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展开了高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究.利用有限元数值分析手段,分析了栅介质厚度对MOS管驱动电流和阈值电压的影响,得到在不同栅介质厚度值情况下对应的输出特性曲线和转移特性曲线以及不同k值下的漏端电流.结果表明,减小栅介质层厚度,MOS管的驱动电流持续增加,阈值电压也显著下降.同时,在一定范围内随着k值的增大MOS管的漏端电流持续增加. 相似文献
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利用碎片像素灰度值构成的矩阵二范数最小的原则,研究了传统碎片拼接复原算法的不足,提出改进的碎片拼接复原配对算法.对碎纸机规则切割的碎片进行两两配对,找到复原后第一张图片,通过编程得到碎片的正确拼接顺序.利用MATLAB软件进行计算机仿真,验证方法的有效性. 相似文献
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