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采用磁控溅射技术,通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜,以形成异质薄膜器件,并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明,在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能,并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联,最高可达230%,远超过单一薄膜。同时,器件的响应速度较快,响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图,对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
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基础教育课程改革纲要(试行) 总被引:5,自引:0,他引:5
《教学仪器与实验》2001,17(7):1-3
改革开放以来,我国基础教育取得了辉煌成就,基础教育课程建设也取得了显著成绩。但是,我国基础教育总体水平还不高,原有的基础教育课程已不能完全适应时代发展的需要。为贯彻《中共中央国务院关于深化教育改革全面推进素质教育的决定》(中发[1999]9号)和《国务院关于基础教育改革与发展的决定》(国发[2001]21号),教育部决定,大力推进基础教育课程改革,调整和改革基础教育的课程体系、结构、内容,构建符合素质教育要求的新的基础教育课程体系。 相似文献