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Wang Wenqi Wang Rongguang Chen Baolin Wang Tong 《上海大学学报(英文版)》1998,2(3):213-217
１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＡｃｔｉｖｅｄｅｖｉｃｅｓｐｌａｙａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｒｏｌｅｉｎｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃｍｉｃｒｏｗａｖｅｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｓ（ＭＭＩＣｓ）．Ｆｏｒｍｅｒｌｙ,ｔｈｅｄｅｐｌｅｔｉｏｎｍｏｄｅＧａＡｓＭＥＳＦ... 相似文献
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许德祥 《湖南教育学院学报》2000,18(5):122-126
设Ｓ＝｛ｘ１，ｘ２，…ｘｎ｝是一个由非零整数且│ｘｉ│≠│ｘｊ│（ｉ≠ｊ，１≤ｉ，ｊ≤ｎ）组成的集合。我们先定义了在集Ｓ上的广义ＧＣＤ（ＧＧＣＤ）矩阵和广义ＬＣＭ（ＧＬＣＭ）矩阵，研究了定义在广义ｆａｃｔｏｒ－ｃｌｏｓｅｄ集和广义ｇｃｄ－ｃｌｏｓｅｄ集Ｓ上的ＧＧＣＤ矩阵和ＧＬＣＭ矩阵的行列式。 相似文献
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Measurement of Mass Difusivity of Moist Porous Media under the Influence of Forced Convection at Sur
ＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｏｆＭａｓＤｉｆｕｓｉｖｉｔｙｏｆＭｏｉｓｔＰｏｒｏｕｓＭｅｄｉａｕｎｄｅｒｔｈｅＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＦｏｒｃｅｄＣｏｎｖｅｃｔｉｏｎａｔＳｕｒｆａｃｅＧｕｉＫｅｔｉｎｇ（归柯庭）ＨａｎＪｉｔｉａｎ（韩吉田）ＳｈｉＭｉｎｇｈ... 相似文献
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ＳｏｍｅＲｅｍａｒｋｓｏｎＳｔａｔｉｏｎａｒｙＴｈｅｒｍｉｓｔｏｒＰｒｏｂｌｅｍＧｕａｎＰｉｎｇ（管平）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓａｎｄＭｅｃｈａｎｉｃｓ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００１８）Ｆ... 相似文献
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Wang QingWan Dejun Li Zigang 《东南大学学报》1996,(1)
ＤｙｎａｍｉｃＧｒａｐｈｉｃａｌＳｉｍｕｌａｔｉｏｎｏｆａＬａｒｇｅＳｃａｌｅＭｏｔｏｒＣｒａｎｅＣｈａｓｓｉｓＣｈｅｎＹｕｎｆｅｉａ（陈云飞）ＨｕａｎｇＸｉｓｈｉｂ（黄锡时）ＸｕＳｈａｎｇｘｉａｎａ（许尚贤）（ａＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭｅｃｈａｎ... 相似文献
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ＡｃｏｕｓｔｉｃＥｍｉｓｓｉｏｎＭｏｎｉｔｏｒｉｎｇｏｆＦａｔｉｇｕｅＣｒａｃｋＧｒｏｗｔｈｉｎａＳｌｅｎｄｅｒＷｅｂｏｆＢｒｉｄｇｅＧｉｒｄｅｒＹａｎＴｉｎｇｈｕ（颜廷虎）ＺｈｏｎｇＢｉｎｇｌｉｎ（钟秉林）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭｅｃｈａｎｉｃ... 相似文献
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ＡＮｅｗＭｕｌｔｉｍｅｄｉａＳｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎＭｏｄｅｌＳｏｎｇＪｕｎ（宋军）ＧｕＧｕａｎｑｕｎ（顾冠群）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｏｍｐｕｔｅｒＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａ... 相似文献
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ＥｐｉｔａｘｉａｌＧｒｏｗｔｈｏｆＹＳＺａｓＢｕｆｅｒＬａｙｅｒｓｆｏｒＨｉｇｈＴｃＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＦｉｌｍｓｏｎＳｉＳｕｂｓｔｒａｔｅｓＱｉａｎＷｅｎｓｈｅｎｇ（钱文生）ＬｉｕＲｏｎｇ（刘融）ＷｅｉＴｏｎｇｌｉ（魏同立）（Ｍｉｌｒｏｅ... 相似文献
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ＡＲＥＬＡＴＩＯＮＡＭＯＮＧＡＳＳＯＣＩＡＴＩＶＥＡＬＧＥＢＲＡＳ，ＢＩＡＬＧＥＢＲＡＳＡＮＤＳＥＭＩＧＲＯＵＰＡＬＧＥＢＲＡＳＬｉＦａｎｇ（李方）（ＤｅｐａｒｔｎｉｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｎｉａｔｉｃｓａｎｄＭｅｃｈａｎｉｃｓ）ＡＲＥＬＡＴＩＯＮＡＭＯ... 相似文献
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刘雪静 《赣南师范学院学报》2002,(3):43-45
本文研究了可待因与 7,7,8,8-四氰基对二次甲基苯醌 (TCNQ)的荷移反应 ,对反应条件进行了优化 .在丙酮介质中 ,二者在室温 (30℃ )中 30min即可形成 1:1荷移络合物 .分别在74 3和 84 0nm处有较强光吸收 .可待因浓度在 0 .6～ 7(g·mL-1范围内符合比尔定律 ,其表观摩尔吸光系数在 2 .3× 10 4～ 5 .1× 10 4;方法的相对标准偏差为 1.8%～ 2 .4 % (n =9) . 相似文献
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介绍了适用薄膜残余应力测量的弯曲法和X射线掠射法,重点介绍了一种新型测量薄膜残余应力的方法—纳米压痕法,并采用非球形压头纳米压痕法测量了NiTi薄膜的残余应力,对薄膜残余应力的测量进行了有益的探讨和尝试,结果表明纳米压痕技术可作为定性测量薄膜残余应力的有效手段。 相似文献
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采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）旋涂法在Si（100）衬底上制备ZnO薄膜，在室温下利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光致发光谱（PL）等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和发光特性．结果表明：当热分解温度为400℃，晶化温度为450℃～650℃时，溶胶．凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜样品属六方纤锌矿结构，ZnO薄膜呈现沿各个晶面自由生长的特性；在室温下均有较强的紫外带边发射峰，这表明带间跃迁占了主导地位，与缺陷有关的可见发射带很弱．以上结果说明：溶胶．凝胶法制备的ZnO薄膜质量较高． 相似文献
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用阳极氧化法在Ti基片上制备出TiO2薄膜,然后通过电化学沉积法将Co-Pi和Cu2O沉积在TiO2薄膜表面.通过扫描电镜、X-射线衍射和光电化学性质测试,发现TiO2薄膜表面先沉积Co-Pi能够有效阻止Cu2O颗粒堆积,光电流显著提高.而先沉积Cu2O后沉积Co-Pi,则会使Cu2O还原为Cu,同时形貌发生改变.特别地,沉积300秒Co-Pi后再沉积Cu2O颗粒,能得到200 mA/cm2的最大光电流. 相似文献
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报道了紫外光源在制备金属薄膜材料方面的应用研究,金属钯是一种优良的催化剂,首先在各种衬底上面淀积靶的金属有机化合物薄膜,通过紫外分解钯的金属有机化合物,形成数埃到几十埃的色膜,然后再利用钯的催化效应,在无电极电镀中淀积出几十纳米到几微米厚的各种金属薄膜（如Cu、Au、Ni等）。 相似文献
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本文用XRD和SEM等分析测试手段,详细研究了Sol－Gel法不同工艺过程制得KTN薄膜样品的结构和形貌。发现KTN薄膜的结构和形貌主要受热处理工艺的烧结温度、升降温速率、烧结气氛等影响,详细分析讨论了产生这些影响的原因。在SrTiO3（100,111）基片上制备出了高取向、纯钙钛矿结构、表面形貌良好的KTN薄膜。 相似文献
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利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜,并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s． 相似文献
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本文以Cu(NO3)2.3H2O为铜源,浓氨水为络合剂和NaOH调节溶液的pH,采用化学浴法(CBD)制备了CuO薄膜。通过X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其光催化前后的结构和形貌进行了表征。将CuO薄膜放在含有H2O2的甲基橙溶液中,经不同光源照射一定时间后,取其溶液进行可见分光光度分析来研究CuO薄膜的光催化性能。试验结果表明:紫外灯光源下,当催化剂CuO薄膜的表面积为12.50cm2、3.0%H2O2用量为40.0ml、pH=7时,降解甲基橙溶液的效果较好,光照10min后降解率就达到100.0%;不加H2O2时,需光照40min降解率才能达到100.0%,说明H2O2对CuO膜光催化降解甲基橙起到协同促进作用。 相似文献
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