半导体GaN三阶非线性光学性质研究     

石圣涛  李中国  宋瑛林 《黑龙江科技信息》2012,(33):8-9

用双4f相位成像技术,对半导体GaN多晶在600nm,皮秒时城的三阶非线性光学性质进行了实验测量。根据相关理论,通过数值模拟确定了GaN在相关条件下的三阶非线性光学参数。实验测量得到的双光子吸收系数β=9．54×10^-11（m／W）,三阶非线性折射率,n2=-1．33×10^-17（m^2／W）,该结果表明GaN是一种性能优异的非线性光学材料。．  相似文献