首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   0篇
  国内免费   3篇
科学研究   3篇
综合类   4篇
  2021年   1篇
  2011年   2篇
  2009年   4篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
利用同步辐射光和反射飞行时间质谱,研究了丙烯酸甲酯9.0~15.5 eV能量范围的真空紫外光电离和光解离.实验测量丙烯酸甲酯的光电离质谱和解离碎片离子m/e=86(C4H6O+2), 85(C4H5O+2), 59(C2H3O+2), 58(C3H6O+), 55(C3H3O+), 42(C3H+6), 31(CH3O+), 27(C2H+3), 和15(CH+3)的光电离效率曲线.并利用量子化学从头算(G3),计算碎片离子的能级,推测它们的解离通道.计算的电离能和出现势与实验结果符合很好.结果表明,丙烯酸甲酯的光电离解离通道以单键断裂反应为主.  相似文献   
2.
利用杂化密度泛函B3LYP方法,研究了硼氧小分子在铂团簇的表面吸附体系,研究的物性涉及不同自旋下团簇的几何结构、稳定性、电子结构、解离能和平均原子结合能等. 计算结果表明:BO两种原子作为一个分子整体吸附于铂团簇表面,其吸附方式随团簇尺寸的变化而变化;自然布居和Mulliken布居显示,电荷由铂原子转移到BO分子整体. 此外,解离能和平均原子结合能表明四重态Pt4BO的基态结构具有最大的相对稳定性.  相似文献   
3.
利用同步辐射光和反射飞行时间质谱,研究了丙烯酸甲酯9.0~15.5 eV能量范围的真空紫外光电离和光解离.实验测量丙烯酸甲酯的光电离质谱和解离碎片离子m/e=86(C4H6O+2), 85(C4H5O+2), 59(C2H3O+2), 58(C3H6O+), 55(C3H3O+), 42(C3H+6), 31(CH3O+), 27(C2H+3), 和15(CH+3)的光电离效率曲线.并利用量子化学从头算(G3),计算碎片离子的能级,推测它们的解离通道.计算的电离能和出现势与实验结果符合很好.结果表明,丙烯酸甲酯的光电离解离通道以单键断裂反应为主.  相似文献   
4.
利用同步辐射光电离质谱的方法研究了甲基丁烯醇(C5H10O)在9.0~15.5eV的真空紫外光电离和光解离过程.通过测量光电离效率曲线,得到了C5H10O的电离能和主要碎片离子的出现势.通过对实验和计算结果的比较,分析了母体离子可能的光电离解离机理.母体离子的解离通道可以分为2类:由C5H10O+直接发生键断裂的解离和经由过渡态的解离.确定了C4H 5+和C3H 5+离子的过渡态和中间体,其反应势垒与实验解离能是符合的.  相似文献   
5.
利用杂化密度泛函B3LYP方法,研究了硼氧小分子在铂团簇的表面吸附体系,研究的物性涉及不同自旋下团簇的几何结构、稳定性、电子结构、解离能和平均原子结合能等. 计算结果表明:BO两种原子作为一个分子整体吸附于铂团簇表面,其吸附方式随团簇尺寸的变化而变化;自然布居和Mulliken布居显示,电荷由铂原子转移到BO分子整体. 此外,解离能和平均原子结合能表明四重态Pt4BO的基态结构具有最大的相对稳定性.  相似文献   
6.
利用同步辐射光电离质谱的方法研究了甲基丁烯醇(C5H10O)在9.0~15.5eV的真空紫外光电离和光解离过程.通过测量光电离效率曲线,得到了C5H10O的电离能和主要碎片离子的出现势.通过对实验和计算结果的比较,分析了母体离子可能的光电离解离机理.母体离子的解离通道可以分为2类:由C5H10O+直接发生键断裂的解离和经由过渡态的解离.确定了C4H+5 和C3H+5离子的过渡态和中间体,其反应势垒与实验解离能是符合的.  相似文献   
7.
利用可调谐同步辐射与飞行时间质谱实验,研究巴豆酸甲酯在9.0~14.5 eV能量范围内的真空紫外光电离和光解离过程。通过光电离效率曲线测定巴豆酸甲酯的电离能以及主要碎片离子C4H5O2+、C4H5O+、C4H4O+、C2H3O2+、C3H5+和C2H5+的出现势,分别为10.11、10.73、10.88、12.2、11.93(12.77)和12.44 eV。通过实验结果和G3B3计算结果的比较,分析主要碎片C4H5O2++CH3、C4H5O++CH3O、C4H4O++CH4O、C2H3O2++C3H5、C3H5++C2H3O2(CO+CH3O)和C2H5++C3H3O2的可能解离通道以及解离通道上经历的过渡态和中间体。在巴豆酸甲酯的光电离和光解离过程中,大多数碎片是母体离子异构化之后形成的,氢转移和开闭环是主要的过程。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号