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正宽禁带(一般指禁带宽度2.3eV)半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮。其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。回顾历史,20世纪50年代中期出现Si C晶体生长的第1个专利。2007年美国Cree公司成功制备直径100mm的SiC零微管衬底,而后推出二极管产品并在技术和应用层面取得了长足进展。GaN也是跨世纪期间方有较快发展,1993年GaN外延蓝光二极管研制成功,1996年白光LED诞生并迅速 相似文献
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微波鉴相器建立在相位干涉的原理之上,通过相位干涉把相位信息转化成便于处理的幅度信息.文章直接在微波频段上论述了肖特基势垒二极管双平衡鉴相器的鉴相原理并给出了其理论鉴相特性解析式,然后模拟了它们的鉴相特性曲线和功分器端口特性.与传统的基于频率变换法的微波鉴相器相比,二极管双平衡微波鉴相器的结构要简单一些.整个结构可用微带线制成平面电路,给出了具体的电路CAD图. 相似文献
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近年来发展起来的蓝宝石图形化衬底(PSS)技术,不仅能减少生长在蓝宝石衬底上GaN外延材料的位错密度,延长LED使用寿命,还能提高LED芯片的出光效率,从而提高LED发光效率。本文着重介绍了蓝宝石图形化衬底的两种主流制备工艺及其优缺点,并比较了两种不同图形尺寸制备蓝宝石图形衬底的特点及对LED的光输出功率的改善,并展望了图形化衬底技术未来的发展方向。 相似文献
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一、引言许多半导体器件表面都采用氮化硅作钝化膜。迄今,已经发展了许多种氮化硅的生长方法,如氮离子注入法、合金法、PECVD、LPCVD等。由于PECVD生长氮化硅设备及工艺简单,生长温度低,所以目前已被广泛采用。本文主要利用ADES400电子能谱仪,通过Auger电子能谱、深度剖析等手段,对国产平板型Si_4-NH_3混合气体PECVD生长设备生长的氮化硅膜的特性作一详细分析,从而揭示杂质及硅氮组成比对氮化硅膜性能的影响。二、实验条件和设备氮化硅薄膜淀积在〈111〉晶向的P/P~+硅外延片上,P型外延层的电阻率约为1Ω·cm。淀积设备为国产DD-P250型氮化硅淀积台。淀积过程中保持射频功率和频率稳定(50W, 相似文献
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"半导体器件原理"是高等院校微电子以及相关专业的一门重要的专业必修课。本文主要概述了固体物理能带理论及其在该课程教学中的具体应用。笔者的教学实践结果表明,深刻地理解固体能带理论有助于学生对于PN结二极管、双极结型晶体管、肖特基势垒二极管以及金属-氧化物-半导体场效应晶体管等构成半导体器件的基本元器件的物理原理的掌握。 相似文献
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整流桥是一种常用的整流元器件,它利用二极管具有单向导电的特性,将交流电压整流为直流电压以供给电路使用的元器件,其广泛用于LED照明、大中小型计算机、微机外设、程控交换机、广播电视通讯、工控仪器仪表行业的电源整流;随着各行业整机的小型化、使用寿命延长化、低功耗节能等,相对应对整流元器件提出了小型化、扁平化、耐高压反偏、微功耗等要求。本文以ABS110肖特基整流桥为例介绍了其超薄封装思路、封装工艺探讨、封装原材料的运用、封装试投产及出现的问题的解决等,为同行业工程师起到一定的参考借鉴意义。 相似文献
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研究了如下的拟线性椭圆型方程:△pu+uq+λup*-1=0,u∈W1o,p(Ω), (1λ)其中,Ω2是RN中具有光滑边界的有界区域,△pu=div( |▽u|p-2▽u),N≥3,2≤p＜N,0＜q＜1,p*=NP/N-P.设λ*(Ω,p,q)是拟线性椭圆型方程(1λ)可解的参数集的上确界.运用变分方法,在不要求具有对称性质的一般区域Ω上得到了λ*(Ω,p,q)的一个可以精确计算的下界. 相似文献
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获得大面积的组成均匀的高质量HgCdTe外延材料是光伏型红外焦平面列阵探测器(FPA)制备的关键问题。HgCdTe液相外延(LPE)制备技术是现今HgCdTe红外探测器工业所使用的主流技术。从80年代开始,人们研究发展了HgCdTe材料的分子束外延(MBE)技术。大量研究表明,MBE HgCdTe材料具有更好的表面形貌、更好的外延层组成和厚度均匀性,以及更好的组成x值和电学参数控制能力等优点。MBE HgCdTe材料性能以及所制备的探测器水平已经达到与LPE HgCdTe材料相媲美的水平。 相似文献
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利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。 相似文献
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通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献