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《黑龙江科技信息》2016,(32)
稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员在ZnO基稀磁半导体材料的研究方面取得了丰硕的成果,但迄今为止所报导的结果大相径庭,仍然还有很多问题存在争议,尤其在磁性方面。常规的稀磁半导体制备方法,如磁控溅射和脉冲激光沉积技术等,均需要很高的生长温度,高生长温度容易催生颗粒在薄膜中的形成,但其低温下制备也难以保证薄膜的质量。运用等离子体增强化学气相沉积法制备稀磁半导体薄膜,具有无法比拟的优越性,对稀磁半导体的研究具有非常重要的学术意义和实用价值。 相似文献
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本文综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的机理、特点及薄膜生长的主要过程,并介绍了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、生物陶瓷薄膜等方面的应用.大量研究表明,脉冲激光沉积技术是目前最好的制备薄膜的方法之一. 相似文献
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,探索性研究制备μc-Ge:H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge:H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。 相似文献
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2018年5月,芬兰技术学会宣布将“千年技术奖”授予芬兰物理学家图奥莫·松托拉,以表彰他研发了在信息技术领域发挥重要作用的原子层沉积技术。原子层沉积技术可以将物质以单原子膜形式一层一层镀在基底表面,在许多高科技领域发挥着重要作用。当前,几乎所有的计算机和智能手机中都会使用通过原子层沉积技术制成的薄膜元件。不仅如此,原子层沉积技术的优点也引起了其他领域的重视,且已经广泛应用于如光伏太阳能板、光学镜头镀膜、柔性电子、新能源电池、航空航天等相关领域中,并已初步实现产业化论证。目前,武汉大学工业科学研究院研究员李照东正致力于研究其沉积过程中的原子结晶行为,并将其应用于界面调控及绿色能源转化器件. 相似文献
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复合薄膜电容器的复合薄膜是一种层状的结构,在本文中采用的是石墨烯与纳米纤维间隔相容,使电容器的机械性能进一步的提高,也增加了它的柔软性,通过实验也进一步证明,复合薄膜电容器的电导率是传统纳米纤维薄膜电容器的10倍左右。 相似文献
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目的:三种不同方法制备胡黄连脂质体。方法:采用薄膜超声分散法、乙醚注入法和复乳法对胡黄连提取物进行脂质体的制备,并测定胡黄连苦苷Ⅰ和Ⅱ的包封率(n=3)。结果:薄膜超声分散法、乙醚注入法和复乳法制备脂质体的胡黄连苦苷Ⅰ包封率分别为:8.24%±0.11、6.91%±0.50和8.62%±0.14;胡黄连苦苷Ⅱ包封率分别为:5.65%±0.14、4.81%±0.09和5.48%±0.08。结论:薄膜超声分散法和复乳法制得的脂质体较均匀,重现性好,且两种方法得到的胡黄连苦苷Ⅰ和Ⅱ的包封率相差较少,所以可采用薄膜超声分散法和复乳法来制备胡黄连脂质体。 相似文献
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本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。由于本征层InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜具有可调禁带宽度,对该结构的太阳能电池起着巨大的作用,很大程度上提高了该结构太阳能电池的效率。 相似文献
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本文采用直流反应磁控溅射法低温下在Mg-Li合金表面沉积Ti/TiN复合薄膜,薄膜厚度约为1.6μm,靶材是纯度为99.99%的钛靶。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、及在0.35wt%NaCl中的抗腐蚀性能。结果表明:复合薄膜的腐蚀电位较合金基体正移82.6mV,腐蚀电流降了一个数量级,析氢速率也明显减小,说明Ti/TiN复合薄膜提高了镁锂合金的抗腐蚀性。 相似文献
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<正>靶材主要应用于电子及信息产业,如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等,也可应用于玻璃镀膜等领域。靶材的产业链主要分金属提纯、靶材制造、溅射镀膜、终端应用四个环节。靶材制造环节是在溅射靶材产业链条中对生产设备及技术工艺要求最高的环节,溅射薄膜的品质对下游产品的质量具有重要影响。在此背景下,为了制备更高纯度的铝钪靶材,针对粉末冶金法制备铝钪合金靶材进行了众多研究,致力于方法的优化,改善铝钪合金靶材的均匀性、纯度。 相似文献
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通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献
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利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。 相似文献
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利用硅基阳极氧化铝(AAO)模板制备的一维纳米管线在光电子学和磁存储领域有广阔的应用前景而硅基Al膜的制备是硅基AAO模板制备的前提。硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率和剩余应力等都会影响硅基AAO模板的自组装过程。利用电子束蒸发在硅衬底上制备了一系列的Al膜,研究了沉积速率和薄膜厚度对硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率等性能的影响和规律。 相似文献