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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
本文在对半导体制冷物理模型的分析的基础上,对半导体制冷过程中的影响因素进行了研究,研究结果表明,在半导体制冷过程中,电流的变化以及冷热端散热的效果,对半导体制冷系数有较大影响。通过建立实际半导体制冷实验平台,测试了半导体制冷在电流变化以及不同散热方式下的制冷效率,为半导体制冷装置的设计提供了一定的指导作用。  相似文献   

2.
在我国最近的几年时间里,半导体激光器所应用的功率逐渐升高,所以相应引发的散热情况成为了目前阻碍半导体激光器进一步发展的最大原因。由于机器芯片的升温最终会使得激光器的工作性能不断降低,想要使得半导体激光器能够在大功率的工作原理下依旧保持持续稳定的工作性能,就只能让芯片的工作得到很好的散热,经过对半导体激光器中的芯片升温现象对半导体激光器各项功能的影响程度分析,得出了芯片升温对半导体激光器有着非常重要的影响。本文根据半导体激光器在芯片升温中出现的问题进行了探讨,对如何解决这一问题提出了方法。  相似文献   

3.
半导体晶片切割胶带为半导体晶片切割工艺中使用的关键辅助材料,通过对涉及半导体晶片切割胶带结构改进的全球专利申请数据进行梳理、分析,得出半导体晶片切割胶带结构改进的技术发展状况以及当前的研发热点,以期为研发人员对半导体晶片切割胶带的结构改进提供参考。  相似文献   

4.
半导体激光器是功耗型有源器件,工作过程中的温升对其输出特性会有明显影响。采用热敏电阻作为温度敏感元件,对半导体激光器的温度变化特性进行了测试与分析。测试结果表明,自加热效应对半导体激光器的功率输出特性影响明显,其斜率效率的变化率为Δη=0.022V/℃。  相似文献   

5.
本文从产业关键技术特征分析的视角出发,构建两阶段递进型产业关键技术识别分析框架,利用GN共被引社区发现算法对半导体制造领域基础性技术主题的识别及发展趋势进行分析,并在此基础上借助动态专利组合分析模型进一步对半导体制造领域关键技术的分布进行研究。最终发现,当前半导体制造产业的关键技术主要聚焦在光伏半导体制造技术、存储器制造技术、半导体打印制造工艺以及SIP封装技术;产业内技术创新整体的活跃性呈下降态势,但技术之间相互关联程度逐渐增高,且技术发展方向不断聚焦;此外,半导体制造产业在2007—2011年处于技术变革期,原有产业技术结构出现较大变动,新兴技术逐渐吸引产业更多的关注,而2012—2016年则在整体上进入技术深化期,产业技术结构进一步稳固。  相似文献   

6.
半导体光催化剂有很多种制备方法,本文主要介绍磁控溅射法、溶胶-凝胶法和电沉积法。单一的半导体光催化剂存在一定的局限性,限制了其性能。本文研究了利用肖特基势垒和异质结结构对半导体光催化材料进行改性,提高光催化性能。  相似文献   

7.
《科技风》2017,(7)
随着网络化发展的不断深入,大数据广泛普及到生活中的方方面面,尤其是在大数据背景下,这对半导体工艺技术的发展影响也较为深远。因此,本文就大数据视角下如何进行半导体工艺技术的发展及其未来发展的新模式进行了分析论述。  相似文献   

8.
董廷山 《内江科技》2013,(9):156+145-156,145
半导体发光器件由于它自身的诸多优点,在许多方面应用越来越广泛,作为职业教育应紧跟社会的发展,满足社会对各种专业技术人才的需求。在微电子技术领域,对半导体光电器件新课程的研究意义重大,并有很大的实际价值。本课程研究思路拟采用理论教学+研讨性实训+拓展技能训练的三加方式,以项目教学进行综合"打包",全面提高学生的专业素质和综合素质。  相似文献   

9.
从成本和客户增值两个角度,对半导体行业的高效率供应链管理创新策略进行了详细分析,并进一步结合半导体行业及产品特性分析了企业在产品生命周期各个阶段的供应链战略匹配以帮助企业形成竞争优势,最后选取了行业内的引领者Intel公司为例简要分析了其供应链成功的主要因素.  相似文献   

10.
半导体的光学性质是半导体最重要的物理性质之一,主要研究辐射场与半导体的相互作用过程.对半导体光学性质的研究一方面探索辐射在半导体中产生、传播、湮没、散射及其在界面处出射行为的规律,另一方面又提供了有关半导体电子能带结构、声子结构、束缚和自由载流子行为等基本物理信息.基于这些研究,近20年来,光学方法已经成为检测和标定半导体材料物理性质最基本、最重要的手段而被广泛应用.同时正是这些研究及其成果开拓了半导体应用的新领域,例如,半导体辐射探测、激光、发光、太阳能光电转换等各种光电转换、电光转换和其他转换过程的器件,以及目前正迅速发展的各种非线性光学、光电信息、光子信息应用.  相似文献   

11.
为促进半导体产业的发展,实现关键技术自主可控,2014年以重视产业发展的顶层设计和创新性加大市场化政策工具力度为主要特征的《国家集成电路产业发展推进纲要》出台,我国半导体产业发展迈入了技术上“强长板、补短板”的发力冲锋阶段。为明确产业政策对半导体企业创新行为的影响,研究从新结构经济学视角出发,以《纲要》的出台为天然准自然实验,基于2012-2020年微观企业级面板数据,构建双重差分模型,进行实证检验。研究结果表明,产业政策的实施对半导体企业创新绩效,尤其是探索式创新,存在明显促进作用;对高资本密集度企业、非国有企业和成长期企业的积极作用更为显著;从更长时间窗口看,政策效果表现为先上升后下降。研究结论为产业政策制定过程中充分考虑市场与政府结合的方式和时机、遵循异质性规律精准施策提供参考。  相似文献   

12.
作为常见的发光元器件,半导体发光二极管的应用范围较广。基于这种情况,本文对半导体发光二极管的发光原理展开了分析,然后对其在各领域的应用情况及原理展开了探讨,以期为关注这一话题的人们提供参考。  相似文献   

13.
社会经济发展为各行各业带来了更大的挑战和更好的发展机遇,对于半导体行业来说,要求材料的更好运用和对技术的不断革新,半导体物理也成为材料物理重要的研究方向。针对这种情况,本文主要阐述半导体的具体含义及其分类,根据不同类型的半导体,对其发展前景进行进行简单的设想和展望,希望为我国的半导体行业发展尽一份绵薄之力。  相似文献   

14.
随着温度的增加,处理器的速度、最高工作频率等会下降.因此,掌握对半导体进行准确温度测量的技术是必须的.精确测量半导体嚣件的工作温度,主要有三种方法:光学法、物理接触法和电学法.  相似文献   

15.
受国际政治形势影响,美国对中国半导体产业实施“技术封锁”导致其发展受挫。在此背景下,中国政府提出“自主创新”发展模式。聚焦中国半导体企业,探索政府支持(GS)、积极型市场导向(PMO)、科技人才投入(STTI)、科技人才管理(STTM)与创新绩效(IP)之间的关系。共回收调查问卷300份,通过对其进行有效性分析,再采用结构方程模型(SEM)路径分析进行假设检验。分析结果表明,政府支持对企业创新绩效的影响并不显著,而积极型市场导向、科技人才投入和科技人才管理则显著正向影响创新绩效。因此,以科技人才投入和科技人才管理作为自变量,凸显科技人才在半导体企业技术创新过程中的重要性,强调半导体企业创新的关键因素,对半导体企业开展创新实践具有重要指导意义。  相似文献   

16.
课堂教学设计是教学艺术的集中表现,教学设计的成败将直接影响到教学质量。半导体三极管是模拟电路中非常重要的一部分内容。本文探讨了半导体三极管课堂教学设计的各个环节,包括教学内容分析、教学目标分析、教学重点和难点分析、教具和方法、教学过程设计、板书设计以及教学反思。优化的课堂教学设计很好地提高了课堂教学质量,加深了学生对半导体三极管内容的理解。  相似文献   

17.
郭栓银  王继帅  李超 《科技风》2013,(7):107-108
对半导体光电子行业MES(Manufacturing Execution System)的应用现状做了总结,分析了现有系统的功能属性、模块分类及使用效果,归纳了目前系统的技术特点和存在的问题,并在此基础上指出了半导体光电子行业MES系统体系结构的发展方向,以供企业设计MES系统参考。  相似文献   

18.
李炳虎 《内江科技》2009,30(2):98-98
激光多普勒测速以其高精度、动态响应快而在速度测试领域得到广泛应用。该测速系统需要对两个半导体激光器进行温度控制。使得两个半导体激光器的温度恒定,对LD温度控制采用模糊PID控制算法。对半导体激光器采用模糊PID控制策略与传统PID控制器相比,反应速度更快,控制效果更好。  相似文献   

19.
《科技风》2017,(25)
工业的快速发展使我国许多行业都得到了相应的发展,半导体行业就是其中最为重要的一个,人们对半导体产品的研究不断深入,其性能得到了进一步增强。纵观半导体材料的发展,其中硅、锗作为第一代半导体材料;砷化镓、磷化铟、磷化镓等为第二段半导体材料;宽禁带(Eg2.3eV)氮化镓、碳化硅以及金刚石作为第三点半导体材料杰出代表。而当前已然进入到光电子时代并不断向光子时代转变。预计第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。  相似文献   

20.
半导体超晶格是当代固体物理学的新生长点和重要前沿领域。它是以具有各种人工剪裁能带结构的半导体低维电子系统(二维、一维和零维)为其主要研究对象,涉及半导体物理、材料和器件的综合性研究领域。“半导体超晶格微结构”的研究属国家自然科学基金委员会重大基金项目,它以探索、开发新一代固态电子、光电子器件作为研究工作的着眼点,以生长超薄、陡变和大面积均匀的超晶格、多层异质结等低维量子结构的分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等超薄层材料生长手段为技术基础,着重开展半导体超晶格低维系统与普通三维固体不同的新物理现象和效应及其潜在的应用前景方面的基础研究,研究和探索新一代超晶格量子器件的新原理、新模式和新结构。本项目的总体设想是要在全国范围内组织起具有国内第一流水平,国际先进水平的,对半导体超晶格量子阱材料、物理和器件进行综合性基础研究的科研实体,经过“七五”和“八五”期间的工作,应当将我国在该领域内的基础研究整体水平推进到国际先进行列,并且在某些专题研究方面应当做出具有特色的,国际领先的研究成果。  相似文献   

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