胶法在玻璃基片上制备了TiO：多孔薄膜,主要研究了pH值、模板剂以及乙醇添加量对溶胶和多孔膜性能的影响．研究结果表明：溶胶一凝胶制备过程中,pH一3时和以聚乙二醇～1000为模板剂可得到稳定的溶胶,且n（PEO-1000）／n（Ti）为0．050时所得到的溶胶颗粒最小,团聚最轻,由其可制备出结构均一性好、无开裂的多孔膜;n（CH3CH2OH）／n（Ti）为24：1时,溶胶可在玻璃基体上形成完整的膜,烧结过程中随着聚乙二醇分解的CO2和H2O的逸出形成了许多微孔,得到完整的有序多孔TiO2薄膜。 相似文献
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王家鑫 《郧阳师范高等专科学校学报》2009,29(3):47-49
采用射频磁控溅射沉积方法,结合氢气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜,通过优化工艺,制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜．利用X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的相结构、组分进行了分析．测试结果显示,V2O5薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下,制备得到的薄膜成分主要是VO2相． 相似文献
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以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料,以Zn(CH3COO)2·2H2O2为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶（Sol-Gel)工艺制备了ZnO-SnO2薄膜;采用DTA-TG及XRD等分析手段研究了ZnO-SnO2薄膜的热分解和晶化过程,对ZnO-SnO2薄膜的结构进行了表征。研究了ZnO-SnO2薄膜的电学、气敏性能及机理。实验证明,ZnO-SnO2薄膜在常温下对H2S气体具有很好的气敏性能。 相似文献
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采用磁控溅射方法在Si片沉积了Ti-50．9at％Ni形状记忆合金薄膜,并将薄膜分别在不同温度下进行退火．利用示差扫描量热方法（DSC）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）研究了薄膜退火前后形貌、相变特征及应力随退火温度的变化．实验结果表明：溅射态薄膜为非晶态,其晶化温度范围为430℃-535℃,晶化同时伴随着Ti3Ni4相的析出;退火后的薄膜随着退火温度的升高,Rs、Af、Ms均呈上升趋势．薄膜的残余应力随着退火温度的增加而逐渐减少． 相似文献
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用Ti（OEt）4作为前趋体,乙醇作为溶剂,乙酰丙酮作为稳定剂,用硝酸、氨水调节pH值。运用溶胶一凝胶法制得TiO2溶胶,根据加水方式、加水量、pH值、不同溶剂量、温度等因素对TiO2溶胶一凝胶过程的影响进行实验,得到Ti（OEt）4前趋体制备TiO2稳定溶胶的最佳条件,实验表明：室温（25℃）条件下,当Ti（OEt）4前趋体和水的体积比为10：1．5时,pH值为6-8时,所得的TiO2溶胶稳定,透明性好。 相似文献
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ITO薄膜的电学性能研究 总被引：2，自引：0，他引：2
以In金属和SnCl4·5H2 O作为原材料 ,采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了高质量的ITO薄膜 ,并分析了Sn掺杂时、热处理温度、热处理时间三种工艺参数对ITO薄膜电学性能的影响 ,确定了ITO薄膜的相组成 相似文献
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本文探索了以CuSO4·5H2O为铜源,乳酸为络合剂,应用恒电位法在导电玻璃（ITO）上沉积Cu2O薄膜的工艺条件.主要研究了Cu2＋与络合剂乳酸的摩尔比、络合时间、溶液的pH及电镀面积对薄膜结构的影响规律.通过X-射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对其结构和形貌进行了表征.结果表明：在Cu2＋与乳酸的摩尔比为1∶4～1∶7,pH=9～11的特定参数范围内的Cu2O膜为砖红色,膜面均匀致密,属于立方晶系结构,晶体择优（200）面生长. 相似文献
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利用公式△H=-0．1196n／A计算了乙醚和丙酮分别在氧气和空气中燃烧反应的温度,并推测了乙醚和丙酮燃烧反应的机理．乙醚在氧气中燃烧反应的火焰温度理论值为3272K,与测定温度3134K接近,误差为4．40％．丙酮在空气中燃烧反应的火焰温度理论值为1292K,与测定温度173K接近,误差为1．49％．根据乙醚和丙酮燃烧反应的火焰温度,推测乙醚和丙酮燃烧反应机理为：（1）O2＋hv→2O·;（2）（C2H5）2O→4C＋4H2＋H2O（乙醚）,CH3COCH3→3C＋2H2＋H2O（丙酮）;（3）H2＋O·→H2O＋hv;（4）C＋O·→CO＋hv;（5）2CO＋O2→2CO2． 相似文献
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用溶胶-凝胶法制备Fe2O3薄膜作为前驱体,结合同步还原氮化获得单相γ′-Fe4N薄膜.Fe2O3薄膜在氢气、氨气混合气氛中,500℃温度下进行热处理,利用振动样品磁强计(VSM)对γ′-Fe4N膜结构和磁性进行了研究. 相似文献
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以Zn（Ac）2·2H2O和NH3·H2O为原料,以Zn（NH3）4（Ac）2为前驱体,在低温条件下采用水热法制备多柱氧化锌。探究了反应时间、反应温度对形成氧化锌微晶形貌的影响。用X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对产品的结构、形貌进行表征。 相似文献